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首页 > 热门关键词 > VISHAY威世dcdc芯片
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11Ω导通电阻，+12V,±5V,+5V,+3V,SPST和SPDT开关
型号：DG419LEDY-T1-GE4 编号：C2673265
封装：SO-8
品牌：VISHAY(威世)
DG417LE、DG418LE、DG419LE模拟开关设计为可在+3V至+16V单电源或±3V至±8V双电源下工作，并在+12V、±5V、+5V和+3V条件下进行了全面规格定义。DG417LE、DG418LE、DG419LE是与行业标准器件DG417、DG418和DG419引脚兼容的低电压配套器件。每个开关在导通时双向导通性能相同，在关断时可阻断高达电源电压的输入电压，并具有先断后通的切换动作
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    1.8 V至5.5 V供电，2.5 Ω，四通道（4 1）多路复用器
    型号：DG2034EDN-T1-GE4 编号：C2673426
    封装：QFN-12-EP(3x3)
    品牌：VISHAY(威世)
    DG2034E是一款四通道多路复用器，可采用1.8 V至5.5 V单电源供电。它具备掉电故障保护功能，可防止V+接地时出现过大电流。该器件功耗低、电压范围宽，非常适合用于电池供电产品
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    精密CMOS模拟开关
    型号：DG419DY-E3 编号：C80078
    封装：SOIC-8
    品牌：VISHAY(威世)
    DG419是单刀双掷(SPDT)配置的高电压、低功耗、高速度、低导通电阻和小尺寸的模拟开关。
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    高电压单电源和双电源SPDT模拟开关带使能引脚
    型号：DG469EQ-T1-E3 编号：C145215
    封装：MSOP-8
    品牌：VISHAY(威世)
    DG469是高电压SPDT开关，具有低导通电阻（典型值3.6Ω）和典型的平坦度0.4Ω。适用于音频和视频信号切换。
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    8通道/双4通道高性能CMOS模拟多路复用器
    型号：DG409DY-E3 编号：C30953
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    DG409是一款双4通道差分模拟多路复用器，设计用于将四个差分输入中的一个连接到公共双输出。
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    60 A VRPower集成功率级
    型号：SIC660ACD-T1-GE3 编号：C29756148
    封装：PowerPAKMLP55-31L
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC660是一款高频集成功率级器件，针对同步降压应用进行了优化，可提供大电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。SiC660采用5mm x 5mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达60A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最新的TrenchFET技术，具备行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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    DG9409E 4通道差分模拟多路复用器
    型号：DG9409EDN-T1-GE4 编号：C2673082
    封装：QFN-16-EP(4x4)
    品牌：VISHAY(威世)
    DG9409E是一款4通道差分模拟多路复用器，具有低导通电阻和快速切换速度。
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    DG456EQ-T1-E3
    型号：DG456EQ-T1-E3 编号：C2673368
    封装：TSSOP-16
    品牌：VISHAY(威世)
    具有四个可独立选择的高压（44V）单刀单掷开关，每个开关的典型导通电阻为 4Ω，典型平坦度为 0.2Ω，是低失真音频信号切换的理想参数。DG454（常闭）和 DG455（常开）除数字逻辑控制输入外完全相同，数字逻辑控制输入如真值表所示反向。DG456 有两个常闭和两个常开开关。这些是高压开关，在 ±5V 和 ±15V 双电源以及 12V 单电源下有完整的规格说明
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    4.5V至55V输入，微功耗降压型DC/DC转换器
    型号：SIC479ED-T1-GE3 编号：C1852152
    封装：MLP55-27L(5x5)
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC47x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域
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    6Ω导通电阻，+12V,±5V,+5V,+3V,SPST和SPDT开关
    型号：DG419LEDQ-T1-GE3 编号：C2651908
    封装：MSOP-8
    品牌：VISHAY(威世)
    DG417LE、DG418LE、DG419LE模拟开关设计为可在+3V至+16V单电源或±3V至±8V双电源下工作，并在+12V、±5V、+5V和+3V条件下进行了全面规格定义。DG417LE、DG418LE、DG419LE是与行业标准器件DG417、DG418和DG419引脚兼容的低电压配套器件。每个开关在导通时双向导通性能相同，在关断时可阻断高达电源电压的输入电压，并具有先断后通的切换动作
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    1.4 pC 电荷注入, 100 pA 泄漏, 四通道 SPST 开关
    型号：DG613EEY-T1-GE4 编号：C2673263
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    DG613E 包含两个常开和两个常闭的 SPST 开关。它们在单电源或双电源下工作，具有低电荷注入和低泄漏电流。
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    两点式微型芯片传感器，柔性引脚
    型号：NTCLE300E3103SB 编号：C7473280
    封装：-
    品牌：VISHAY(威世)
    这些负温度系数热敏电阻由一个微型芯片组成，该芯片焊接在两根AWG#30 ETFE绝缘（LE300）或非绝缘（LE201）的0.3mm镍引线上，并涂有一层土黄色的固态环氧漆。

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    DG412LEDQ-T1-GE3
    型号：DG412LEDQ-T1-GE3 编号：C3008913
    封装：TSSOP-16-175mil
    品牌：VISHAY(威世)
    是单片四通道单刀单掷模拟开关，有不同逻辑电平响应和开关状态配置。提供低导通电阻16 Ω、低寄生电容（开关导通电容15 pF）和信号摆幅范围内低电荷注入。可在单电源和双电源下工作，单电源电压范围为3 V至16 V，双电源建议为±3 V至±8 V。每个开关导通时双向性能良好，关断时可阻断高达电源电平的输入电压。有16引脚TSSOP、SOIC和PDIP封装。

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    精密单片四通道SPST CMOS模拟开关
    型号：DG413DQ-T1-E3 编号：C3656939
    封装：TSSOP-16
    品牌：VISHAY(威世)
    DG411系列单片四通道模拟开关设计用于高速、低误差切换精密模拟信号。结合低功耗（0.35 μW）和高速（ton: 110 ns），DG411系列非常适合便携式和电池供电的工业。

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    3 V至24 V输入、24 A微功率降压型DC/DC转换器
    型号：SIC431DED-T1-GE3 编号：C7011016
    封装：MLP-24L-EP(4x4)
    品牌：VISHAY(威世)
    是一款同步降压调节器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供24 A的连续电流。该调节器可从3V至24V的输入轨产生低至0.6V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算、消费电子、电信和工业领域。架构支持超快瞬态响应，具有最小的输出电容和在非常轻负载下的严格纹波调节

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    集成功率级解决方案，适用于同步降压应用
    型号：SIC639CD-T1-GE3 编号：C2653466
    封装：MLP55-31L(5x5)
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC639 是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC639 采用威世（Vishay）专有的 5 mm×5 mm MLP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 50 A 的连续电流。内部功率 MOSFET 采用了最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗
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    DG3157E 高速单刀双掷模拟开关
    型号：DG3157EDL-T1-GE3 编号：C7171531
    封装：SC-70-6
    品牌：VISHAY(威世)
    DG3157E是一款高速单刀双掷模拟开关，适用于+1.65V至+5.5V单电源操作。该芯片采用高密度CMOS技术制造，具有低导通电阻、快速切换速度和高带宽，并保持低功耗。

    • 1+

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    低电容、低电荷注入，8通道三重SPDT，±5V/12V/5V/3V模拟多路复用器
    型号：DG4053EEN-T1-GE4 编号：C2673430
    封装：UQFN-16(1.8x2.6)
    品牌：VISHAY(威世)
    高精度CMOS模拟多路复用器。DG4053E是三重2通道多路复用器或三重SPDT。
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    16 Ω，低电荷注入和低泄漏，+12V/+5V/+3V/±5V 四路单刀单掷开关
    型号：DG442LEDY-GE3 编号：C1546396
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    DG441LE、DG442LE 单片四路单刀单掷模拟开关旨在实现高速、低误差的模拟信号切换。DG441LE 具有常闭功能，DG442LE 具有常开功能。DG441LE、DG442LE 的特点是在整个模拟开关范围内具有几皮库仑的低电荷注入
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    16 Ω, 低电荷注入和泄漏, +12V / +5 V / +3 V / ± 5 V 四通道 SPST 开关
    型号：DG441LEDY-T1-GE3 编号：C727832
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    DG441LE、DG442LE 单片四路单刀单掷模拟开关旨在实现高速、低误差的模拟信号切换。DG441LE 具有常闭功能，DG442LE 具有常开功能。DG441LE、DG442LE 的特点是在整个模拟开关范围内具有几皮库仑的低电荷注入
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    1.7 Ω低导通电阻，单刀单掷开关
    型号：DG9421EDV-T1-GE3 编号：C6021616
    封装：TSOP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    是单极单掷（SPST）模拟开关，具有常闭和常开功能。采用高密度BiCMOS技术，实现低电阻、快速开关速度、低功耗、高 -3dB带宽和低电压逻辑控制阈值。可在单电源和双电源下工作，单电源电压范围为+3V至+16V，双电源推荐±3V至±8V。每个开关导通时双向性能良好，关断时可阻挡高达电源电平的输入电压。在全输入信号电压范围内具有低且平坦的导通电阻，带来出色的线性度，降低插入损耗和信号失真，适用于数据采集和可编程增益控制应用，也适用于音频信号切换和替代簧片继电器。工作温度范围为-40℃至+85℃，采用6引脚TSSOP封装。

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    铂金SMD扁平芯片温度传感器
    型号：PTS080501B500RP100 编号：C145319
    封装：0805
    品牌：VISHAY(威世)
    在高级氧化铝（Al₂O₃）陶瓷基板上沉积一层均匀的铂膜，并进行处理以获得正确的温度系数和稳定性。传感元件由保护性涂层覆盖，用于电气、机械和气候防护。终端经过最终的纯哑光镀镍镀锡处理，经过广泛测试证明其抗锡须生长能力。
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    双4通道差分高性能模拟多路复用器
    型号：DG409LEDY-GE3 编号：C5623808
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    双4通道差分高性能模拟多路复用器，具有低导通电阻、快速切换时间和低泄漏电流。适用于数据采集、控制和自动化、测试仪器和医疗保健产品。

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    50A VRPower集成功率级
    型号：SIC654ACD-T1-GE3 编号：C1852093
    封装：MLP55-31L(5x5)
    品牌：VISHAY(威世)
    是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装，可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。
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    降压型 12A 3V~28V
    型号：SIC437CED-T1-GE3 编号：C1848535
    封装：MLP44-24L(4x4)
    品牌：VISHAY(威世)
    是同步降压稳压器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供12 A和8 A的连续电流。该稳压器可从3 V至28 V的输入轨产生低至0.6 V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算、消费电子、电信和工业领域。架构可在最小输出电容的情况下实现超快瞬态响应，并在非常轻的负载下实现严格的纹波调节
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    DG202BDY-T1-E3
    型号：DG202BDY-T1-E3 编号：C2673298
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
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    35 A VRPower集成功率级
    型号：SIC533CD-T1-GE3 编号：C3655156
    封装：MLP4535-22L(3.5x4.5)
    品牌：VISHAY(威世)
    是一种为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用4.5mm×3.5mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达35A的连续电流。内部功率MOSFET采用先进的第四代TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动器IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5V PWM逻辑。包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以提高轻载性能。该器件还支持PS4模式，以在系统处于待机状态时降低功耗。

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    精密四路单刀双掷模拟开关
    型号：DG333ADW-E3 编号：C1546002
    封装：SOIC-20-300mil
    品牌：VISHAY(威世)
    DG333A、DG333AL 由四个独立控制的单刀双掷模拟开关组成。这些单片开关旨在高精度地控制模拟信号。DG333A、DG333AL 通过提供低导通电阻（典型值 25 Ω）、低泄漏电流（典型值 20 pA）和低电荷注入性能，最大限度地减少测量误差
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    CMOS模拟开关
    型号：DG303BDY-E3 编号：C1546221
    封装：SOIC-14
    品牌：VISHAY(威世)
    DG300B、DG303B 系列单片 CMOS 开关具备三种开关配置选项（单刀单掷、单刀双掷和双刀单掷），适用于通信、仪器仪表和过程控制等精密应用，这些应用需要低泄漏开关与低功耗相结合。这些开关采用 Vishay Siliconix PLUS - 40 CMOS 工艺设计，具有抗闩锁特性，关断时可承受高达 30 V 的峰 - 峰值电压。外延层可防止闩锁
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    4.5 V至60 V输入，microBUCKDC-DC转换器
    型号：SIC467ED-T1-GE3 编号：C2071963
    封装：MLP55-27L(5x5)
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC46x 系列是宽输入电压、高效率同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 60 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，适用于多种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域
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