无刷电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

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型号：SA8337-MS 编号：C22462545

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

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型号：TC4427AVOA713 编号：C624944

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

数据手册

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型号：DRV8251DDAR 编号：C3681116

封装：SO-8-EP

DRV8251 具有集成电流调节和锁存 OCP 功能的 50V、4.1A H 桥电机驱动器

数据手册

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型号：FAN7391MX-JSM 编号：C7498991

封装：SOP-14

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：6EDL04I06PT-JSM 编号：C17701726

封装：SOP-28-300mil

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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型号：IRS2101STRPBF 编号：C67283

封装：SOIC-8

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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型号：MIC4416YM4-TR 编号：C515508

封装：SOT-143

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4416和MIC4417超小型低端MOSFET驱动器专为在低端开关应用中通过与TTL兼容的控制信号来切换N沟道增强型MOSFET而设计。MIC4416为同相驱动器，MIC4417为反相驱动器。这些驱动器具有短延迟和高峰值电流的特点，可产生精确的边沿以及快速的上升和下降时间

数据手册

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型号：GBI7A54NMAR 编号：C28324638

封装：DFN-8L-EP(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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型号：TC4420VOA713 编号：C624916

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

数据手册

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型号：UCC27322DR 编号：C2861813

封装：SOIC-8

具有分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 105

数据手册

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型号：UCC27714DR 编号：C473332

封装：SOIC-14

UCC27714 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器

数据手册

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型号：IR2011STRPBF 编号：C148146

封装：SOIC-8

高功率MOS管半桥式驱动

数据手册

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型号：DRV8889QWRGERQ1 编号：C701814

封装：VQFN-24-EP(4x4)

DRV8889-Q1 具有集成式电流检测和失速检测功能的汽车类 50V、1.5A 双极步进电机驱动器

数据手册

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型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

数据手册

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型号：1EDL8011XUMA1 编号：C34117288

封装：DSO-8

1EDL8011栅极驱动IC凭借其强大的栅极电流能力，可实现高端N沟道MOSFET的快速导通和关断。它包含一个集成式电荷泵和一个外部电容器，以提供强劲的启动能力。当工作输入电压较低时，内部电荷泵可为MOSFET提供栅极电压

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型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

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型号：A3950SLPTR-T 编号：C163266

封装：HTSSOP-16

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3950专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，其峰值输出电流可达±2.8 A，工作电压可达36 V。该器件设有相位（PHASE）和使能（ENABLE）输入端子，用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路，可降低PWM工作期间的功耗

数据手册

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型号：DRV8305NQPHPRQ1 编号：C701780

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

数据手册

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型号：L6203 编号：C34306

封装：Multiwatt-11-V

品牌：ST(意法半导体)

DMOS全桥驱动器

数据手册

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￥23.19

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型号：KP85302SGA 编号：C17701717

封装：SOP-8

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

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型号：BL8023KCB6TR 编号：C2895360

封装：SOT-23-6

品牌：BL(上海贝岭)

400mA 双向继电器驱动器 BL8023K 是一款双向继电器驱动电路，用于控制磁保持继电器，具有大输出能力和超低功耗。它可广泛应用于智能电表和其他脉冲、电平控制应用。

数据手册

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￥0.6606
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￥0.4195
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￥0.381
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￥0.3617

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型号：BDR2L00 编号：C5371998

封装：DFN-8

品牌：巴丁微

是一款驱动双NMOS的栅极驱动器，工作电压范围宽，内部集成自适应死区控制电路，具有欠压保护功能。

数据手册

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￥0.5847
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￥0.4769
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￥0.4689
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￥0.44

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型号：ZXGD3009E6TA 编号：C156293

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009E6是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达2A的峰值源极/灌电流，以对容性负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

数据手册

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￥1.672
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￥1.3323
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￥1.1867
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￥1.005
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￥0.9242
6000+
￥0.8756

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q

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￥1.792 ￥2.24
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￥1.384 ￥1.73
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￥1.216 ￥1.52
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型号：SD6287T 编号：C44606226

封装：TSSOP-20