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首页 > 热门关键词 > RF混频器
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GaAs MMIC次谐波混频器芯片，17 - 25 GHz
型号：HMC337-SX 编号：C605661
封装：-
品牌：ADI(亚德诺)
HMC337芯片是一种次谐波泵浦（x2）混频器，集成了LO放大器，可用作上变频器或下变频器。该芯片采用GaAs PHEMT技术，芯片面积为1.28mm²。2LO到RF的隔离度非常好，无需额外滤波。LO放大器为单偏置（+3V至+4V）两阶段设计，仅需-5 dBm标称驱动要求。
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    20 GHz至42 GHz，宽带I/Q混频器
    型号：HMC8192LGTR 编号：C662756
    封装：LGA-25(4x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC8192LGTR是一款被动、宽带、I/Q单片微波集成电路(MMIC)混频器，可作为接收器的镜像抑制混频器或发射器的单边带上变频器。其RF和LO范围为20 GHz到42 GHz，IF带宽为dc到5 GHz。
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    GaAs MMIC混频器，15 - 36 GHz
    型号：HMC1106 编号：C605669
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC1106 是一个双平衡混频器，可用作下变频器，IF端口的频率范围为DC到24 GHz，LO端口的频率范围为20到50 GHz，RF端口的频率范围为15到36 GHz。这个无源MMIC混频器采用GaAs肖特基二极管技术制造。所有焊盘和芯片背面均为Ti/Au金属化，肖特基器件完全钝化，以确保可靠运行。
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    7 GHz至34 GHz、MMIC、双平衡混频器
    型号：HMC774ALC3BTR 编号：C662386
    封装：QFN-12-EP(3x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC774ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚、符合RoHS标准的表面贴装封装。该混频器可在7 GHz至34 GHz范围内用作上变频器或下变频器，无需外部组件或匹配电路。它提供了出色的LO到RF隔离和LO到IF隔离。
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    6 GHz至26.5 GHz、宽带I/Q混频器
    型号：HMC8191LC4TR-R5 编号：C662361
    封装：QFN-24-EP(4X4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    被动式宽带I/Q混频器，具有出色的LO到RF和LO到IF隔离，减少了LO泄漏的影响，确保信号完整性。
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    GaAs MMIC混频器，50 - 75 GHz
    型号：HMC1081 编号：C605677
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC1081是一款双平衡混频器，可以用作上变频器或下变频器，具有从DC到26GHz的IF端口和从50到75GHz的RF端口。这款无源MMIC混频器采用GaAs肖特基二极管技术制造。
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    6 GHz 至 14 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器
    型号：HMC553AG-SX 编号：C706717
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC553ACHIPS 是一种通用的双平衡混频器，可以作为上变频器或下变频器在6 GHz到14 GHz之间工作。该混频器采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，无需外部组件或匹配电路。
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    GaAs MMIC基波混频器，7 - 43 GHz
    型号：HMC774A 编号：C605690
    封装：SMD
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC774A是一款通用的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），双平衡混频器芯片，可用作上变频器或下变频器，工作频率范围为7 GHz至40 GHz。

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    5.9 GHz至23.6 GHz、宽带微波上变频器
    型号：ADRF6780ACPZN-R7 编号：C659649
    封装：LFCSP-32(5x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
    5.9GHz至23.6GHz、宽带微波上变频器
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    5.9 GHz至23.6 GHz、宽带微波上变频器
    型号：ADRF6780ACPZN 编号：C659648
    封装：LFCSP-32(5x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
    5.9GHz至23.6GHz、宽带微波上变频器
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    DBL-BAL混频器芯片，70 - 90 GHz
    型号：HMC-MDB277 编号：C605709
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC-MDB277 是一款无源双平衡MMIC混频器，利用GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Shottky二极管技术，可在上变频和下变频中使用。
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    71 - 86 GHz次谐波混频器
    型号：HMC1058-SX 编号：C605746
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC1058-SX是一款次谐波泵浦的MMIC混频器，可作为上变频器或下变频器使用，IF端口的频率范围为DC到12 GHz，RF端口的频率范围为71到86 GHz。这款无源MMIC混频器采用GaAs肖特基二极管技术制造。
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    GaAs MMIC基波混频器，3 - 11 GHz
    型号：HMC787AG-SX 编号：C7456381
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC787A是一款通用的双平衡混频器，封装在12端子的无铅陶瓷芯片载体（LCC）中，可在3 GHz到10 GHz的频率范围内作为上变频器或下变频器使用。该混频器具有优异的本地振荡器（LO）到射频（RF）和LO到中频（IF）隔离性能，优化的巴伦结构使其在17 dBm的LO驱动电平下工作。

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    GaAs MMIC I/Q接收机芯片，17 - 21 GHz
    型号：HMC570-SX 编号：C605747
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    GaAsMMICI/Q接收机芯片，17-21GHz

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    6 GHz至26.5 GHz、宽带I/Q混频器
    型号：HMC8191LC4TR 编号：C662316
    封装：QFN-24-EP(4x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    被动式宽带I/Q混频器，具有出色的LO到RF和LO到IF隔离，减少了LO泄漏的影响，确保信号完整性。
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    24 GHz至44 GHz、宽带、微波下变频器
    型号：ADMV1014ACCZ-R7 编号：C658588
    封装：LGA-32(5x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADMV1014 是一款硅锗 (SiGe) 宽带微波下变频器，适用于点对点微波无线电设计，工作频率范围为 24 GHz 至 44 GHz。该下变频器提供两种频率转换模式：直接从 RF 转换到基带 I/Q 和抑制镜像的下变频到复中频。
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      ￥1791.936
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    24 GHz至44 GHz、宽带、微波下变频器
    型号：ADMV1014ACCZ 编号：C579226
    封装：LGA-32(5x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADMV1014 是一款硅锗 (SiGe) 宽带微波下变频器，适用于点对点微波无线电设计，工作频率范围为 24 GHz 至 44 GHz。该下变频器提供两种频率转换模式：直接从 RF 转换到基带 I/Q 和抑制镜像的下变频到复中频。
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    24 GHz至44 GHz、宽带微波上变频器
    型号：ADMV1013ACCZ 编号：C579224
    封装：LGA-40(6x6)
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADMV1013是一款宽带微波上变频器，工作射频范围为24GHz至44GHz，提供典型值优于26dBc的无用边带抑制。可以通过SPI调整正交相位和混频器栅极电压，以实现最佳边带抑制和本振(LO)调零性能。
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      ￥1910.72

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    24 GHz至44 GHz、宽带微波上变频器
    型号：ADMV1013ACCZ-R7 编号：C658587
    封装：LGA-40(6x6)
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADMV1013是一款宽带微波上变频器，工作射频范围为24GHz至44GHz，提供典型值优于26dBc的无用边带抑制。可以通过SPI调整正交相位和混频器栅极电压，以实现最佳边带抑制和本振(LO)调零性能。
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    5.9 GHz至23.6 GHz、宽带微波上变频器
    型号：ADRF6780ACPZN-R2 编号：C7452454
    封装：LFCSP-32-WQ(5x5)
    品牌：ADI(亚德诺)

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    GaAs MMIC次谐波混频器，37 - 46.5 GHz
    型号：HMC1093-SX 编号：C605764
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC1093-SX芯片是一款亚谐波混频器，适用于37到46.5GHz的RF端口和DC到7.5GHz的IF端口。它采用GaAs PHEMT技术，提供出色的4LO到RF隔离（20dB），消除了对额外滤波的需求。LO放大器是一个单偏置（+3V）两阶段设计，仅需-1 dBm的LO功率。RF和LO端口被DC阻断并匹配到50欧姆，便于使用。
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    GaAs MMIC混频器，15 - 36 GHz
    型号：HMC1106-SX 编号：C605773
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC1106-SX 是一个双平衡混频器，可用作下变频器，IF端口的频率范围为DC到24 GHz，LO端口的频率范围为20到50 GHz，RF端口的频率范围为15到36 GHz。这个无源MMIC混频器采用GaAs肖特基二极管技术制造。所有焊盘和芯片背面均为Ti/Au金属化，肖特基器件完全钝化，以确保可靠运行。
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    6 GHz至26.5 GHz、宽带I/Q混频器
    型号：HMC8191-SX 编号：C3190699
    封装：Die
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC8191CHIPS是一款无源、宽带、I/Q单片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器操作的镜像抑制混频器或发射器操作的单边带上变频器。其RF和LO频率范围为6 GHz至26.5 GHz，IF带宽为dc至5 GHz。

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      ￥2105.75

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    GaAs MMIC混频器，50 - 75 GHz
    型号：HMC1081-SX 编号：C605790
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC1081-SX是一款双平衡混频器，可以用作上变频器或下变频器，具有从DC到26GHz的IF端口和从50到75GHz的RF端口。这款无源MMIC混频器采用GaAs肖特基二极管技术制造。
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      ￥2408.38

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    次谐波混频器，采用SMT封装，20 - 30 GHz
    型号：HMC264LM3TR 编号：C661753
    封装：TQFN-6-EP(5.1x5.1)
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC264LM3是一款20-30 GHz表面贴装次谐波混频器，具有集成的LO放大器，采用无引脚芯片载体封装。2LO到RF的隔离度非常出色，达到25-35 dB，无需额外的滤波器。LO放大器是一个单偏置（+3V至+4V）两阶段设计，仅需-4 dBm驱动要求。
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    次谐波混频器，采用SMT封装，20 - 30 GHz
    型号：HMC264LM3 编号：C605822
    封装：TQFN-6-EP(5.1x5.1)
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC264LM3是一款20-30 GHz表面贴装次谐波混频器，具有集成的LO放大器，采用无引脚芯片载体封装。2LO到RF的隔离度非常出色，达到25-35 dB，无需额外的滤波器。LO放大器是一个单偏置（+3V至+4V）两阶段设计，仅需-4 dBm驱动要求。

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    GaAs MMIC基波混频器，6 - 26 GHz
    型号：HMC773A-SX 编号：C605829
    封装：SMD
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC773A 是一款通用双平衡混频器，可用作上变频器或下变频器，频率范围为6 GHz至26 GHz。该混频器无需外部组件，具有优异的LO到RF和LO到IF抑制性能。
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    GaAs MMIC基波混频器，7 - 43 GHz
    型号：HMC774A-SX 编号：C605832
    封装：SMD
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC774A-SX是一款通用的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），双平衡混频器芯片，可用作上变频器或下变频器，工作频率范围为7 GHz至40 GHz。
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    71 GHz至76 GHz，E频段I/Q上变频器
    型号：HMC8118-SX 编号：C605835
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    71GHz至76GHz，E频段I/Q上变频器
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    TFF1025HN/N1115
    型号：TFF1025HN/N1115 编号：C5797084
    封装：-
    品牌：NXP(恩智浦)
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