低功耗稳压芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MD52A12PA1 编号：C2978516

封装：SOT-89-3L

品牌：明达微

7V耐压,0.65uA超低功耗,500mA电流输出,压差0.6mv/mA

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5+
￥0.5391
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￥0.528
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￥0.5206

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型号：ASPL7350DI-R 编号：C2758207

封装：SOT-89-3

品牌：ASDsemi(安森德)

该系列是一组采用CMOS技术实现的三端高电流低压稳压器。它们可以提供250mA的输出电流，并允许高达15V的输入电压。有几种固定输出电压可供选择，范围为2.5V至5.0V。

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￥0.5433
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￥0.2626
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型号：MD85A28PA1 编号：C2978507

封装：SOT-89-3L

品牌：明达微

1.6uA静态功耗,40V耐压,300mA输出,高瞬态响应

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1+
￥0.5796
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￥0.5669
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型号：CJ6330A30P 编号：C2829404

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

是一组采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，支持2.5V至18V的输入电压范围，在散热良好的情况下也能提供高达300mA的电流。具有超低静态电流和低压差电压，即使在输入和输出电压差非常小的情况下也能提供大输出电流。这些特性有助于现代电器满足日益严格的能源要求，并有助于延长便携式电源解决方案的电池寿命。提供具有多个输出电压点的固定电压版本可供选择，固定电压版本无需外部电阻，可使印刷电路板（PCB）尺寸最小化。还具有内置的限流和热关断功能，有助于在负载短路或故障时保护稳压器。

5+
￥0.6874
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型号：MD7218D60UA2 编号：C2978415

封装：TO-252-2L

品牌：明达微

1.6uA静态功耗、18V耐压、1A电流输出，高瞬态稳压LDO

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1+
￥0.796
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型号：MD73HA33PA1 编号：C20623210

封装：SOT-89-3L

品牌：明达微

MD73XXH 是一款采用 CMOS 工艺制造的高压、微功耗、低压差线性稳压器（LDO）。它能够提供高达 300 mA 的电流，而静态电流仅为 2.4 μA，同时具备高达 40V 的高输入电压承受能力，适用于需要较高电压电路的应用场景。

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￥0.8248
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型号：MD7680F33YA2 编号：C42377919

封装：SOT-223-3L

品牌：明达微

超高压LDO稳压芯片

5+
￥0.8427
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型号：BL8062CC3TR33 编号：C2919621

封装：SOT-89-3

品牌：BL(上海贝岭)

BL8062系列是一组正电压输出、低功耗、低压差的三端稳压器。当输入/输出电压差降至418mV（Vout = 3.3V）时，它可提供200mA的输出电流，并且还具备折返式短路保护和输出电流限制功能。BL8062极低的功耗（Iq = 3μA）可大幅延长电池的使用寿命

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型号：MD52E50QC3 编号：C2978468

封装：SOT-23-5L

品牌：明达微

7V耐压,0.65uA超低功耗，500mA电流输出，压差0.6mv/mA

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型号：MD7601A30 编号：C2978379

封装：TO-252

品牌：明达微

10uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态

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型号：MD85E36PA1 编号：C2978505

封装：SOT-89-3

品牌：明达微

1.6uA静态功耗,40V耐压,300mA输出,高瞬态响应

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型号：MD7218C18YA2 编号：C2978406

封装：SOT-223-3L

品牌：明达微

1.6uA静态功耗,18V耐压,1A电流输出,高瞬态

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￥1.2008
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型号：MD7602C12 编号：C2978384

封装：SOT-223-4

品牌：明达微

1.6uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态

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型号：ICW1261C50E8GQ1 编号：C22395380

封装：ESOP-8

品牌：ICW(艾创微)

是一款采用CMOS工艺制造的高压（最高60V）超低静态电流低压差稳压器（LDO）。它可以提供高达150mA的电流，同时仅消耗2.3μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路和一个相位补偿电路以及一个驱动晶体管组成。专为极低I₀是关键参数的应用而设计。该器件即使在压差模式下也能保持低静态电流消耗，以进一步延长电池寿命。当处于关断或禁用模式时，即使输入电压为60V，该器件消耗的I₀也小于100nA，有助于延长电池的保存期限。

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￥2.07
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型号：MD7602D12 编号：C2978478

封装：TO-252

品牌：明达微

1.6uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态稳压

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￥2.1005
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型号：ICW1238A50T2GQ1 编号：C19271480

封装：TO-252-2

品牌：ICW(艾创微)

车规级 40V耐压 LDO

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型号：ICW1235A50PGQ1 编号：C5448730

封装：SOT89-3

品牌：ICW(艾创微)

车规级 40V 耐压、低功耗、高精度 LDO 转换器 ICW1235-Q1是CMOS工艺制造的高压（高达40V）超低静态电流低压差稳压器(LDO)，可以提供高达200mA的电流而只消耗1.5μA的静态电流。 ICW1235-Q1内置一个基准电压发生器、一个误差放大器、一个电流折回电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管。该器件即使在Dropout模式下也能保持低静态电流消耗，从而进一步延长电池寿命。

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￥3.89
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型号：UCC28C42DGKR 编号：C1848485

封装：VSSOP-8-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCCx8C4x系列是高性能电流模式PWM控制器。UCCx8C4x是一种增强型BiCMOS版本，具有与业界通用UCx84xA系列和UCx84x系列PWM控制器的引脚对引脚兼容性。BiCMOS技术提供更低的功耗以提高效率，并提供更快的电流检测和振荡器频率。

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型号：LNK363PN 编号：C567625

封装：DIP-8

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitch™-XT 系列将 700 V 功率 MOSFET、振荡器、简单的开/关控制方案、高压开关电流源、频率抖动、逐周期电流限制和热关断电路集成到单个 IC 中。启动和工作电源直接从漏极引脚获取，无需偏置绕组及相关电路。

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￥5.43
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型号：MCP1701AT-3302I/MB 编号：C632010

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1701A 是一系列 CMOS 低压差正电压稳压器，能够提供高达 250 mA 的电流，而静态电流仅为 2.0 µA（典型值）。其输入工作范围最高可达 10V，非常适合锂离子电池（单节或双节）、9V 碱性电池以及其他两节和三节原电池供电的应用。MCP1701A 能够在输入 - 输出电压差（压差）为 650 mV 的情况下提供 250 mA 的电流

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型号：LNK3696P 编号：C567612

封装：DIP-8

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitch™-XT2 在单片 IC 上集成了 725 V/900 V 功率 MOSFET、振荡器、简单的开/关控制方案、高压开关电流源、频率抖动、逐周期电流限制和热关断电路。启动和工作电源直接从漏极引脚获取，无需偏置绕组和相关电路。LinkSwitch-XT2 IC 将高压功率 MOSFET 开关与电源控制器集成在一个器件中。与传统的 PWM（脉冲宽度调制器）控制器不同，LinkSwitch-XT2 IC 使用简单的开/关控制来调节输出电压。LinkSwitch-XT2 控制器由振荡器、反馈（检测和逻辑）电路、5.0 V 稳压器、旁路引脚欠压电路、过温保护、线路和输出过压保护、频率抖动、电流限制电路、前沿消隐和高压功率 MOSFET 组成。LinkSwitch-XT2 集成了用于自动重启的额外电路。

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￥7.3854 ￥11.19
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￥5.6034 ￥8.49
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￥4.9038 ￥7.43
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型号：NCP1060AD060R2G 编号：C603447

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP1060 集成了固定频率电流模式控制器和 700 V MOSFET。NCP1060 采用 PDIP?7 和 SOIC-10 封装，提供了高度集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、可调峰值电流设定点、斜坡补偿和动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片方案不同，NCP1060 具有无噪音特性：在正常负载运行期间，在某个可用频率进行开关 (65 或 100 kHz)。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入频率折回模式，在轻负载下提供卓越能效。当功率需求进一步降低时，它进入跳过模式，将待机功耗降低到无负载条件。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护，以及交流输入线路电压检测（A 版本）。安森美半导体的专属集成过功率保护 (OPP) 让您仅通过外部电阻即可充分利用提供的最高功率，而不会影响待机性能。NCP1060/NCP1063 系列可以无缝用于非隔离和隔离拓扑结构中。

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1+
￥7.46
10+
￥7.27
30+
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型号：MIC5211-LXYM6-TR 编号：C625839

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC5211是一款双路µCap 80mA线性稳压器，具有极低的压差（轻载时典型值为20mV）、极低的接地电流（输出电流为20mA时为225µA），初始精度优于3%。这款双路器件采用微型SOT - 23 - 6封装，具备独立的逻辑控制输入。µCap稳压器设计经过优化，可与低容值、低成本的陶瓷电容配合使用

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1+
￥7.71
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￥7.53
30+
￥7.4

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型号：XC9265C181MR-G 编号：C7416577

封装：SOT-25-5

品牌：TOREX(特瑞仕)

超低消耗降压PFM同步整流 DC/DC转换器

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￥10.57
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￥8.81
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￥7.85

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型号：TNY268GN 编号：C568050

封装：SMD-7P

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

TinySwitch-II在单片器件上集成了700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制和热关断电路。启动和工作电源直接从漏极（DRAIN）引脚的电压获取，无需偏置绕组和相关电路。此外，TinySwitch-II器件还集成了自动重启、线路欠压检测和频率抖动功能。创新设计在简单的开/关控制方案中最大限度地减少音频频率成分，使用标准胶带/浸漆变压器结构时可有效消除可听噪声。完全集成的自动重启电路可在输出短路或开环等故障条件下安全地限制输出功率，减少元件数量和次级反馈电路成本。可选的线路检测电阻可从外部设置线路欠压阈值，消除待机电源等应用中输入存储电容缓慢放电导致的掉电故障。132 kHz的工作频率采用抖动技术，显著降低准峰值和平均电磁干扰（EMI），降低滤波成本。

1+
￥12.21
10+
￥10.25
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￥9.03

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型号：UCC28C56HQDRQ1 编号：C20346040

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可用于在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4xQ1 的更高效、更稳健版本。UCC28C5x-Q1 系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的 SiC MOSFET 操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的 UVLO 阈值，以继续支持 Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）

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￥12.99
10+
￥12.66
30+
￥12.44

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型号：UCC28C52QDRQ1 编号：C20346030

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）。VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时还可省去外部低压差线性稳压器（LDO）。