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首页 > 热门关键词 > VISHAY威世dcdc芯片
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降压型 12A 4.5V~55V
型号：SIC476ED-T1-GE3 编号：C1852150
封装：MLP55-27L(5x5)
品牌：VISHAY(威世)
SiC47x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域
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    ￥46.48

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    DG2011单刀双掷模拟开关
    型号：DG2011DXA-T1-E3 编号：C146443
    封装：SC-89
    品牌：VISHAY(威世)
    低导通电阻，适用于低电压应用，支持2V至5.5V供电电压。
    数据手册

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      ￥2.91 ￥9.7

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    ThermaWick 热跳线表面贴装芯片
    型号：THJP0603ABT1 编号：C5205336
    封装：0603
    品牌：VISHAY(威世)
    设计用于在保持设备电气隔离的同时，为接地层或散热器提供电气隔离的热传导路径。采用氮化铝基板，有SnPb和无铅环绕端接两种样式。低电容使其非常适合高频和热梯应用。可定制尺寸。

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    精密CMOS模拟开关
    型号：DG419DY-E3 编号：C80078
    封装：SOIC-8
    品牌：VISHAY(威世)
    DG419是单刀双掷(SPDT)配置的高电压、低功耗、高速度、低导通电阻和小尺寸的模拟开关。
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    6Ω导通电阻，+12V,±5V,+5V,+3V,SPST和SPDT开关
    型号：DG419LEDQ-T1-GE3 编号：C2651908
    封装：MSOP-8
    品牌：VISHAY(威世)
    DG417LE、DG418LE、DG419LE模拟开关设计为可在+3V至+16V单电源或±3V至±8V双电源下工作，并在+12V、±5V、+5V和+3V条件下进行了全面规格定义。DG417LE、DG418LE、DG419LE是与行业标准器件DG417、DG418和DG419引脚兼容的低电压配套器件。每个开关在导通时双向导通性能相同，在关断时可阻断高达电源电压的输入电压，并具有先断后通的切换动作
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    降压型 50A 4.5V~24V
    型号：SIC631CD-T1-GE3 编号：C2653465
    封装：MLP55-31L(5x5)
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC631 是用于同步降压应用的集成电源级解决方案,提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用 Vishay 的第四代 MOSFET 技术和低侧 MOSFET,支持高达 50A 的连续电流。支持高达 2MHz 的高频操作,优化了开关和传导损耗。内置先进的 MOSFET 栅极驱动器 IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的 Bootstrap 肖特基二极管和零电流检测功能,以提高轻载效率。支持多种 PWM 控制器,包括 PS4 模式和 5V PWM 逻辑。
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    低电容、低电荷注入，8通道三重SPDT，±5V/12V/5V/3V模拟多路复用器
    型号：DG4053EEQ-T1-GE3 编号：C6183483
    封装：TSSOP-16
    品牌：VISHAY(威世)
    高精度CMOS模拟多路复用器。DG4053E是三重2通道多路复用器或三重SPDT。

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    50A VRPower集成功率级
    型号：SIC654ACD-T1-GE3 编号：C1852093
    封装：MLP55-31L(5x5)
    品牌：VISHAY(威世)
    是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装，可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。
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    高压4通道SPST CMOS模拟开关
    型号：DG452EY-T1-E3 编号：C467535
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    四路独立选择的高电压（44V）SPST开关，导通电阻低（典型值4Ω），适用于低失真音频信号切换。
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    降压型 6A 4.5V~60V
    型号：SIC467ED-T1-GE3 编号：C2071963
    封装：MLP55-27L(5x5)
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC46x 系列是宽输入电压、高效率同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 60 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，适用于多种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域
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    高速四通道单刀单掷CMOS模拟开关
    型号：DG201HSDY-E3 编号：C1546260
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    具有四个独立的模拟开关，设计用于高速、低误差的模拟信号切换。
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    降压型 8A 4.5V~55V
    型号：SIC477ED-T1-GE3 编号：C1852146
    封装：MLP55-27L(5x5)
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC47x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域
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    输出电流2.5A的IGBT和MOSFET驱动器
    型号：VOD3120AB-T 编号：C5236672
    封装：SMD-8P
    品牌：VISHAY(威世)
    VOD3120A由一个砷铝化镓（AlGaAs）发光二极管（LED）与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可提供栅极控制型器件所需的驱动电压
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    DG4051EEY-T1-GE3
    型号：DG4051EEY-T1-GE3 编号：C2673271
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
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      ￥6.58
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    1.8 V至5.5 V供电，2.5 Ω，四通道（4 1）多路复用器
    型号：DG2034EDN-T1-GE4 编号：C2673426
    封装：QFN-12-EP(3x3)
    品牌：VISHAY(威世)
    DG2034E是一款四通道多路复用器，可采用1.8 V至5.5 V单电源供电。它具备掉电故障保护功能，可防止V+接地时出现过大电流。该器件功耗低、电压范围宽，非常适合用于电池供电产品
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      ￥10.29

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    1.7 Ω低导通电阻，单刀单掷开关
    型号：DG9421EDV-T1-GE3 编号：C6021616
    封装：TSOP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    是单极单掷（SPST）模拟开关，具有常闭和常开功能。采用高密度BiCMOS技术，实现低电阻、快速开关速度、低功耗、高 -3dB带宽和低电压逻辑控制阈值。可在单电源和双电源下工作，单电源电压范围为+3V至+16V，双电源推荐±3V至±8V。每个开关导通时双向性能良好，关断时可阻挡高达电源电平的输入电压。在全输入信号电压范围内具有低且平坦的导通电阻，带来出色的线性度，降低插入损耗和信号失真，适用于数据采集和可编程增益控制应用，也适用于音频信号切换和替代簧片继电器。工作温度范围为-40℃至+85℃，采用6引脚TSSOP封装。

    • 1+

      ￥12.36

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    精密单片四通道SPST CMOS模拟开关
    型号：DG412DY-E3 编号：C45218
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    设计用于高速、低误差的精密模拟信号切换。结合低功耗（0.35 μW）和高速（ton: 110 ns）
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    • 1+

      ￥15.2

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    降压型 60A 2.5V~16V
    型号：SIC660ACD-T1-GE3 编号：C29756148
    封装：PowerPAKMLP55-31L
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC660是一款高频集成功率级器件，针对同步降压应用进行了优化，可提供大电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。SiC660采用5mm x 5mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达60A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最新的TrenchFET技术，具备行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

    • 1+

      ￥19.68

    • 10+

      ￥16.7

    • 30+

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    • 100+

      ￥12.92
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    降压型 24A 3V~24V
    型号：SIC431BED-T1-GE3 编号：C2071357
    封装：MLP44-24L(4x4)
    品牌：VISHAY(威世)
    SiC431是一款同步降压稳压器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供24 A的连续电流。该稳压器可在3 V至24 V的输入轨下产生低至0.6 V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域
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    • 1+

      ￥22.15

    • 10+

      ￥18.74

    • 30+

      ￥16.71
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    降压型 20A 4.5V~18V
    型号：SIC931BED-Y1-GE3 编号：C1161719
    封装：MLP60-A6C(6.5x10.6)
    品牌：VISHAY(威世)
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      ￥75.76

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    • 30+

      ￥66.09
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    低功耗高压单刀单掷模拟开关
    型号：DG468DV-T1-E3 编号：C2651906
    封装：TSOP-6-1.5mm
    品牌：VISHAY(威世)
    DG468是双电源单刀单掷(SPST)开关。导通电阻最大为10Ω，具有快速切换动作。
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      ￥7.149852

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    1.4 pC 电荷注入, 100 pA 泄漏, 四通道 SPST 开关
    型号：DG613EEY-T1-GE4 编号：C2673263
    封装：SOIC-16
    品牌：VISHAY(威世)
    DG613E 包含两个常开和两个常闭的 SPST 开关。它们在单电源或双电源下工作，具有低电荷注入和低泄漏电流。
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    • 1+

      ￥6

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    • 30+

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    6Ω导通电阻，+12V,±5V,+5V,+3V,SPST和SPDT开关
    型号：DG418LEDQ-T1-GE3 编号：C2673176
    封装：MSOP-8
    品牌：VISHAY(威世)
    DG417LE、DG418LE、DG419LE模拟开关设计为可在+3V至+16V单电源或±3V至±8V双电源下工作，并在+12V、±5V、+5V和+3V条件下进行了全面规格定义。DG417LE、DG418LE、DG419LE是与行业标准器件DG417、DG418和DG419引脚兼容的低电压配套器件。每个开关在导通时双向导通性能相同，在关断时可阻断高达电源电压的输入电压，并具有先断后通的切换动作
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    • 1+

      ￥6.26

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    低导通电阻单刀单掷模拟开关
    型号：DG9422EDV-T1-GE3 编号：C2673466
    封装：TSOP-6-1.5mm
    品牌：VISHAY(威世)
    DG9421E和DG9422E是单片单刀单掷（SPST）模拟开关。DG9421E具有常闭功能，DG9422E具有常开功能。这些器件采用高密度BiCMOS工艺制造，具备低电阻、快速开关速度、低功耗、高 -3dB带宽和低电压逻辑控制阈值等特性
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    • 30+

      ￥6.94
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    低电容、低电荷注入、4/8通道、三刀双掷、±5V/12V/5V/3V模拟多路复用器
    型号：DG4052EEQ-T1-GE3 编号：C145484
    封装：TSSOP-16
    品牌：VISHAY(威世)
    DG4051E、DG4052E 和 DG4053E 是高精度 CMOS 模拟多路复用器。DG4051E 是一款 8 通道多路复用器，DG4052E 是一款双 4 通道多路复用器，DG4053E 是一款三 2 通道多路复用器或三单刀双掷开关。DG4051E、DG4052E 和 DG4053E 的特点是在整个电压范围内具有低泄漏、低寄生电容和 0.3 pC 的低电荷注入
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    • 1+

      ￥7.65

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      ￥7.37
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    具有断电故障保护功能的1.8 V至5.5 V, 2.5 Ω, 4通道(4:1)多路复用器
    型号：DG2034EDQ-T1-GE3 编号：C2673244
    封装：MSOP-10
    品牌：VISHAY(威世)
    DG2034E 是一款四通道多路复用器，工作电压范围为1.8 V到5.5 V。它具有断电故障保护功能，防止V+接地时过大的电流流动。
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      ￥7.43
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    精密单片四通道SPST CMOS模拟开关
    型号：DG413DQ-T1-E3 编号：C3656939
    封装：TSSOP-16
    品牌：VISHAY(威世)
    DG411系列单片四通道模拟开关设计用于高速、低误差切换精密模拟信号。结合低功耗（0.35 μW）和高速（ton: 110 ns），DG411系列非常适合便携式和电池供电的工业。

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    铂金SMD扁平芯片温度传感器
    型号：PTS080501B500RP100 编号：C145319
    封装：0805
    品牌：VISHAY(威世)
    在高级氧化铝（Al₂O₃）陶瓷基板上沉积一层均匀的铂膜，并进行处理以获得正确的温度系数和稳定性。传感元件由保护性涂层覆盖，用于电气、机械和气候防护。终端经过最终的纯哑光镀镍镀锡处理，经过广泛测试证明其抗锡须生长能力。
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    • 1+

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    高电压单电源和双电源SPDT模拟开关带使能引脚
    型号：DG469EQ-T1-E3 编号：C145215
    封装：MSOP-8
    品牌：VISHAY(威世)
    DG469是高电压SPDT开关，具有低导通电阻（典型值3.6Ω）和典型的平坦度0.4Ω。适用于音频和视频信号切换。
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    DG413LEDQ-T1-GE3
    型号：DG413LEDQ-T1-GE3 编号：C3657639
    封装：TSSOP-16
    品牌：VISHAY(威世)

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