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  • SST12CP33 是一款基于 InGaP/GaAs HBT 技术的高功率、高增益 WLAN 射频功率放大器,支持 802.11b/g/n/256 QAM 标准,具有出色的线性和高效率。
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  • AN26210A 是一款适用于双频段(800MHz/2.1GHz)WCDMA的低噪声放大器IC。通过使用0.25 μm SiGe Bi-CMOS工艺实现高性能,每个频段可选,并且增益模式可通过集成的CMOS逻辑电路控制。采用小型XLGA封装实现小型化。
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  • MMA044AA 是一种砷化镓 (GaAs) 伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 单片微波集成电路 (MMIC) 宽带低噪声放大器,工作频率在 6 GHz 到 18 GHz 之间。该放大器提供 21 dB 的小信号增益,1.7 dB 的噪声系数,输出 IP3 为 30 dBm,仅需 4 V 电源电压下的 102 mA 供电电流。1 dB 增益压缩点的输出功率为 17 dBm,使其能够作为平衡、同相正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的 LO 驱动器。RF 端口被 DC 隔离并内部匹配到 50 Ω,便于集成到多芯片模块 (MCM) 中。
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  • MMA044PP3 是一种6 GHz至18 GHz的砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,采用3 mm x 3 mm无引脚塑料表面贴装封装。
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  • MMA044PP3 是一种6 GHz至18 GHz的砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,采用3 mm x 3 mm无引脚塑料表面贴装封装。
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  • MMA041AA是一款砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC),伪高电子迁移率晶体管(pHEMT)分布式放大器芯片,工作频率范围为DC到26 GHz。适用于测试仪器和通信基础设施应用。
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  • MMA053PP5是一款砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC) pHEMT分布式功率放大器,工作频率范围为DC至10 GHz。
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  • MMA040AA是一款砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC),具有伪高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声分布式放大器,工作频率范围为DC到28GHz。该放大器提供16.5 dB的平坦增益,2.5 dB的噪声系数,27 dBm的OIP3,并且只需要从8V电源提供60mA的电流。MMA040AA放大器具有紧凑的芯片尺寸和内部匹配的50Ω I/O,便于集成到多芯片模块(MCMs)中。
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  • MMA043PP4 是一种砷化镓 (GaAs) 伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器,采用无引脚 4mm × 4mm 表面贴装封装,工作频率范围为 0.5 GHz 至 12 GHz。该放大器提供 16 dB 的增益,2.0 dB 的噪声系数,28 dBm 的输出 IP3 和 17 dBm 的输出 P1dB,同时从 5V 电源吸取 55 mA 的电流。
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  • MMA043PP4/TR 是一种砷化镓 (GaAs) 伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器,采用无引脚 4mm × 4mm 表面贴装封装,工作频率范围为 0.5 GHz 至 12 GHz。该放大器提供 16 dB 的增益,2.0 dB 的噪声系数,28 dBm 的输出 IP3 和 17 dBm 的输出 P1dB,同时从 5V 电源吸取 55 mA 的电流。
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  • MMA040PP5是一款砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)伪高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声分布式放大器,采用无引脚5 mm x 5 mm表面贴装封装,工作频率范围从DC到27 GHz。
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  • MMA040PP5是一款砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)伪高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声分布式放大器,采用无引脚5 mm x 5 mm表面贴装封装,工作频率范围从DC到27 GHz。
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  • MMA042PP4 是一款砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 分布式放大器,工作频率范围为2 GHz至26 GHz。内部匹配到50Ω。
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  • MMA053AA 是一款砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) pHEMT 分布式功率放大器裸片,工作频率范围为 DC 至 8 GHz。该放大器提供 17 dB 的增益,+43 dBm 的输出 IP3 和 +31 dBm 的 3 dB 压缩点输出功率,同时仅需 410 mA 的电流。
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  • LMH6555 是一款超高速差分线路驱动器,具有 53 dB SFDR 在 750 MHz 的性能。它具有固定的 13.7 dB 增益。输入到设备的输出共模电压可以独立于输入共模电压设置,以简化与高速差分输入 ADC 的接口。独特的架构允许设备作为全差分驱动器或单端到差分转换器运行。
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  • 低噪声放大器芯片,2-20GHz
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      ¥3.46
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  • TRF37A73是一款1-6000MHz的射频增益块,采用2.00mm x 2.00mm的WSON封装。该器件具有12dB的增益,4.5dB的噪声系数,2000MHz时的1dB增益压缩输出功率为14.5dBm。该器件适用于空间占用和低功率模式十分关键的应用。
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      ¥4.959633 / 个
    TRF37C75是一款具有功率降低引脚的2.00mm x 2.00mm超薄小外形尺寸无引线(WSON)封装的射频增益块,适用于空间占用和低功率模式十分关键的应用。
    数据手册
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      ¥12.7
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      ¥4.92
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      ¥4.75
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      ¥4.66
  • 订货
  • TRF37B75是一款40MHz至4000MHz的射频增益块,采用2.00mm × 2.00mm的WSON封装。该器件具有功率降低引脚,适合空间占用和低功率模式的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.7
    • 250+

      ¥4.92
    • 500+

      ¥4.75
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      ¥4.66
  • 订货
  • TRF37A75是一款40-6000MHz的射频增益块,采用2.00mm x 2.00mm的WSON封装,具有功率降低引脚,适用于空间占用和低功率模式关键的应用。
    数据手册
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      ¥12.7
    • 250+

      ¥4.92
    • 500+

      ¥4.75
    • 1000+

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