低功耗稳压芯片_厂家_价格_品牌_库存

1.6uA静态功耗,18V耐压,1A电流输出,高瞬态

数据手册

5+
￥1.3512
50+
￥1.0658
150+
￥0.9435

有货

立即购买

型号：MD7601C50 编号：C2978492

封装：SOT-223

10uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态

数据手册

5+
￥1.5883
50+
￥1.2557
150+
￥1.1131

有货

立即购买

型号：MD7601B50 编号：C2978409

封装：SOT-223-4

10uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态

数据手册

5+
￥1.6679
50+
￥1.3186
150+
￥1.1689

有货

立即购买

型号：SGM2036-2.9YUDH4G/TR 编号：C700397

封装：UTDFN-1x1-4L

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM2036是一款低噪声、低电压、高精度、低压差线性稳压器。它能够提供300mA的输出电流，典型压差仅为165mV。工作输入电压范围为1.6V至5.5V

数据手册

5+
￥1.6911
50+
￥1.2627
150+
￥1.0791
500+
￥0.85

订货

我要订货

型号：ICW1233A33PGQ1 编号：C5448719

封装：SOT-89-3

ICW1233-Q1系列是以CMOS工艺制造的40V耐压、低功耗、高PSRR，高精度低压差线性稳压器。ICW1233-Q1系列稳压器内置固定电压基准，温度保护，限流电路，相位补偿电路以及低内阻的MOSFET，达到高纹波抑制，高精度低压差的性能。 ICW1233-Q1系列兼容体积比钽电容更小的陶瓷电容，而且不需使用0.1μF的By-pass电容，更能节省空间。

1+
￥1.83
10+
￥1.79
30+
￥1.76
100+
￥1.73

有货

立即购买

型号：ICW1235A90PGQ1 编号：C22395384

封装：SOT-89-3

ICW1235-Q1 使用CMOS工艺制造的高耐压（高达40V）、超低静态电流的低压差稳压器。可以提供高达200mA的输出电流而只消耗1.5μA的静态电流。 ICW1235-Q1 内置基准电压发生器电路、误差放大器电路、短路折返限流电路、相位补偿电路和驱动晶体管电路。

1+
￥1.83
10+
￥1.79
30+
￥1.76
100+
￥1.73

有货

立即购买

型号：ICW1235A40PGQ1 编号：C22395379

封装：SOT-89-3

ICW1235-Q1 使用CMOS 工艺制造的高耐压（高达40V）、超低静态电流的低压差稳压器。可以提供高达200mA 的输出电流而只消耗1.5μA 的静态电流。 ICW1235-Q1 内置基准电压发生器电路、误差放大器电路、短路折返限流电路、相位补偿电路和驱动晶体管电路。

1+
￥1.83
10+
￥1.79
30+
￥1.76
100+
￥1.73

有货

立即购买

型号：NCP114AMX260TCG 编号：C892023

封装：UDFN-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是 300 mA LDO，为工程师提供非常稳定、准确的低噪声电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用。为优化电池供电的便携式应用的性能，采用动态静态电流调整，在空载时具有极低的 I₀ 消耗。

数据手册

5+
￥1.8777
50+
￥1.4574
150+
￥1.2772

有货

立即购买

型号：ICW1235C33E8GQ1 编号：C5448736

封装：ESOP-8

ICW1235-Q1是CMOS工艺制造的高压（高达40V）超低静态电流低压差稳压器(LDO)，可以提供高达200mA的电流而只消耗1.5μA的静态电流。 ICW1235-Q1内置一个基准电压发生器、一个误差放大器、一个电流折回电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管。该器件即使在Dropout模式下也能保持低静态电流消耗，从而进一步延长电池寿命。

1+
￥1.88
10+
￥1.83
30+
￥1.8
100+
￥1.78

有货

立即购买

型号：MD7601A33 编号：C2978470

封装：TO-252

10uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态

数据手册

5+
￥2.0559
50+
￥1.635
150+
￥1.4546

有货

立即购买

型号：ICW1235A50PGQ1 编号：C5448730

封装：SOT89-3

车规级 40V 耐压、低功耗、高精度 LDO 转换器 ICW1235-Q1是CMOS工艺制造的高压（高达40V）超低静态电流低压差稳压器(LDO)，可以提供高达200mA的电流而只消耗1.5μA的静态电流。 ICW1235-Q1内置一个基准电压发生器、一个误差放大器、一个电流折回电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管。该器件即使在Dropout模式下也能保持低静态电流消耗，从而进一步延长电池寿命。

1+
￥3.89
10+
￥2.99
30+
￥2.61
100+
￥2.13
500+
￥1.91
1000+
￥1.78

有货

立即购买

型号：UCC38C43DR 编号：C470973

封装：SOIC-8

UCC38C43 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器

数据手册

1+
￥4.63
10+
￥3.98
30+
￥3.52

有货

立即购买

型号：UCC28C54DR 编号：C20346035

封装：SOIC-8

高性能电流模式PWM控制器，可驱动各种应用中的Si和SiCMOSFET。是UCCx8C4x的更高效、更稳健的版本。除持续支持SiMOSFET的现有UVLO阈值外，还具有可确保SiCMOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V，便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiCMOSFET的栅极，同时可无需使用外部LDO。

数据手册

1+
￥6.74
10+
￥6.57
30+
￥6.45

有货

立即购买

型号：LP2950ACZ-3.0G 编号：C903059

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

是微功耗电压调节器，专门设计用于在极低的输入输出电压差下保持适当的调节。这些器件的静态偏置电流非常低，为 75 μA，能够提供超过 100 mA 的输出电流。提供内部电流和热限制保护。LP2951 有三个附加功能

数据手册

1+
￥7.64
10+
￥6.37
30+
￥5.68

有货

立即购买

型号：TPS62134ARGTR 编号：C2876757

封装：VQFN-16-EP(3x3)

TPS62134A 适用于 Intel SkyLake 平台且具有低功耗模式输入的 17V 输入降压转换器

数据手册

1+
￥8.23
10+
￥7.5
30+
￥7.04
100+
￥6.57

有货

立即购买

型号：TNY255PN 编号：C14685

封装：DIP-8

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

开关电源IC

数据手册

1+
￥10.98
10+
￥9
30+
￥7.91

有货

立即购买

型号：TPS62003DGS 编号：C2863358

封装：VSSOP-10-0.5mm

TPS62003 采用 MSOP-10 封装的 1.2V 输出 600mA 95% 效率步降转换器

数据手册

1+
￥11.57
10+
￥11.3
30+
￥11.13

有货

立即购买

型号：UCC2813PWTR-1 编号：C2868121

封装：TSSOP-8

低功耗经济型 BiCMOS 电流模式 PWM 8-TSSOP -40 to 85

数据手册

1+
￥12.01
10+
￥11.7
30+
￥11.5
100+
￥11.29

有货

立即购买

型号：UCC2813QDR-3Q1 编号：C2657964

封装：SOIC-8

UCC2813-x-Q1系列高速、低功耗集成电路包含离线式和直流到直流固定频率电流模式开关电源所需的所有控制和驱动组件，且所需元件数量最少。这些器件与UC284x系列器件引脚配置相同，还具备内部全周期软启动和电流检测输入内部前沿消隐等附加特性。UCC2813-x-Q1系列提供多种封装选项、最大占空比选择以及关键电压电平选择。像UCC2813-3-Q1和UCC2813-5-Q1这类参考电压较低的器件最适合用于电池供电系统，而UCC2813-2-Q1和UCC2813-4-Q1器件较高的参考电压和较高的欠压锁定（UVLO）迟滞使其成为离线式电源的理想选择。UCC2813-x-Q1系列器件的工作温度范围为-40℃至125℃。

数据手册

1+
￥14.21
10+
￥12.56
30+
￥11.39
100+
￥10.32

有货

立即购买

型号：UCC28C44QDRQ1 编号：C2866195

封装：SOIC-8

汽车类 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器 8-SOIC -40 to 125

数据手册

1+
￥14.43
10+
￥14.07
30+
￥13.83

有货

立即购买

型号：LT3060IDC#TRPBF 编号：C670002

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

45V VIN、微功率、低噪声、100mA 低压差线性稳压器

数据手册

1+
￥14.91
10+
￥14.55
30+
￥14.3

有货

立即购买

型号：UCC2804QDRQ1 编号：C2865835

封装：SOIC-8

汽车类低功率 BiCMOS 电流模式 PWM 8-SOIC -40 to 125

数据手册

1+
￥14.97
10+
￥14.62
30+
￥14.38

有货

立即购买

型号：UCC28C51QDRQ1 编号：C20346027

封装：SOIC-8

UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）。VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时还可省去外部低压差线性稳压器（LDO）。

1+
￥16.9
10+
￥14.2
30+
￥12.52
100+
￥10.79

有货

立即购买

型号：UCC3813PWTR-5 编号：C544333

封装：TSSOP-8

UCC3813-5 低功耗经济型 BiCMOS 电流模式 PWM

数据手册

1+
￥18.59
10+
￥15.59
30+
￥13.72

有货

立即购买

型号：UCC3808DTR-2 编号：C2658506

封装：SOIC-8