华冠dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CD4046BM/TR 编号：C7432285

封装：SOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

CD4000系列逻辑芯片 CMOS 微功耗锁相环

5+
￥1.0909
50+
￥0.8641
150+
￥0.7669
500+
￥0.6457
2500+
￥0.5917
5000+
￥0.5593

有货

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型号：LM2940IMP-5.0/TR 编号：C565359

封装：SOT-223-3L

品牌：HGSEMI(华冠)

LM2940是一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内输出1A电流的能力而漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时候，内部的降静态电流模块开始工作从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。车载运用的中2940也设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力。还有输出短路电流保护功能，过温保护和过压保护等功能。

数据手册

5+
￥1.8456
50+
￥1.4676
150+
￥1.3056
500+
￥1.1035
2500+
￥0.8866
5000+
￥0.8326

有货

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型号：74LVC1G08M7/TR 编号：C5160085

封装：SC-70-5

品牌：HGSEMI(华冠)

74LVC1G08 是一款的 2 输入与门集成电路，可实现 Y = A · B 和 Y = ¬(A + B) 的数学逻辑运算。采用先进 CMOS 工艺设计，具有低功耗和高输出驱动能力的工作特点，电源电压 VCC 在 1.65V 和 5.5V 之间芯片均可正常工作。并且 74LVC1G08 具有多种小型封装外形，可广泛应用于高端精密仪器和小型化低功耗的手持设备，以及人工智能等领域。

数据手册

10+
￥0.3208
100+
￥0.2536
300+
￥0.22
3000+
￥0.1948
6000+
￥0.1746
9000+
￥0.1645

有货

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型号：74HC02MT/TR 编号：C41415965

封装：TSSOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。工作电压范围：2.0至6.0V。低输入电流：1.0A。具有CMOS器件的高抗噪特性。符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V；机器模型200V。芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。这些是无铅器件

5+
￥0.5788
50+
￥0.454
150+
￥0.3916
500+
￥0.3448
2500+
￥0.3074
5000+
￥0.2886

有货

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型号：74HC14DMT/TR 编号：C7432326

封装：TSSOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

74系列逻辑芯片 6 路施密特倒相器

5+
￥0.6812
50+
￥0.5378
150+
￥0.4662
500+
￥0.4124
2500+
￥0.3694
5000+
￥0.3479

有货

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型号：HG74HC164MT/TR 编号：C19193512

封装：TSSOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

HG74HC164 是一款采用高速 CMOS 工艺技术设计的两线输入的 8 位寄存器。寄存器由主从 D 型触发器构成，它具有很高的抗噪型和抗干性。在时钟 CLOCK 上升沿到来时 8 位二进制数据（ $( \mathsf { Q a } \mathsf { \tilde { Q } } \mathsf { Q } )$ ）向右移一位。带有一个清 0 输入端，可以轻松实现输出数据的清零。改移位寄存器也可以根据需要实现多级芯片扩展输出。

5+
￥0.7103
50+
￥0.5615
150+
￥0.4871
500+
￥0.4313
2500+
￥0.3866
5000+
￥0.3643

有货

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型号：AT24C128BM/TR 编号：C41415960

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C128B是一款独立的I2C兼容串行EEPROM芯片，总存储阵列密度为128Kbits，由256页组成，每页64字节。支持单字节写入和页写入操作，写入时间小于5ms。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

5+
￥0.9739
50+
￥0.7647
150+
￥0.6751
500+
￥0.5632
2500+
￥0.5134
5000+
￥0.4835

有货

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型号：TLC555M/TR 编号：C383061

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

TLC555是CMOS版本555系列通用定时器，可提供产生精确的时间延迟和频率，具有非常低的功率损耗和电源电流尖峰。当芯片作为触发延时使用时，时间延时由一个单一的外部电阻和电容精确控制。在稳定模式下，振荡频率和占空比准确由两个外接电阻和一个电容器设定。

数据手册

5+
￥1.0754
50+
￥0.8223
150+
￥0.7139
500+
￥0.5785
2500+
￥0.5685
5000+
￥0.5323

有货

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型号：TLC555MM/TR 编号：C5160091

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

TLC555是CMOS版本555系列通用定时器，可提供产生精确的时间延迟和频率，具有非常低的功率损耗和电源电流尖峰。当芯片作为触发延时使用时，时间延时由一个单一的外部电阻和电容精确控制。在稳定模式下，振荡频率和占空比准确由两个外接电阻和一个电容器设定。

数据手册

5+
￥1.2033
50+
￥0.9513
150+
￥0.8433
500+
￥0.7086
3000+
￥0.6186
6000+
￥0.5825

有货

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型号：SG3525MT/TR 编号：C7432107

封装：TSSOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

PWM控制芯片芯片+5.1V基准电压精度为±1%PWM控制芯片

5+
￥0.8287
50+
￥0.7237
150+
￥0.6787
500+
￥0.6225
2500+
￥0.5975
5000+
￥0.5825

有货

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型号：ICL7660N 编号：C19193423

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

DC-DC电源管理芯片高效率、实现负电压输出的电源极性反转变换器

5+
￥1.372
50+
￥1.1056
150+
￥0.976
500+
￥0.8143
2000+
￥0.7423
4000+
￥0.699

有货

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型号：LM2940CMP-5.0/TR 编号：C2926372

封装：SOT-223

品牌：HGSEMI(华冠)

高PSRR、低压降稳压器 LM2940是一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内输出1A电流的能力而漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时候，内部的降静态电流模块开始工作从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。车载运用的中LM2940也设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力。

数据手册

5+
￥1.6846
50+
￥1.3318
150+
￥1.1806
500+
￥0.992
2500+
￥0.866
5000+
￥0.8155

有货

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型号：PCF8563MM/TR 编号：C7432358

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

时钟芯片实时时钟/日历芯片

1+
￥1.89
10+
￥1.65
30+
￥1.55
100+
￥1.43
500+
￥1.37
1000+
￥1.33

有货

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型号：LM2940CT-3.3 编号：C19193508

封装：TO-220-3

品牌：HGSEMI(华冠)

线性稳压器(LDO) 1A LDO 稳压器电路 LM2940是一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内输出1A电流的能力而漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时候，内部的降静态电流模块开始工作从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。车载运用的中LM2940也设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力。

1+
￥2.7
10+
￥2.1
50+
￥1.84
100+
￥1.51
500+
￥1.37
1000+
￥1.28

有货

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型号：LM2940T-5.0 编号：C434573

封装：TO-220

品牌：HGSEMI(华冠)

LM2940是一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内输出1A电流的能力而漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时候，内部的降静态电流模块开始工作从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。车载运用的中也设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力。还有输出短路电流保护功能，过温保护和过压保护等功能。

数据手册

1+
￥2.74
10+
￥2.14
50+
￥1.88
100+
￥1.56
500+
￥1.41
1000+
￥1.33

有货

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型号：LM2941T 编号：C512760

封装：TO-220-5

品牌：HGSEMI(华冠)

1A 低压降可调节稳压器 LM2941是一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内输出1A电流的能力而漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V 。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时候，内部的降静态电流模块开始工作从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。车载运用的中2941也设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力。

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.98
50+
￥2.43
100+
￥2.09
500+
￥1.89
1000+
￥1.78

有货

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型号：74HC02N 编号：C507193

封装：DIP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。工作电压范围：2.0至6.0V。低输入电流：1.0A。具有CMOS器件的高抗噪特性。符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V；机器模型200V。芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8466
50+
￥0.665
150+
￥0.5742
500+
￥0.5061
2000+
￥0.4516
5000+
￥0.4244

有货

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型号：SG2525MT/TR 编号：C22396906

封装：TSSOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

芯片 +5.1V 基准电压精度为 ±1%，由于基准电压值在误差放大器的输入共模范围内，因此无需外接电阻。可以工作在主从模式、也可以与外部时钟同步。通过 CT 与放电端之间的电阻可以调节死区时间。

5+
￥0.9116
50+
￥0.7961
150+
￥0.7466
500+
￥0.6848
2500+
￥0.6573
5000+
￥0.6408

有货

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型号：ICM7555MM/TR 编号：C5160092

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

ICM7555是CMOS版本555系列通用定时器。该ICM7555可提供产生精确的时间延迟和频率，具有非常低的功率损耗和电源电流尖峰。当芯片作为触发延时使用时，时间延时由一个单一的外部电阻和电容精确控制。在稳定模式下，振荡频率和占空比准确由两个外接电阻和一个电容器设定。

数据手册

5+
￥1.1508
50+
￥0.8988
150+
￥0.7908
500+
￥0.6561
3000+
￥0.5861
6000+
￥0.55

有货

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型号：ICM7555N 编号：C7432184

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

时基集成芯片 CMOS低功耗型定时器电路

5+
￥1.408
50+
￥1.1056
150+
￥0.976
500+
￥0.8143
2000+
￥0.7423
4000+
￥0.699

有货

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型号：PCF85163M/TR 编号：C20618053

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

针对低功耗进行优化的CMOS实时时钟（RTC）和日历芯片

1+
￥1.88
10+
￥1.63
30+
￥1.53
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.31

有货

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型号：MIC39372S/TR 编号：C3007943

封装：TO-263-5

品牌：HGSEMI(华冠)

一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内具备输出750mA电流的能力，漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时，内部的降静态电流模块开始工作，从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。在车载运用中，该芯片设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力，还具备输出短路电流保护功能、过温保护和过压保护等功能。

数据手册

1+
￥5.86
10+
￥4.78
30+
￥4.24
100+
￥3.71
500+
￥3.07
1000+
￥2.9

有货

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型号：LM7918CT 编号：C42400739

封装：TO-220-3

品牌：HGSEMI(华冠)

1.5A 三端负电压稳压芯片

5+
￥1.408
50+
￥1.1056
150+
￥0.976
500+
￥0.8143
2500+
￥0.7423
5000+
￥0.699

有货

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型号：TLC555N 编号：C725329

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

TLC555是CMOS版本555系列通用定时器，可提供产生精确的时间延迟和频率，具有非常低的功率损耗和电源电流尖峰。当芯片作为触发延时使用时，时间延时由一个单一的外部电阻和电容精确控制。在稳定模式下，振荡频率和占空比准确由两个外接电阻和一个电容器设定。

数据手册

5+
￥1.4676
50+
￥1.0899
150+
￥0.9603
500+
￥0.7986
2000+
￥0.7266
4000+
￥0.6833

有货

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型号：PCF8563BM/TR 编号：C5116334

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

PCF8563B是低功耗的CMOS实时时钟／日历芯片，它提供一个可编程时钟输出，一个中断输出和掉电检测器，所有的地址和数据通过I²C总线接口串行传递。最大总线速度为400Kbits/s，每次读写数据后，内嵌的字地址寄存器会自动产生增量。

数据手册

1+
￥2.32
10+
￥1.81
30+
￥1.6
100+
￥1.32
500+
￥1.2
1000+
￥1.13

有货

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型号：LM2940CT-5.0 编号：C19193457

封装：TO-220-3

品牌：HGSEMI(华冠)

线性稳压器(LDO) 1A、26V、高 PSRR、低压降稳压器 LM2940是一款高性价比的LDO芯片，在整个工作温度范围内输出1A电流的能力而漏失电压典型值在0.5V，最大漏失电压不超过1V。当输入电压和输出电压差异超过3V以上时候，内部的降静态电流模块开始工作从而降低整个电路消耗的总静态电流，使其不超过规范值。车载运用的中LM2940也设计了带有电池反接保护的功能和抗2倍电池电压跳变的能力。

1+
￥2.82
10+
￥2.22
50+
￥1.96
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：HG74HC164M/TR 编号：C19193510

封装：SOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

HG74HC164 是一款采用高速 CMOS 工艺技术设计的两线输入的 8 位寄存器。寄存器由主从 D 型触发器构成，它具有很高的抗噪型和抗干性。在时钟 CLOCK 上升沿到来时 8 位二进制数据（ $( \mathsf { Q a } \mathsf { \tilde { Q } } \mathsf { Q } )$ ）向右移一位。带有一个清 0 输入端，可以轻松实现输出数据的清零。改移位寄存器也可以根据需要实现多级芯片扩展输出。

5+
￥0.323
50+
￥0.3155
150+
￥0.3105
500+
￥0.3055

有货

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型号：CD4049UBMT/TR 编号：C7432104

封装：TSSOP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

74系列逻辑芯片 CMOS 六路反向缓冲器/转换器

5+
￥0.6161
50+
￥0.6017
150+
￥0.5921
500+
￥0.5825

有货

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型号：NE556M/TR 编号：C434479

封装：SOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

LM556/NE556 系列双片式定时电路是一种高度稳定的控制器，能够产生精确的时间延迟或振荡。LM556/NE556 是双 LM555 芯片。每个定时功能的定时由外部电阻器和电容器实现

数据手册

5+
￥1.1989
50+
￥0.9469
150+
￥0.8389
500+
￥0.7042
2500+
￥0.6111
5000+
￥0.575

有货

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型号：TL494N 编号：C398061

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

TL494 器件在单芯片上集成了构建脉冲宽度调制（PWM）控制电路所需的所有功能。该器件主要为电源控制而设计，可灵活调整电源控制电路以适应特定应用。TL494 器件包含两个误差放大器、一个片上可调振荡器、一个死区时间控制（DTC）比较器、一个脉冲导向控制触发器、一个 5V、精度为 5%的稳压器以及输出控制电路

数据手册

5+
￥1.2889
50+
￥0.995
150+
￥0.8784
500+
￥0.7328
2000+
￥0.668
5000+
￥0.6291

有货

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