VISHAY威世dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TMCMB0J227MTR2F 编号：C5236670

封装：CASE-B-3528-21(mm)

品牌：VISHAY(威世)

特性：小尺寸,适合高密度封装。端接:100%雾锡。符合EIA 717 MSL 1级标准。与“大批量”自动拾放设备兼容。材料分类:如需了解合规定义,请参考相关文档。应用：工业AV设备。通用用途

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型号：DG419BDQ-T1-E3 编号：C2673354

封装：MSOP-8

品牌：VISHAY(威世)

高精度、低功耗、高速度、低导通电阻和小体积，适用于便携式和电池供电的工业。

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型号：DG411DY-E3 编号：C426319

封装：SOIC-16

品牌：VISHAY(威世)

该系列单片四通道模拟开关设计用于高速、低误差的精密模拟信号切换。结合了低功耗和高速性能。

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型号：DG212BDY-T1-E3 编号：C2673437

封装：SOIC-16

品牌：VISHAY(威世)

DG211B、DG212B 模拟开关是行业标准产品 DG211、DG212 的高度改进版本。这些器件采用 Vishay Siliconix 专有的硅栅 CMOS 工艺制造，具有更低的导通电阻、更低的漏电流、更高的速度和更低的功耗。这些四通道单刀单掷开关适用于电信、仪器仪表、过程控制、计算机外设等多种应用领域

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型号：DG408DY-E3 编号：C76447

封装：SOIC-16

品牌：VISHAY(威世)

8通道单端模拟多路复用器，设计用于将八个输入中的一个连接到公共输出。

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型号：DG636EEN-T1-GE4 编号：C458808

封装：UQFN-16(1.8x2.6)

品牌：VISHAY(威世)

DG636E是一款双SPDT CMOS模拟开关，设计用于+3 V至+16 V单电源或±3 V至±8 V双电源。它在+3V、+5V和±5V下完全指定。

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型号：DG419BDY-T1-E3 编号：C2673364

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

DG417B、DG418B、DG419B 单片 CMOS 模拟开关专为实现模拟信号的高性能切换而设计。DG417B 系列集低功耗、低泄漏、高速、低导通电阻和小尺寸等特性于一身，非常适合需要高性能且能有效利用电路板空间的便携式和电池供电工业应用。为实现高电压额定值和卓越的开关性能，DG417B 系列采用了 Vishay Siliconix 的高压硅栅（HVSG）工艺

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型号：DG448DV-T1-E3 编号：C128642

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：VISHAY(威世)

低功率、高电压SPST模拟开关

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型号：DG453EQ-T1-E3 编号：C2673349

封装：TSSOP-16

品牌：VISHAY(威世)

四路独立选择的高电压（44V）SPST开关，导通电阻低（典型值4Ω），适用于低失真音频信号切换。

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型号：SIC473ED-T1-GE3 编号：C2072453

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：SIC471ED-T1-GE3 编号：C2071666

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：DG2723DN-T1-E4 编号：C2673168

封装：WQFN-10(1.4x1.8)

品牌：VISHAY(威世)

低导通电阻、高带宽双SPDT模拟开关，适用于多种便携式设备和通信应用。

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型号：SIC534CD-T1-GE3 编号：C2653469

封装：MLP4535-22L(3.5x4.5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC534是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC534采用威世（Vishay）专有的4.5 mm × 3.5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达30 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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型号：DG406DW-E3 编号：C426318

封装：SOIC-28-300mil

品牌：VISHAY(威世)

低导通电阻、低电荷注入、快速切换时间、低功耗、单电源能力，适用于高速数据采集、音频信号切换和路由。

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型号：SIC478ED-T1-GE3 编号：C1852143

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：SIC654CD-T1-GE3 编号：C1852094

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装，可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。

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型号：DG419LEDY-T1-GE4 编号：C2673265

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

DG417LE、DG418LE、DG419LE模拟开关设计为可在+3V至+16V单电源或±3V至±8V双电源下工作，并在+12V、±5V、+5V和+3V条件下进行了全面规格定义。DG417LE、DG418LE、DG419LE是与行业标准器件DG417、DG418和DG419引脚兼容的低电压配套器件。每个开关在导通时双向导通性能相同，在关断时可阻断高达电源电压的输入电压，并具有先断后通的切换动作

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型号：DG4052EEN-T1-GE4 编号：C2673498

封装：UQFN-16(1.8x2.6)

品牌：VISHAY(威世)

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型号：DG612EEN-T1-GE4 编号：C2673283

封装：X-QFN-16(1.8x2.6)

品牌：VISHAY(威世)

DG612E 包含四个独立选择的 SPST 开关。它们在单电源或双电源下工作，具有低电荷注入和低泄漏电流。

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型号：DG408LEDN-T1-GE4 编号：C2673334

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

8通道单端高性能模拟多路复用器，具有低导通电阻、快速切换时间和低泄漏电流。适用于数据采集、控制和自动化、测试仪器和医疗保健产品。

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型号：DG212BDY-E3 编号：C1546489

封装：SOIC-16

品牌：VISHAY(威世)

具有低导通电阻、低泄漏电流、高速切换等特点。适用于电信、仪器仪表、过程控制、计算机外设等广泛的应用领域。

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型号：PTS1206M1B1K00P100 编号：C320418

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

在高级（Al₂O₃）陶瓷基板上沉积一层均匀的铂薄膜，并进行处理以获得合适的温度系数和稳定性。传感元件由防护涂层覆盖，该涂层旨在提供电气、机械和气候防护。终端采用镍底纯哑光镀锡处理，经过大量测试证明其具有抗锡须生长的能力

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￥25.19
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型号：DGQ2788AEN-T1-GE4 编号：C2673179

封装：QFN-16(1.8x2.6)

品牌：VISHAY(威世)

四通道单刀双掷(SPDT)模拟开关，具有两个控制输入。也可以配置为两通道双刀双掷(DPDT)。

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￥4.73
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￥4.62
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型号：DG9411EDL-T1-GE3 编号：C2673206

封装：SC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关，适用于1.8V至5.5V操作电压，具有低导通电阻、低电荷注入和快速切换速度。

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￥5.25
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￥4.32
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￥3.85
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型号：DG418DY-T1-E3 编号：C2673514

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

DG418是单刀双掷(SPDT)配置的高电压、低功耗、高速度、低导通电阻和小尺寸的模拟开关。

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￥7.17
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￥6
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型号：DG412LEDQ-T1-GE3 编号：C3008913

封装：TSSOP-16-175mil

品牌：VISHAY(威世)

是单片四通道单刀单掷模拟开关，有不同逻辑电平响应和开关状态配置。提供低导通电阻16 Ω、低寄生电容（开关导通电容15 pF）和信号摆幅范围内低电荷注入。可在单电源和双电源下工作，单电源电压范围为3 V至16 V，双电源建议为±3 V至±8 V。每个开关导通时双向性能良好，关断时可阻断高达电源电平的输入电压。有16引脚TSSOP、SOIC和PDIP封装。

1+
￥9.61
10+
￥9.39
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型号：SIC639CD-T1-GE3 编号：C2653466

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC639 是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC639 采用威世（Vishay）专有的 5 mm×5 mm MLP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 50 A 的连续电流。内部功率 MOSFET 采用了最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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￥11.17
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￥10.91
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型号：DG409DY-E3 编号：C30953

封装：SOIC-16

品牌：VISHAY(威世)

DG409是一款双4通道差分模拟多路复用器，设计用于将四个差分输入中的一个连接到公共双输出。

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￥9.39

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型号：SIC632ACD-T1-GE3 编号：C2653473

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC632和SiC632A是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC632和SiC632A采用威世（Vishay）专有的5 mm × 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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￥15.09
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￥13.27

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型号：DG408LEDQ-GE3 编号：C1546362

封装：TSSOP-16

品牌：VISHAY(威世)

8通道单端高性能模拟多路复用器，具有低导通电阻、快速切换时间和低泄漏电流。适用于数据采集、控制和自动化、测试仪器和医疗保健产品。

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