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宽带双向1位GaAs(pHEMT)数字步进衰减器,10 dB步进大小。互补0V和-5V逻辑输入用于改变衰减器状态。
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  • MAAD-011053-DIE 是一款宽带双向1位GaAs(pHEMT)数字步进衰减器,具有2dB的衰减步长。提供低插入损耗(1dB),50Ω阻抗,裸芯片封装。
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  • MAAD-011055-DIE 是一种宽带双向 1 位 GaAs(pHEMT) 数字步进衰减器,具有 6 dB 的衰减值。
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  • MAAD-011054-DIE 是一款宽带双向1位GaAs(pHEMT)数字步进衰减器,具有4dB的步进大小。它支持从DC到30GHz的频率范围,插入损耗低至1.2dB,阻抗为50Ω。
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  • 宽带双向1位GaAs(pHEMT)数字步进衰减器,8dB步进大小,低插入损耗1.3dB,50Ω阻抗,裸芯片封装
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  • MACOM 的 MAAD-008790-000100 是一款 GaAs pHEMT 5 位数字衰减器,带有集成的 TTL 驱动器。该衰减器设计用于最小化衰减过程中的相位变化,步进大小为 1.0 dB,提供 31.0 dB 的总衰减值。该设备采用 PQFN 塑料表面贴装封装。
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  • MAAT-010521-L1是一款具有模拟控制功能的电压可调衰减器,衰减范围超过30 dB。在整个衰减范围内保持良好的线性度。衰减级别由两个控制电压(0到-2V)设置。该器件采用无铅3 mm 16引脚PQFN塑料封装。
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  • M/A-COM的MAADCC0006是一款GaAs FET 4位数字衰减器,内置驱动器。步进大小为1 dB,提供15 dB的衰减范围。该设备采用PQFN塑料表面贴装封装。适用于需要高精度、快速响应、低功耗和低成本的应用。
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  • M/A-COM的MAADCC0006是一款GaAs FET 4位数字衰减器,内置驱动器。步进大小为1 dB,提供15 dB的衰减范围。该设备采用PQFN塑料表面贴装封装。适用于需要高精度、快速响应、低功耗和低成本的应用。
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  • M/A-COM 的 MAATCC0010 是一款 GaAs FET 5 位数字衰减器,具有集成的 TTL 驱动器。步进大小为 1.0 dB,提供 31 dB 总衰减范围。该设备采用 PQFN 塑料表面贴装封装。MAATCC0010 非常适合用于需要高精度、快速速度、非常低的功耗和低成本的应用。
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  • 这些固定衰减器芯片采用先进的薄金属化和光刻技术制造。
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      ¥72.31
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  • M/A-COM的MAATSS0021是一款5位、0.5 dB步进的GaAs MMIC数字衰减器,采用无铅SOIC-16表面贴装塑料封装。该产品适用于高精度、快速切换、非常低的功耗和低互调产物等要求的应用。
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  • PE43713是一款50Ω,7位RF数字步进衰减器(DSA),支持控制电压,并具有扩展的工作温度范围至+105°C和可选的Vss_ext旁路。PE43713是PE43703的引脚兼容升级版本。
    数据手册
    • 1+

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  • MAATCC0009 是一款GaAs FET 6位数字衰减器,内置TTL驱动器。步进为0.5 dB,提供31.5 dB的总衰减范围。
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  • M/A-COM 的 MAATCC0010 是一款 GaAs FET 5 位数字衰减器,具有集成的 TTL 驱动器。步进大小为 1.0 dB,提供 31 dB 总衰减范围。该设备采用 PQFN 塑料表面贴装封装。MAATCC0010 非常适合用于需要高精度、快速速度、非常低的功耗和低成本的应用。
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  • M/A-COM的MAATCC0014是一款GaAs FET 5位数字衰减器,内置TTL驱动。步进大小为0.5 dB,提供15.5 dB的总衰减范围。该设备采用PQFN塑料表面贴装封装,适用于要求高精度、快速响应、低功耗和低成本的应用。
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  • 4位1 dB步进GaAs MMIC数字衰减器,采用无铅3 mm 16引脚PQFN表面贴装塑料封装。适用于高精度、低功耗和低互调产物的应用。
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  • M/A-COM的MAATCC0013是一种集成的电压可变衰减器,包含两个PIN二极管和一个无源玻璃四象限混合电路。该设备封装在5引脚SOT-25塑料表面贴装封装中。
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  • 5位1dB步进GaAs MMIC数字衰减器,适用于高精度、低功耗和低互调产物的应用场景。
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