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首页 > 热门关键词 > RF混频器
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GaAsMMICI/Q接收机芯片,21-25GHz
  • 1+

    ¥824.68
  • 200+

    ¥319.14
  • 500+

    ¥307.93
  • 1000+

    ¥302.39
  • 订货
  • HMC525ACHIPS是一款紧凑型砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC),I/Q混频器。该设备可以用作图像抑制混频器或单边带上变频器。混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合电路。
    • 1+

      ¥830.62
    • 200+

      ¥321.44
    • 500+

      ¥310.15
    • 1000+

      ¥304.56
  • 订货
  • HMC260ALC3B 是一种通用的双平衡混频器,封装在无引脚、无铅、符合RoHS标准的陶瓷LCC封装中。该设备可用作上变频器或下变频器,工作频率范围为10 GHz至26 GHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥842.39
    • 200+

      ¥326
    • 500+

      ¥314.54
    • 1000+

      ¥308.88
  • 订货
  • HMC773A 是一款通用双平衡混频器,可用作上变频器或下变频器,频率范围为6 GHz至26 GHz。该混频器无需外部组件,具有优异的LO到RF和LO到IF抑制性能。
    • 1+

      ¥877.21
    • 200+

      ¥339.47
    • 500+

      ¥327.54
    • 1000+

      ¥321.65
  • 订货
  • GaAsMMICI/Q下变频器,10-16GHz
    数据手册
    • 1+

      ¥905.38
    • 200+

      ¥350.37
    • 500+

      ¥338.06
    • 1000+

      ¥331.98
  • 订货
  • HMC-MDB171 是一款单片 I/Q 混频器,可以用作图像抑制混频器或单边带上变频器。这款无源 MMIC 混频器采用 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 和肖特基二极管技术制造。对于下变频应用,可以使用外部正交 I/Q 混频器来选择所需的边带并抑制镜像信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥906.67
    • 200+

      ¥350.87
    • 500+

      ¥338.54
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      ¥332.45
  • 订货
  • 高集成度的双平衡有源混频器,集成了分数N合成器,适用于下一代K波段卫星通信
    • 单价:

      ¥422.554 / 个
    HMC560A-SX 是一种砷化镓 (GaAs) 微波单片集成电路 (MMIC),双平衡混频器,可用作上变频器或下变频器,工作频率范围为 24 GHz 至 38 GHz。该混频器具有高本地振荡器 (LO) 到射频 (RF) 和 LO 到中频 (IF) 抑制能力,分别为 40 dB 和 44 dB。
    数据手册
    • 1+

      ¥914.76
    • 200+

      ¥354
    • 500+

      ¥341.56
    • 1000+

      ¥335.42
  • 订货
  • HMC292ALC3B是一款通用型双平衡混频器,封装在无铅、RoHS合规的12引脚陶瓷LCC封装中,无需直流偏置。它可以在14 GHz到30 GHz的频率范围内作为上变频器或下变频器使用,具有宽中频带宽(dc到8 GHz)。
    数据手册
    • 1+

      ¥914.95
    • 200+

      ¥354.08
    • 500+

      ¥341.64
    • 1000+

      ¥335.49
  • 订货
  • AD6634是一款多模式4通道数字接收信号处理器,能够处理多达两个WCDMA信道。每个信道由四个级联信号处理单元组成:频率转换器、两个固定系数降采样滤波器和一个可编程系数降采样滤波器。该芯片支持多种时钟输入和输出配置,具有灵活的接口,适用于各种数字化仪。提供3.3V I/O和2.5V CMOS核心供电。具备内置自测试(BIST)功能和JTAG边界扫描功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥917.02
    • 200+

      ¥354.88
    • 500+

      ¥342.41
    • 1000+

      ¥336.24
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  • 5.5GHz到8.6GHz,GaAs,MMIC,I/Q升频器
    数据手册
    • 1+

      ¥923.07
    • 200+

      ¥357.22
    • 500+

      ¥344.67
    • 1000+

      ¥338.46
  • 订货
  • HMC815B是一款紧凑型砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)单片微波集成电路(MMIC)上变频器,工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该设备提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制。HMC815B采用4.90 mm × 4.90 mm、32引脚陶瓷LCC封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥924.27
    • 200+

      ¥357.68
    • 500+

      ¥345.11
    • 1000+

      ¥338.9
  • 订货
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      ¥928.69
    • 200+

      ¥370.56
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      ¥358.17
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      ¥352.06
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  • GaAsMMICI/Q上变频器,37-40GHz
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      ¥935.4
    • 200+

      ¥361.99
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      ¥349.27
    • 1000+

      ¥342.98
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  • 12.7GHz至15.4GHz、GaAs、MMIC、上边带、差分上变频器
    数据手册
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      ¥955.24
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      ¥369.67
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      ¥356.68
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      ¥350.26
  • 订货
  • 12.6GHz至15.4GHz、GaAs、MMIC、I/Q降频器
    数据手册
    • 1+

      ¥955.24
    • 200+

      ¥369.67
    • 500+

      ¥356.68
    • 1000+

      ¥350.26
  • 订货
  • HMC1058是一款次谐波泵浦的MMIC混频器,可作为上变频器或下变频器使用,IF端口的频率范围为DC到12 GHz,RF端口的频率范围为71到86 GHz。这款无源MMIC混频器采用GaAs肖特基二极管技术制造。
    数据手册
    • 1+

      ¥957.14
    • 200+

      ¥370.4
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      ¥357.39
    • 1000+

      ¥350.96
  • 订货
  • 被动I/Q混频器,RF和LO范围为2.5 GHz至8.5 GHz,宽IF范围为DC至4 GHz,单端RF、LO和IF,转换损耗(下变频)为9 dB(典型值),图像抑制(下变频)为25 dBc(典型值),单边带噪声系数(下变频)为11.5 dB(典型值),输入IP3(下变频)为20 dBm(典型值),输入P1dB压缩点(下变频)为13 dBm(典型值),输入IP2(下变频)为58 dBm(典型值),RF到IF隔离(下变频)为22 dB(典型值),LO到RF隔离(下变频)为48 dB(典型值),LO到IF隔离(下变频)为38 dB(典型值),幅度平衡(下变频)为±0.5 dB(典型值),相位平衡(下变频)为±5°(典型值),RF回波损耗为13 dB(典型值),LO回波损耗为13 dB(典型值),IF回波损耗为17 dB(典型值),暴露焊盘,4 mm × 4 mm,24引脚陶瓷LCC封装
    数据手册
    • 1+

      ¥964.04
    • 200+

      ¥373.07
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      ¥359.96
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      ¥353.48
  • 订货
  • HMC560ALM3 是一款通用双平衡混频器,可用作上变频器或下变频器,工作频率范围为22 GHz至38 GHz。该混频器具有优化的巴伦结构,提供出色的LO到RF和LO到IF抑制。
    • 1+

      ¥1019.11
    • 200+

      ¥406.64
    • 500+

      ¥393.05
    • 1000+

      ¥386.33
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  • HMC-MDB218 是一款基于 GaAs HBT Schottky 二极管技术的子谐波泵浦 MMIC 混频器,可作为图像抑制混频器 (IRM) 或单边带上变频器使用。它具有宽中频带宽(DC-3GHz),RF 频率范围为 54-64GHz,LO 频率范围为 27-32GHz,高镜像抑制(30dB)等特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥1035.83
    • 200+

      ¥400.85
    • 500+

      ¥386.77
    • 1000+

      ¥379.81
  • 订货
  • HMC1048ALC3BTR是一款通用的单片微波集成电路(MMIC),双平衡混频器,可用作下变频器,工作频率范围为2.25 GHz至18 GHz,中频范围为dc至4 GHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥1134.24
    • 200+

      ¥438.94
    • 500+

      ¥423.51
    • 1000+

      ¥415.89
  • 订货
  • HMC1048ALC3BTR-R5是一款通用的单片微波集成电路(MMIC),双平衡混频器,可用作下变频器,工作频率范围为2.25 GHz至18 GHz,中频范围为dc至4 GHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥1134.24
    • 200+

      ¥438.94
    • 500+

      ¥423.51
    • 1000+

      ¥415.89
  • 订货
  • HMC1048ALC3B是一款通用的单片微波集成电路(MMIC),双平衡混频器,可用作下变频器,工作频率范围为2.25 GHz至18 GHz,中频范围为dc至4 GHz。
    • 100+

      ¥849.75
    • 500+

      ¥834.3
    HMC265LM3TR是一款20-31GHz表面贴装次谐波混频器,具有集成的LO和IF放大器,适用于20和31GHz微波无线电、点对点无线电、LMDS和卫星通信等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1169.32
    • 200+

      ¥452.51
    • 500+

      ¥436.61
    • 1000+

      ¥428.75
  • 订货
  • HMC1093芯片是一款亚谐波混频器,适用于37到46.5GHz的RF端口和DC到7.5GHz的IF端口。它采用GaAs PHEMT技术,提供出色的4LO到RF隔离(20dB),消除了对额外滤波的需求。LO放大器是一个单偏置(+3V)两阶段设计,仅需-1 dBm的LO功率。RF和LO端口被DC阻断并匹配到50欧姆,便于使用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1175.85
    • 200+

      ¥455.04
    • 500+

      ¥439.05
    • 1000+

      ¥431.15
  • 订货
  • HMC773ALC3B是一款通用的双平衡混频器,采用无引脚陶瓷LCC封装,可在6 GHz到26 GHz的频率范围内用作上变频器或下变频器。该混频器在LO驱动电平为13 dBm或更高时表现出色,并提供了出色的LO到RF和LO到IF抑制性能。
    • 1+

      ¥1246.02
    • 200+

      ¥482.2
    • 500+

      ¥465.25
    • 1000+

      ¥456.88
  • 订货
  • HMC265LM3是一款20-31GHz表面贴装次谐波混频器,具有集成的LO和IF放大器,适用于20和31GHz微波无线电、点对点无线电、LMDS和卫星通信等应用。
    • 1+

      ¥1251.17
    • 200+

      ¥484.19
    • 500+

      ¥467.17
    • 1000+

      ¥458.77
  • 订货
  • HMC264LC3BTR是一款21-31GHz次谐波混频器,具有集成的LO放大器,采用无铅SMT封装。该混频器具有30dB的2LO/RF隔离度,消除了对额外滤波的需求。LO放大器设计为单偏置(+3V到+4V),仅需-4到+4dBm的驱动要求。RF和LO端口阻抗匹配到50欧姆,IF覆盖DC到6GHz。HMC264LC3BTR无需引线键合,允许使用表面贴装制造技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥1305.56
    • 200+

      ¥505.24
    • 500+

      ¥487.48
    • 1000+

      ¥478.71
  • 订货
  • AD6636是一款150 MSPS的宽带数字下变频器,适用于IF采样或过采样基带无线电,支持多载波多模式数字接收器。
    • 1+

      ¥1314.7
    • 200+

      ¥508.77
    • 500+

      ¥490.89
    • 1000+

      ¥482.06
  • 订货
  • HMC339-SX芯片是一款次谐波泵浦(x2)的MMIC混频器,集成了LO放大器,可作为上变频器或下变频器。该芯片采用GaAs PHEMT技术,具有小的整体芯片面积(1.07mm²)。2LO到RF的隔离度非常出色,消除了对额外滤波的需求。LO放大器是一个单偏置(+3V到+4V)两阶段设计,仅需+2 dBm的标称驱动要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥1318.46
    • 200+

      ¥510.23
    • 500+

      ¥492.3
    • 1000+

      ¥483.44
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