华冠dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NE556N 编号：C434517

封装：DIP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

LM556/NE556 系列双片式定时电路是一种高度稳定的控制器，能够产生精确的时间延迟或振荡。LM556/NE556 是双 LM555 芯片。每个定时功能的定时由外部电阻器和电容器实现

数据手册

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￥1.3598
50+
￥1.0134
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￥0.8946
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￥0.7464
2000+
￥0.6804
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￥0.6408

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型号：SG3525N 编号：C2835212

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

芯片 +5.1V 基准电压精度为 ±1%，由于基准电压值在误差放大器的输入共模范围内，因此无需外接电阻。SG3525 可以工作在主从模式、也可以与外部时钟同步。通过 CT 与放电端之间的电阻可以调节死区时间。

数据手册

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￥1.4421
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￥1.1041
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￥0.9747
500+
￥0.8132
2500+
￥0.7413
5000+
￥0.6982

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型号：LMC555N 编号：C725328

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

LMC555是CMOS版本555系列通用定时器。该LMC555可提供产生精确的时间延迟和频率，具有非常低的功率损耗和电源电流尖峰。当芯片作为触发延时使用时，时间延时由一个单一的外部电阻和电容精确控制。在稳定模式下，振荡频率和占空比准确由两个外接电阻和一个电容器设定。

数据手册

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￥1.4459
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￥1.068
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￥0.9384
500+
￥0.7767
2000+
￥0.7047
4000+
￥0.6615

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型号：LM7918CS/TR 编号：C42400738

封装：TO-263-3

品牌：HGSEMI(华冠)

1.5A 三端负电压稳压芯片

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￥1.7599
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￥1.3819
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￥1.2199
500+
￥1.0178
2500+
￥0.9278
5000+
￥0.8738

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型号：SG2525N 编号：C22396904

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

芯片 +5.1V 基准电压精度为 ±1%，由于基准电压值在误差放大器的输入共模范围内，因此无需外接电阻。SG3525/SG2525 可以工作在主从模式、也可以与外部时钟同步。通过 CT 与放电端之间的电阻可以调节死区时间。

5+
￥1.7365
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￥1.3635
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￥1.2037
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￥1.0042
2000+
￥0.9154
5000+
￥0.8621

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型号：LM2940CS-5.0/TR 编号：C7432344

封装：TO-263-3

品牌：HGSEMI(华冠)

LM2940是一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内输出1A电流的能力而漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时候，内部的降静态电流模块开始工作从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。车载运用的中LM2940也设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力。

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￥2.82
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￥2.22
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￥1.96
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￥1.63
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￥1.49
1000+
￥1.4

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型号：LM2940CS-3.3/TR 编号：C19193509

封装：TO-263-3

品牌：HGSEMI(华冠)

线性稳压器(LDO) 1A LDO 稳压器电路 LM2940是一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内输出1A电流的能力而漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时候，内部的降静态电流模块开始工作从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。车载运用的中LM2940也设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力。

1+
￥1.61
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￥1.57
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￥1.54
100+
￥1.52

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型号：KA7500N 编号：C398062

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

集成在单个单片芯片上，具备构建脉宽调制控制电路所需的所有功能。主要为电源控制而设计，为系统工程师提供了根据应用定制电源控制电路的灵活性。包含误差放大器、片上可调振荡器、死区时间控制比较器、脉冲导向控制触发器、5伏稳压器（精度1%）和输出控制电路。误差放大器的共模电压范围为 -0.3V 至 VCC-2V

数据手册

5+
￥1.3664
50+
￥1.0134
150+
￥0.8946
500+
￥0.7464
2000+
￥0.6804
5000+
￥0.6408

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型号：KA7500M/TR 编号：C383060

封装：SOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

集成在单个单片芯片上，具备构建脉宽调制控制电路所需的所有功能。主要为电源控制而设计，为系统工程师提供了根据应用定制电源控制电路的灵活性。包含误差放大器、片上可调振荡器、死区时间控制比较器、脉冲导向控制触发器、5伏稳压器（精度1%）和输出控制电路。误差放大器的共模电压范围为 -0.3V 至 VCC-2V

数据手册

5+
￥1.1182
50+
￥0.8914
150+
￥0.7942
500+
￥0.6729
2500+
￥0.5567
5000+
￥0.5243

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型号：PCF85163N 编号：C20618052

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

针对低功耗进行优化的CMOS实时时钟（RTC）和日历芯片

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￥3.06
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￥2.4
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￥2.12
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￥1.77
500+
￥1.61
1000+
￥1.52

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型号：HG74HC164N 编号：C19193511

封装：DIP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

HG74HC164 是一款采用高速 CMOS 工艺技术设计的两线输入的 8 位寄存器。寄存器由主从 D 型触发器构成，它具有很高的抗噪型和抗干性。在时钟 CLOCK 上升沿到来时 8 位二进制数据（ $( \mathsf { Q a } \mathsf { \tilde { Q } } \mathsf { Q } )$ ）向右移一位。带有一个清 0 输入端，可以轻松实现输出数据的清零。改移位寄存器也可以根据需要实现多级芯片扩展输出。

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￥0.9621
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￥0.7555
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￥0.6669
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￥0.5564
2000+
￥0.5072
5000+
￥0.4777

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型号：74HC132MT/TR 编号：C7432186

封装：TSSOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

74系列逻辑芯片具有施密特触发器输入

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￥0.9856
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￥0.7739
150+
￥0.6832
500+
￥0.57
2500+
￥0.5196
5000+
￥0.4893

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型号：HG1381M/TR 编号：C7432081

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

时钟芯片单总线协议 2V~5.5V

5+
￥1.9946
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￥1.5662
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￥1.3826
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￥1.1535
2500+
￥1.0515
5000+
￥0.9903

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型号：PCF85163MM/TR 编号：C20618054

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

针对低功耗进行优化的CMOS实时时钟（RTC）和日历芯片

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￥2.89
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￥2.26
30+
￥1.99
100+
￥1.65
500+
￥1.5
1000+
￥1.41

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型号：PCF8563BMM/TR 编号：C5160095

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

PCF8563B是低功耗的CMOS实时时钟／日历芯片，它提供一个可编程时钟输出，一个中断输出和掉电检测器，所有的地址和数据通过I²C总线接口串行传递。最大总线速度为400Kbits/s，每次读写数据后，内嵌的字地址寄存器会自动产生增量。 PCF8563B有16个8位寄存器：一个可自动增量的地址寄存器，一个内置32.768KHz的振荡器（带有一个内部集成的电容），一个分频器（用于给实时时钟RTC提供源时钟），一个可编程时钟输出，一个定时器，一个报警器，一个掉电检测器和一个400KHz I²C总线接口。

数据手册

1+
￥1.94
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￥1.9
30+
￥1.87
100+
￥1.84

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型号：AT24C02CM5/TR 编号：C7432363

封装：SOT23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

10+
￥0.3287
100+
￥0.2617
300+
￥0.2282
3000+
￥0.2002
6000+
￥0.1801
9000+
￥0.1701

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型号：74HC4052M/TR 编号：C507179

封装：SOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

74HC4052、74HCT4052是高速硅栅CMOS器件，引脚与HEF4052B兼容。该器件符合JEDEC标准7A。74HC4052、74HCT4052是具有公共选择逻辑的双4通道模拟多路复用器/解复用器

数据手册

5+
￥0.72
50+
￥0.5664
150+
￥0.4896
500+
￥0.432
2500+
￥0.386
5000+
￥0.3629

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型号：AD8552M/TR 编号：C356702

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

单/双/四电源、微功耗、零漂移CMOS运算放大器，带宽为1.8MHz，具有轨到轨输入和输出，单电源工作电压范围为1.8V至5.5V。采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大小于30μV）和近乎零的温度漂移。每个放大器的静态电源电流低至180μA，输入偏置电流低至20pA，非常适合低失调、低功耗和高阻抗应用。具有出色的共模抑制比，驱动模数转换器（ADC）时不会降低差分线性度。提供多种封装形式，工作温度范围为 -40°C至 +85°C，在所有电源电压下都能提供额外的设计灵活性。

数据手册

1+
￥3.16
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￥2.5
30+
￥2.22
100+
￥1.87
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￥1.54
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￥1.45

有货

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型号：74HC595M/TR 编号：C507176

封装：SOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

因版本更迭,从2023年SQ批次以后更新为新版本,请提前做好样品测试

数据手册

5+
￥0.5854
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￥0.4606
150+
￥0.3982
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￥0.3514
2500+
￥0.314
5000+
￥0.2953

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型号：LM324M/TR 编号：C194286

封装：SOIC-14

品牌：HGSEMI(华冠)

本电路为高性能、具有四个独立的运算放大器，内含相位补偿电路，适用于收录机和音调系统作音调均衡网络，也用于其他场合。采用14引线双列直插式塑料封装（DIP14），功耗720mW，以及贴片SOP14/TSSOP-14/QSOP-16/QFN-16封装，功耗400mW。

数据手册

5+
￥0.5935
50+
￥0.465
150+
￥0.4007
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￥0.3525
2500+
￥0.3139
5000+
￥0.2946

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型号：ULN2003AM/TR 编号：C253892

封装：SOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

七路高增益达林顿阵列

数据手册

5+
￥0.7249
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￥0.5761
150+
￥0.5017
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￥0.4459
2500+
￥0.3781
5000+
￥0.3558

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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥1.8753
50+
￥1.4665
150+
￥1.2912
500+
￥1.0726
2500+
￥0.9752
5000+
￥0.9168

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型号：74HC4051M/TR 编号：C507180

封装：SOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

该器件是一款数控模拟开关，采用硅栅CMOS技术，可实现与LSTTL相当的工作速度，同时具备标准CMOS集成电路的低功耗特性。这款模拟多路复用器/解复用器可控制在电源电压范围（即Vcc - VEE）内变化的模拟电压。这些双向开关允许将任何模拟输入用作输出，反之亦然

数据手册

5+
￥0.7676
50+
￥0.614
150+
￥0.5372
500+
￥0.4796
2500+
￥0.3911
5000+
￥0.368

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型号：74HC165M/TR 编号：C507184

封装：SOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

HC165 器件是 8 位并行加载移位寄存器，在时钟信号作用下，数据会向串行（ΩH）输出端移位。每个寄存器级的并行输入由八个独立的直接数据（A - H）输入提供，这些输入通过移位/加载（SH/LD(overline)）输入的低电平来使能。HC165 器件还具备时钟禁止（CLK INH）功能和互补串行（ΩH(overline)）输出

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