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首页 > 热门关键词 > RF放大器
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低噪声放大器，采用SMT封装，2 - 4 GHz
型号：HMC609LC4TR 编号：C661797
封装：QFN-24-EP(4x4)
品牌：ADI(亚德诺)
低噪声放大器，采用SMT封装，2-4GHz
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    低噪声放大器，采用SMT封装，2 - 4 GHz
    型号：HMC609LC4TR-R5 编号：C662657
    封装：QFN-24-EP(4x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    低噪声放大器，采用SMT封装，2-4GHz
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    GaAs MMIC低噪声放大器，3.5 - 8.0 GHz
    型号：HMC392ALC4TR-R5 编号：C661859
    封装：LCC-24(4x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    GaAsMMIC低噪声放大器，3.5-8.0GHz
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    1750-2050MHz 宽带集成射频功率放大器
    型号：MD7IC2050NBR1 编号：C6590698
    封装：TO-272WB-14
    品牌：NXP(恩智浦)
    MD7IC2050N宽带集成电路设计具有片上匹配，使其在1750-2050MHz范围内可用。多级结构适用于26至32伏操作，覆盖所有典型的蜂窝基站调制格式。
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    2000-2200MHz 宽带集成RF LDMOS功率放大器
    型号：MD7IC2250NR1 编号：C5796559
    封装：TO-270WB-14
    品牌：NXP(恩智浦)
    MD7IC2250N宽带集成电路设计用于2000到2200MHz的频率范围，多级结构适用于所有典型的蜂窝基站调制格式。该器件支持24到32伏的操作电压。
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    26V 100W 宽带RF LDMOS集成功率放大器
    型号：MWE6IC9100NR1 编号：C5800582
    封装：TO-270WB-14
    品牌：NXP(恩智浦)
    MWE6IC9100NR1是一款宽带RF LDMOS集成功率放大器，设计用于869至960 MHz的频率范围。该放大器具有多级匹配电路，适用于GSM/GSM EDGE应用。
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    2 W功率放大器，采用SMT封装，6.0 - 9.5 GHz
    型号：HMC591LP5E 编号：C605631
    封装：QFN-32(5x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
    2W功率放大器，采用SMT封装，6.0-9.5GHz
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    2 GHz至28 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC低噪声放大器
    型号：ADL9006ACGZN 编号：C1019774
    封装：QFN-32-EP(5x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADL9006是一款2 GHz到28 GHz的GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器，具有15.5 dB的增益，2.5 dB的噪声系数，26 dBm的输出三阶截点，20 dBm的1 dB压缩输出功率，工作电压为5 V，供电电流为53 mA。
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    2 GHz至28 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC低噪声放大器
    型号：ADL9006ACGZN-R7 编号：C1513450
    封装：QFN-32-EP(5x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADL9006是一款2 GHz到28 GHz的GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器，具有15.5 dB的增益，2.5 dB的噪声系数，26 dBm的输出三阶截点，20 dBm的1 dB压缩输出功率，工作电压为5 V，供电电流为53 mA。
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    低噪声放大器芯片，14 - 27 GHz
    型号：HMC-ALH476 编号：C605553
    封装：SMD
    品牌：ADI(亚德诺)
    低噪声放大器芯片，14-27GHz
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    0.01 GHz至10 GHz低噪声放大器
    型号：HMC8411TCPZ-EP-R7 编号：C662232
    封装：LFCSP-6(2x2)
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC8411TCPZ-EP是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。该器件具有内部匹配的50欧姆输入和输出，适用于表面贴装技术（SMT）的高容量微波无线电应用。
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    0.01 GHz至10 GHz低噪声放大器
    型号：HMC8411TCPZ-EP-PT 编号：C662231
    封装：LFCSP-6(2x2)
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC8411TCPZ-EP是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）低噪声宽带放大器，工作频率范围从0.01 GHz到10 GHz。
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    宽带2级射频LDMOS功率放大器
    型号：MW5IC970NBR1 编号：C3194080
    封装：TO-272WB-16
    品牌：NXP(恩智浦)
    适用于宽带商业和工业应用的射频LDMOS宽带2级功率放大器，工作频率范围为132MHz到960MHz，具有高增益和宽带性能，适合大信号、共源放大器应用。
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    低噪声放大器，采用SMT封装，14 - 27 GHz
    型号：HMC504LC4B 编号：C605633
    封装：SMT-24(4x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC504LC4B 是一款 GaAs MMIC 低噪声放大器，封装在无引脚 4x4mm 陶瓷表面贴装封装中。该放大器在 14 至 27 GHz 范围内工作，提供高达 19 dB 的小信号增益，2.2 dB 的噪声系数，输出 IP3 为 +26 dBm，仅需 90 mA 电流和 +4V 电源。该 LNA 适用于高容量微波无线电或 VSAT 应用。
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    CATV功率倍增混合模块
    型号：ADCA3990AMLZ 编号：C3193012
    封装：SOT-115J
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADCA3990是一款高性能的CATV功率倍增混合模块，采用行业标准的8-Pin SOT115J封装。该模块使用先进的电路设计技术，如砷化镓（GaAs）伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）和氮化镓（GaN）HEMT，实现极高的RF输出功率，最高可达76.8 dBmV复合功率或67 dBmV虚拟电平。

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    宽带RF LDMOS功率放大器
    型号：MD7IC18120NR1 编号：C6904143
    封装：TO-270WBL-16
    品牌：NXP(恩智浦)
    MD7IC18120N/GN宽带集成电路设计用于处理单载波W-CDMA调制格式。该器件具有高效率和高增益，适用于1805-1880 MHz频率范围。
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    宽带RF LDMOS集成功率放大器
    型号：MWIC930NR1,528 编号：C7316022
    封装：TO-272-WB-16
    品牌：NXP(恩智浦)
    MWIC930N 宽带集成电路设计用于 CDMA 和 GSM/GSM EDGE 应用。它使用 Freescale 的最新高压（26 到 28 伏）LDMOS IC 技术，并集成了多级结构。其片上匹配电路使其可在 790 到 960 MHz 范围内使用。
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    BLF8G10LS-160V,112
    型号：BLF8G10LS-160V,112 编号：C6515740
    封装：SOT-502B
    品牌：NXP(恩智浦)
    160W LDMOS功率晶体管，具有改进的视频带宽，适用于925 MHz到960 MHz频率范围内的基站应用。
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    2000-2200MHz宽带集成RF LDMOS功率放大器
    型号：MD7IC2250GNR1 编号：C7301308
    封装：TO-270WB-14
    品牌：NXP(恩智浦)
    MD7IC2250N宽带集成电路设计具有片上匹配，使其在2000到2200MHz范围内可用。多级结构适用于24到32伏特操作，并覆盖所有典型的蜂窝基站调制格式。
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    915 MHz ISM频段RF LDMOS集成功率放大器
    型号：MHT2001NR1 编号：C3194076
    封装：TO-270WB-14
    品牌：NXP(恩智浦)
    175W CW RF功率集成电路，设计用于915 MHz ISM频段的消费和商业烹饪应用。
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    7-15.5GHz GaAs PHEMT MMIC 中功率放大器
    型号：HMC441LM1TR 编号：C662190
    封装：QFN-8-EP(5.1x5.1)
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC441LM1TR 是一款宽带7到15.5GHz的GaAs PHEMT MMIC中功率放大器，采用无引脚芯片载体封装。该放大器提供15 dB的增益，21.5 dBm的饱和功率，工作在+5V电源电压下。可选的栅极偏置允许调整增益、RF输出功率和直流功耗。这款50欧姆匹配的放大器不需要外部元件，使其成为理想的线性增益块或HMC SMT混频器的驱动器。
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    宽频带集成RF LDMOS功率放大器
    型号：MW7IC2040GNR1 编号：C7009466
    封装：TO-270WL-16
    品牌：NXP(恩智浦)
    MW7IC2040N宽频带集成电路设计有片上匹配，使其可在1805至1990 MHz范围内使用。多级结构适用于24至32伏操作，并覆盖所有典型的蜂窝基站调制格式。
    数据手册

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    2 W功率放大器芯片，6 - 10 GHz
    型号：HMC591 编号：C605651
    封装：SMD
    品牌：ADI(亚德诺)
    2W功率放大器芯片，6-10GHz

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    5 GHz至11 GHz GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器
    型号：HMC902-SX 编号：C605654
    封装：-
    品牌：ADI(亚德诺)
    5GHz至11GHzGaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器
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    MD7IC2050GNR1
    型号：MD7IC2050GNR1 编号：C6590693
    封装：TO-270WB-14
    品牌：NXP(恩智浦)
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    1805-2050 MHz 宽带集成射频功率放大器
    型号：MW7IC18100GNR1 编号：C7245099
    封装：TO-270WB-14
    品牌：NXP(恩智浦)
    MW7IC18100GNR1 是一款宽带集成射频功率放大器，设计用于1805到2050 MHz的频率范围。该放大器具有多级放大结构，支持GSM/EDGE和CDMA调制，能够提供高达100瓦的连续波输出功率。
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    MWE6IC9080NBR1
    型号：MWE6IC9080NBR1 编号：C7245103
    封装：TO-272WB-14
    品牌：NXP(恩智浦)
    MWE6IC9080N宽频带集成电路设计用于865到960 MHz的频率范围，具有多级结构，支持26到32伏的操作电压，适用于所有典型的蜂窝基站调制方式。
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    45 MHz至1218 MHz CATV 功率倍增混合放大器
    型号：ADCA3992AMLZ 编号：C3193014
    封装：SOT-115J
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADCA3992 是一款高增益、功率倍增混合放大器，结合了高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 和氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于广泛的偏置条件下的功率效率和客户灵活性。ADCA3992 适合用于数字预失真 (DPD) 节点设计，实现最大功率节省。

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    0.4 GHz 至 11 GHz 低噪声放大器
    型号：HMC8412CHIPS-SX 编号：C3190691
    封装：Die
    品牌：ADI(亚德诺)
    HMC8412CHIPS是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）低噪声放大器，工作频率范围为0.4 GHz至10 GHz。提供最高15 dB的典型增益，19 dBm的典型1 dB压缩输出功率（OP1dB），以及32 dBm的典型输出三阶截获点（OIP3）。该放大器需要60 mA的5 V电源，输入和输出端口匹配到50 Ω。

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    中等功率放大器，采用SMT封装，17.5 - 24.0 GHz
    型号：HMC442LM1TR 编号：C662191
    封装：QFN-8-EP(5.1x5.1)
    品牌：ADI(亚德诺)
    中等功率放大器，采用SMT封装，17.5-24.0GHz
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