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首页 > 热门关键词 > VISHAY威世dcdc芯片
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DG3257是一款采用单刀双掷(SPDT)配置的低导通电阻(R(ON))、高带宽模拟开关。它的开关导通电阻为5 ,在5 pF负载下-3 dB带宽大于700 MHz,通道间串扰为-32 dB,隔离度为-33 dB。DG3257采用高密度亚微米CMOS工艺制造,具有低寄生电容,能处理双向信号流并将相位失真降至最低
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  • 1+

    ¥1.82
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  • SiP12107 是一款高效率的单片同步降压调节器,能够提供高达 3A 的连续电流。该调节器具有可编程开关频率,最高可达 4MHz,输入电压范围为 2.8V 至 5.5V,输出电压可调至 0.6V。该器件集成了高侧和低侧功率 MOSFET,支持所有陶瓷电容器,无需外部 ESR。此外,它还具有多种保护功能,包括过流保护、过温保护和欠压保护。
    数据手册
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      ¥7.87
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  • DG201B, DG202B模拟开关是高度改进的版本,具有±22V供电电压等级。这些TTL和CMOS兼容逻辑设备采用Vishay Siliconix专有的硅栅CMOS工艺制造,具有更低的导通电阻、更低的泄漏电流、更高的速度和更低的功耗。
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    DG2523和DG2524是四个通道单刀双掷(SPDT)模拟开关。DG2523有两个控制输入,每个控制一对单刀双掷(SPDT)。它也被称为两通道双极双掷(DPDT)配置。DG2524有一个EN引脚,当逻辑为低时启用设备。
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    • 1+

      ¥10.81
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      ¥6.53
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  • DG636E是一款双SPDT CMOS模拟开关,设计用于+3 V至+16 V单电源或±3 V至±8 V双电源。它在+3V、+5V和±5V下完全指定。
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      ¥5.95
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  • DG213是一款多功能模拟开关,包含两个常闭和两个常开开关。它可以配置为四个单刀单掷(SPST)、两个单刀双掷(SPDT)、一个“T”开关或一个双刀双掷(DPDT)等。该器件具有低导通电阻、低泄漏电流、快速切换时间等特点。
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    • 1+

      ¥10.88
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  • DG411LE、DG412LE和DG413LE是单片四通道单刀单掷(SPST)模拟开关。DG411LE和DG412LE的区别仅在于它们对相反的逻辑电平做出响应。DG413LE有两个常开开关和两个常闭开关
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      ¥11.43
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    • 30+

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  • DG612E 包含四个独立选择的 SPST 开关。它们在单电源或双电源下工作,具有低电荷注入和低泄漏电流。
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      ¥11.53
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  • DG417B、DG418B、DG419B 单片 CMOS 模拟开关专为实现模拟信号的高性能切换而设计。DG417B 系列集低功耗、低泄漏、高速、低导通电阻和小尺寸等特性于一身,非常适合需要高性能且能有效利用电路板空间的便携式和电池供电工业应用。为实现高电压额定值和卓越的开关性能,DG417B 系列采用了 Vishay Siliconix 的高压硅栅(HVSG)工艺
    数据手册
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      ¥12.72
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      ¥4.84
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  • DG417是单刀单掷(SPST)配置的高电压、低功耗、高速度、低导通电阻和小尺寸的模拟开关。
    数据手册
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      ¥13.75
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  • DG413LE是单片四路单刀单掷模拟开关。它具有低导通电阻、低寄生电容和低电荷注入特性。
    • 1+

      ¥16.25
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      ¥13.78
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      ¥12.23
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      ¥9.62
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  • DG201B、DG202B 模拟开关是行业标准产品 DG201A、DG202 的大幅改进版本。这些器件采用 Vishay Siliconix 专有的硅栅 CMOS 工艺制造,具有更低的导通电阻、更低的泄漏电流、更高的速度和更低的功耗。这些四通道单刀单掷开关适用于电信、仪器仪表、过程控制、计算机外设等多种应用领域
    数据手册
    • 1+

      ¥16.73
    • 10+

      ¥14.08
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      ¥9.96
    • 1000+

      ¥9.62
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  • SiC45x 是一款符合 PMBus 1.3 标准的非隔离式 DC/DC 降压稳压器,集成了 MOSFET。它能够提供高达 40 A(SiC450)的连续输出电流。其输出电压可通过数字方式进行调节,输入电压范围为 4.5 V 至 20 V 时,输出电压范围为 0.3 V 至 12 V,开关频率最高可达 1.5 MHz
    • 10+

      ¥30.661657
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      ¥26.453194
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      ¥24.348963
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      ¥20.49
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      ¥16.11
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      ¥14.45
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      ¥13.69
    • 1000+

      ¥13.35
  • 订货
  • 8通道单端模拟多路复用器和双4通道差分模拟多路复用器,适用于单电源和双电源操作。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.92
    • 10+

      ¥21.43
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      ¥21.11
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      ¥20.78
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  • 铂均匀薄膜沉积在高级氧化铝(Al₂O₃)陶瓷基板上,并经过处理以获得正确的温度系数和稳定性。传感元件覆盖有保护性涂层,用于电气、机械和气候防护。终端采用镀镍纯哑光锡,经过广泛测试,证明其抗锡须生长能力。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.09
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      ¥28.84
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      ¥28.34
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  • DG308A具有低导通电阻(60 Ω)和快速开关(130 ns)的特点,采用“常开”配置供货,而DG309则采用“常闭”配置供货。输入阈值与高压CMOS兼容。该产品采用Vishay Siliconix PLUS - 40 CMOS工艺设计,将低功耗与44 V的高击穿电压额定值相结合
    数据手册
    • 1+

      ¥33.94
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      ¥29.2
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      ¥26.31
    • 100+

      ¥23.89
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      ¥33.02
    • 50+

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    • 100+

      ¥29.3
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      ¥28.44
    • 1000+

      ¥28.05
  • 订货
    • 1+

      ¥36.73
    • 10+

      ¥31.78
    • 30+

      ¥28.76
    • 100+

      ¥26.23
  • 订货
  • 由四个独立控制的单刀双掷模拟开关组成,设计用于高精度控制模拟信号。低功耗版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.12
    • 10+

      ¥31.7
    • 30+

      ¥28.4
    • 100+

      ¥25.63
  • 订货
  • 具有低导通电阻、低泄漏电流、高速切换等特点。适用于电信、仪器仪表、过程控制、计算机外设等广泛的应用领域。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.98
    • 10+

      ¥32.68
    • 30+

      ¥29.44
    • 100+

      ¥26.73
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  • 是同步降压稳压器,集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供12 A和8 A的连续电流。该稳压器可从3 V至28 V的输入轨产生低至0.6 V的可调输出电压,以适应各种应用,包括计算、消费电子、电信和工业领域。架构可在最小输出电容的情况下实现超快瞬态响应,并在非常轻的负载下实现严格的纹波调节
    数据手册
    • 1+

      ¥14.125
    • 20+

      ¥13.56
    • 100+

      ¥12.995
    • 200+

      ¥12.656
    • 500+

      ¥12.43
    • 1+

      ¥76.76
    • 10+

      ¥73.3
    • 25+

      ¥65.1
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      ¥59.88
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