两相步进电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-5

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

数据手册

1+
￥4.28
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￥3.49
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￥3.09
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￥2.69
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￥2.45
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￥2.33

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型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

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￥1.2273
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￥0.9597
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￥0.845
500+
￥0.7019
3000+
￥0.6382
6000+
￥0.6

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型号：BDR6122T 编号：C908104

封装：WDFN-8-EP(2x2)

品牌：巴丁微

是一款直流电机驱动IC，输出DC电流达可到1.8A，适用于电动牙刷、智能锁、消费类产品以及其它低压或者电池供电的运动控制产品。

数据手册

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￥1.278
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￥0.9907
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￥0.8675
500+
￥0.7139
2500+
￥0.6455

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型号：TF2003M-TR-JSM 编号：C7432830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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￥1.332 ￥1.48
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￥1.305 ￥1.45
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￥1.287 ￥1.43
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￥1.26 ￥1.4

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型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

数据手册

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￥1.364
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￥1.0701
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￥0.9441
500+
￥0.7869
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

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型号：UCC27519DBVR(UMW) 编号：C20623193

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27519器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UCC27519的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

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￥1.4192
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￥1.1124
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￥0.981
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￥0.8169
3000+
￥0.7439
6000+
￥0.7001

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型号：EG2124 编号：C2856308

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

5+
￥1.4241
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￥1.2351
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￥1.1541
500+
￥1.08
2500+
￥1.035
4000+
￥1.008

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型号：GT4428DTR 编号：C19267460

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

1+
￥1.496 ￥1.87
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￥1.296 ￥1.62
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￥1.208 ￥1.51
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￥1.096 ￥1.37
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￥1.048 ￥1.31
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￥1.024 ￥1.28

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型号：GBI7250TJBR 编号：C5451739

封装：TSOT23-5

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。

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￥1.5746
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￥1.2364
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￥1.0914
500+
￥0.9106
3000+
￥0.8301

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型号：U2103S 编号：C17701705

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 U2103S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.764 ￥1.96
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￥1.539 ￥1.71
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￥1.44 ￥1.6
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￥1.314 ￥1.46
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￥1.296 ￥1.44
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￥1.26 ￥1.4

有货

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型号：FAN3100TSX-TP 编号：C51939554

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.810396 ￥2.3821
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￥1.431232 ￥1.8832
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￥1.268668 ￥1.6693
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￥1.0659 ￥1.4025
3000+
￥0.975612 ￥1.2837
6000+
￥0.921424 ￥1.2124

有货

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型号：FAN3100CSX-JSM 编号：C7432824

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器

1+
￥2.052 ￥2.28
10+
￥1.809 ￥2.01
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￥1.683 ￥1.87
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￥1.566 ￥1.74
500+
￥1.494 ￥1.66
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￥1.458 ￥1.62

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型号：TMI8837 编号：C478955

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：TMI(拓尔微)

马达驱动IC,1.5A, motor power: 1.8 ~ 12 V, control power supply: 1.8 ~ 5.5 V,DFN2x2-8,TIM8837

数据手册

1+
￥2.12
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￥1.64
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￥1.4
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￥1.22
500+
￥1.08
1000+
￥1

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型号：DRV8300DRGER-JSM 编号：C41421801

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。

1+
￥2.15
10+
￥1.86
30+
￥1.73
100+
￥1.57
1000+
￥1.53

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型号：MX5134T 编号：C19078228

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动单通道，低边驱动，大电流，SOT23-6

1+
￥2.16
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￥1.89
30+
￥1.77
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￥1.62
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

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型号：SL27523 编号：C2690326

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

双通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

1+
￥2.16
10+
￥1.89
30+
￥1.77
100+
￥1.62
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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型号：EG27325 编号：C2929095

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

数据手册

5+
￥2.2404
50+
￥1.7505
150+
￥1.5406
500+
￥1.2786
2500+
￥1.0987

有货

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型号：FAN7382MX 编号：C5804629

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.304 ￥2.56
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￥2.025 ￥2.25
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￥1.89 ￥2.1
100+
￥1.746 ￥1.94
500+
￥1.665 ￥1.85
1000+
￥1.629 ￥1.81

有货

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型号：COS4428SR 编号：C2685359

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,同反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥2.36
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￥1.82
150+
￥1.58
500+
￥1.29
2500+
￥1.16
4000+
￥1.08

有货

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型号：DO6288Q 编号：C42386238

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

1+
￥2.58
10+
￥2.02
30+
￥1.78
100+
￥1.47
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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型号：TF2104M-TAH 编号：C2683754

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.33
30+
￥2.07
100+
￥1.75
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

有货

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型号：LM5109BMAX-JSM 编号：C7432827

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向，高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

1+
￥2.975 ￥3.5
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￥2.2865 ￥2.69
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￥1.9975 ￥2.35
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￥1.632 ￥1.92
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￥1.4705 ￥1.73
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￥1.3685 ￥1.61

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型号：EG2186 编号：C20416237

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V，低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-4/4A，采用SOP8 封装。

1+
￥3.19
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￥2.46
30+
￥2.15
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￥1.76
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￥1.67
1000+
￥1.57

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型号：EG2184S 编号：C48580027

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2184S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。

1+
￥3.25
10+
￥2.57
30+
￥2.28
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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型号：TPM27523-SO1R 编号：C38403282

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

1+
￥3.28
10+
￥2.52
30+
￥2.2
100+
￥1.79
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￥1.61
1000+
￥1.5

有货

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型号：HG6288LQ/TR 编号：C49518603

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

1+
￥3.41
10+
￥2.76
30+
￥2.44
100+
￥2.12
500+
￥1.92
1000+
￥1.83

有货

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型号：FAN3111ESX 编号：C719836

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项： FAN3111C 具有双 CMOS 输入，阈值参考 VDD，用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源，该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入，和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。

数据手册

1+
￥3.76
10+
￥3.11
30+
￥2.82
100+
￥2.47
500+
￥2.14
1000+
￥2.04

有货

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型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥4.13
10+
￥3.73
30+
￥3.52
100+
￥3.32
500+
￥2.47
1000+
￥2.41

有货

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.4
30+
￥2.97
100+
￥2.55
500+
￥2.29
1000+
￥2.16

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型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥4.81 ￥7.4
10+
￥3.696 ￥6.72
30+
￥2.8575 ￥6.35
100+
￥2.6685 ￥5.93
500+
￥2.583 ￥5.74
1000+
￥2.547 ￥5.66

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