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MAATCC0008

型号：MAATCC0008 编号：C7460411

封装：SOIC-16

M/A-COM的MAATCC0008是一款GaAs FET 4位数字衰减器，最小步进为1.0 dB，总衰减范围为15 dB。该器件采用SOIC-16塑料表面贴装封装。MAATCC0008非常适合要求高精度、快速响应、低功耗和低成本的应用。典型应用包括精密接收电路中的动态范围设置和其他增益/电平控制电路。

1+
￥116.25
200+
￥46.39
500+
￥44.84
1000+
￥44.07

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MAAD-007082-000100

型号：MAAD-007082-000100 编号：C5669089

封装：PowerVFQFN-32

MACOM的MAAD-007082-000100是一款GaAs FET 6位数字衰减器，内置TTL驱动器。步进大小为1 dB，提供50 dB的总衰减范围。该设备采用PQFN塑料表面贴装封装，适用于要求精度高、速度快、功耗低和成本低的应用。

1+
￥117.94
200+
￥47.06
500+
￥45.49
1000+
￥44.71

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MAATCC0006TR

型号：MAATCC0006TR 编号：C20344182

封装：-

MAATCC0006 是一款GaAs FET 4位数字衰减器，具有2 dB最小步进和30 dB总衰减范围。该器件采用SOIC-16塑料表面贴装封装。

1+
￥118.76
200+
￥47.39
500+
￥45.8
1000+
￥45.02

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MAATCC0006

型号：MAATCC0006 编号：C7453974

封装：SOIC-16

MAATCC0006 是一款基于 GaAs FET 的 4 位数字衰减器，最小步长为 2 dB，总衰减范围为 30 dB。该器件采用 SOIC-16 塑料表面贴装封装。适用于需要高精度、快速响应和低功耗的应用，如精密接收电路中的动态范围设置和其他增益/电平控制电路。

1+
￥131.44
200+
￥52.45
500+
￥50.7
1000+
￥49.83

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MAATCC0011

型号：MAATCC0011 编号：C6659086

封装：PowerVFQFN-32

MAATCC0011 是一款 GaAs FET 6 位数字衰减器，具有集成的 TTL 驱动器。步进为 0.5 dB，提供 31.5 dB 的总衰减范围。该设备适用于需要高精度、快速速度、非常低的功耗和低成本的应用。

1+
￥131.52
200+
￥52.48
500+
￥50.73
1000+
￥49.86

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MAAD-007077-000100

型号：MAAD-007077-000100 编号：C6586749

封装：PowerVFQFN-32

M/A-COM的MAAD-007077-000100是一款GaAs FET 4位数字衰减器，内置驱动器。步进为1 dB，提供15 dB的衰减范围。该设备采用PQFN塑料表面贴装封装，适用于单电源应用，要求精度高、速度快、功耗低、成本低。

1+
￥133.22
200+
￥53.16
500+
￥51.38
1000+
￥50.51

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MAAD-007079-000100

型号：MAAD-007079-000100 编号：C6294086

封装：PowerVFQFN-32

MACOM的MAAD-007079-000100是一款GaAs FET 4位数字衰减器，内置驱动器。步进大小为2 dB，提供30 dB的衰减范围。适用于单电源应用，要求精度高、速度快、功耗低和成本低。

1+
￥133.22
200+
￥53.16
500+
￥51.38
1000+
￥50.51

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MAATCC0007TR

型号：MAATCC0007TR 编号：C20344183

封装：-

1+
￥148.27
200+
￥59.16
500+
￥57.19
1000+
￥56.21

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MAAD-009170-000100

型号：MAAD-009170-000100 编号：C6659024

封装：PowerVFQFN-32

MAAD-009170 是一款GaAs pHEMT 5位数字衰减器，具有集成的TTL驱动器，封装为PQFN塑料表面贴装。步长为0.5 dB，提供15.5 dB的总衰减范围。设计优化以最小化衰减范围内的相位变化。

1+
￥166.88
200+
￥66.59
500+
￥64.36
1000+
￥63.26

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MAAD-007086-000100

型号：MAAD-007086-000100 编号：C7454470

封装：SOIC-24-300mil

MACOM的MAAD-007086-000100是一款GaAs FET 6位数字衰减器，最小步长为1 dB，总衰减范围为50 dB。该器件采用宽体塑料表面贴装封装，适用于要求精度高、速度快、功耗低和成本低的应用。

1+
￥192.91
200+
￥76.98
500+
￥74.4
1000+
￥73.13

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MAATCC0007

型号：MAATCC0007 编号：C7457778

封装：SOIC-16-300mil

MAATCC0007 是一款 GaAs FET 5 位数字衰减器，具有集成的 TTL 驱动器。步进大小为 1.0 dB，提供 31 dB 的总衰减范围。该设备采用 SOw-16 塑料表面贴装封装。适用于要求精度高、速度快、功耗低和成本低的应用。

1+
￥193.23
200+
￥77.1
500+
￥74.53
1000+
￥73.25

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MAATCC0005TR

型号：MAATCC0005TR 编号：C20344181

封装：-

MACOM的MAATCC0005是一款GaAs FET 6位数字衰减器，最小步进为0.5 dB，总衰减范围为31.5 dB。该设备采用SOIC-24宽体塑料表面贴装封装，适用于要求高精度、快速响应、低功耗和低成本的应用。

1+
￥201.25
200+
￥80.3
500+
￥77.62
1000+
￥76.29

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MAATCC0005

型号：MAATCC0005 编号：C7459771

封装：SOIC-24-300mil

M/A-COM的MAATCC0005是一款GaAs FET 6位数字衰减器，最小步长为0.5 dB，总衰减范围为31.5 dB。该设备采用SOIC-24宽体塑料表面贴装封装。MAATCC0005适用于需要高精度、快速响应、低功耗和低成本的应用。

1+
￥214.7
200+
￥85.67
500+
￥82.81
1000+
￥81.39

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20GHz固定射频衰减器

型号：MAT10090 编号：C6293795

封装：-

这些固定衰减器芯片采用先进的薄金属化和光刻技术制造。

1+
￥228.94
200+
￥91.35
500+
￥88.3
1000+
￥86.79

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MAAV-007090-000100

型号：MAAV-007090-000100 编号：C19527696

封装：-

M/A-COM的MAAV-007090-000100是一款基于PIN二极管的电压可变衰减器。该器件采用SOW-16宽体塑料表面贴装封装。这些衰减器具有线性工作功率和输入截断点水平，比GaAs FET MMIC电压可变衰减器高出15-20 dB。它们非常适合用于需要低失真、高线性工作功率和高动态范围的应用。这些器件针对PCS频段进行了优化，但在整个指定频率范围内表现出色。

1+
￥252.67
200+
￥100.82
500+
￥97.45
1000+
￥95.79

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MAAD-010500-000100

型号：MAAD-010500-000100 编号：C20344103

封装：-

1+
￥272.71
200+
￥108.81
500+
￥105.18
1000+
￥103.38

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MAT10250

型号：MAT10250 编号：C6898726

封装：-

1+
￥277.56
200+
￥110.75
500+
￥107.05
1000+
￥105.22

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MAAV-007088-0001TR

型号：MAAV-007088-0001TR 编号：C20344185

封装：-

基于PIN二极管设计的π型衰减器，封装在低成本的16引脚宽体塑料SMT封装中。该设计适用于低失真或高线性操作功率的应用，适用于多通道数字通信系统中的增益控制。

1+
￥340.76
200+
￥135.97
500+
￥131.42
1000+
￥129.18

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MAAD-011021-TR0500

型号：MAAD-011021-TR0500 编号：C5758976

封装：VFQFN-16-EP

覆盖0到30 GHz的6位数字衰减器，衰减步进为0.5 dB LSB，总衰减范围为31.5 dB。

1+
￥414.47
200+
￥165.38
500+
￥159.85
1000+
￥157.12

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PE43508A-V

型号：PE43508A-V 编号：C2654162

封装：-

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE43508是一款50Ω，基于HaRP技术的6位RF数字步进衰减器(DSA)，支持9kHz至55GHz的宽频带。该器件具有无毛刺的安全衰减状态过渡特性，支持1.8V控制电压和可选的Vss_ext旁路模式以提高杂散性能，适用于测试与测量、点对点通信系统和非常小的孔径终端(VSAT)。

数据手册

1+
￥450.57
250+
￥174.37
500+
￥168.24
1000+
￥165.21

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MAAD-011021-0GPDIE

型号：MAAD-011021-0GPDIE 编号：C20344104

封装：-

MAAD-011021是一款覆盖DC到30 GHz的6位数字衰减器。衰减位值为0.5 dB LSB，总衰减范围为31.5 dB。衰减误差通常小于±0.5 dB，20 GHz时的RMS相位误差小于5度，15 GHz时的典型插入损耗为7.2 dB。

1+
￥459.86
200+
￥183.49
500+
￥177.36
1000+
￥174.33

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基于PIN二极管的50-1000MHz可变衰减器

型号：MAAV-007088-000100 编号：C7456545

封装：SOIC-16-300mil

基于PIN二极管的π型可变衰减器，封装在低成本的16引脚宽体塑料SMT封装中。PIN二极管设计使该部件适用于要求低失真或高线性操作功率的应用。这些衰减器非常适合多通道数字通信系统的增益控制。

1+
￥488.42
200+
￥194.88
500+
￥188.37
1000+
￥185.15

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5-2000 MHz电压控制衰减器模块

型号：G1 编号：C6048265

封装：TO-8

G1衰减器是一种离散混合设计，使用薄膜制造工艺确保精确性能和高可靠性。该设计使用三个PIN二极管提供宽带频率范围内的非线性衰减响应。

1+
￥612.88
200+
￥244.55
500+
￥236.37
1000+
￥232.34

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1-60dB精密射频衰减器

型号：ATT-0219-20-NNN-02 编号：C1525924

封装：-

品牌：belfuse

高精度射频衰减器，适用于DC到18GHz的频率范围，提供1到60dB的衰减值

数据手册

1+
￥791.1
200+
￥306.15
500+
￥295.39
1000+
￥290.07

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MAAD-011035-TR0500

型号：MAAD-011035-TR0500 编号：C5758978

封装：VFQFN-24-EP

MAAD-011035 是一款宽频带 5 位 1 dB 步进 GaAs pHEMT MMIC 数字衰减器，采用无铅 4 mm 24 引脚 PQFN 表面贴装塑料封装。该器件适用于需要高精度、极低功耗和低互调产物的应用。

1+
￥792.44
200+
￥316.19
500+
￥305.63
1000+
￥300.41

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高性能SMA连接器RF衰减器

型号：ATT-0290-03-HEX-02 编号：C1525865

封装：-

品牌：belfuse

高性能SMA连接器RF衰减器，适用于DC-18.0GHz频率范围，具有高精度和宽温度范围。

数据手册

1+
￥802.26
200+
￥310.47
500+
￥299.56
1000+
￥294.16

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MAAD-009194-000100

型号：MAAD-009194-000100 编号：C5669092

封装：-

MAAD-009194-000100 是一款 GaAs FET 5 位数字衰减器，具有 1 dB 的最小步进和 31 dB 的总衰减。设计优化以最小化衰减范围内的相位变化。该衰减器和集成的 TTL 驱动器封装在密封陶瓷 16 引脚表面贴装封装中。

1+
￥867.7
200+
￥346.22
500+
￥334.65
1000+
￥328.94

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MAAD-011036-TR0500

型号：MAAD-011036-TR0500 编号：C20344107

封装：-

MAAD-011036 是一款宽带6位、0.5 dB步进的单片微波集成电路(MMIC)数字衰减器，采用无铅4 mm 24引脚PQFN表面贴装塑料封装。该设备适用于高精度、非常低的功耗和低互调失真产品。

1+
￥871.65
200+
￥347.8
500+
￥336.17
1000+
￥330.43

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5-2000 MHz电压控制衰减器模块

型号：SMG1 编号：C6817873

封装：SMD-4P

G1衰减器是一种离散混合设计，使用薄膜制造工艺确保精确性能和高可靠性。该设计使用三个PIN二极管提供宽带频率范围内的非线性衰减响应。

1+
￥914.13
200+
￥364.75
500+
￥352.56
900+
￥346.54

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SMA超小型高性能RF衰减器

型号：ATT-0275-10-SMA-02 编号：C1558075

封装：SMA

品牌：belfuse

SMA超小型高性能固定同轴衰减器，具有10dB的衰减值，适用于DC到18GHz的频率范围。小巧轻便，不锈钢结构，提供多种连接器组合。

数据手册

1+
￥969.35
200+
￥375.13
500+
￥361.95
1000+
￥355.43

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