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DRV8847 具有电流调节和独立半桥控制的 18V、2A 双通道 H 桥电机驱动器

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型号：MTS2916A-LGC1 编号：C2150688

封装：SOP-24-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MTS2916A电机驱动器是一款CMOS器件，能够驱动双极步进电机的两个绕组，或对两台直流电机进行双向控制。两个独立的H桥输出端中的每一个都能承受40V电压，可提供高达750mA的连续电流。输出电流水平由内部脉冲宽度调制（PWM）电路控制，该电路通过两个逻辑输入、一个电流检测电阻和一个可选参考电压进行配置

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型号：TB6608FNG(C80EL,HZ 编号：C5340737

封装：SSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款PWM恒流型步进电机驱动IC，专为步进电机的正弦输入微步控制而设计。可用于需要2相、1-2相、W1-2相和2W1-2相励磁模式的应用中，仅使用时钟信号就能实现两相双极步进电机的正反转驱动。

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型号：L6226QTR 编号：C95357

封装：QFN-32(5x5)

DMOS双全桥驱动器

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型号：DRV8436RGER 编号：C1518720

封装：VQFN-24-EP(4x4)

DRV8436 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 48V、1.5A 双极步进电机驱动器

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型号：MP6507GF-Z 编号：C2895015

封装：TSSOP-16-EP

是一款双极步进电机驱动器，具有由N沟道功率MOSFET组成的双内置全桥。它的电源电压范围为2.7V至15V，每通道可提供高达700mA的电机电流。内部安全功能包括通过外部传感器实现的灌电流和拉电流限制、欠压锁定和热关断。有一个过温输出标志可指示热关断。有16引脚、5.0mm×6.4mm TSSOP-EP和TSSOP、3mm×3mm和4mm×4mm QFN封装，背面带有外露散热垫。

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型号：DRV8411PWPR 编号：C18212622

封装：HTSSOP-16

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型号：DRV8411ARTER 编号：C18816315

封装：WQFN-16-EP(3x3)

一款双路H桥电机驱动器，可驱动一个或两个直流有刷电机、一个步进电机、螺线管或其他电感负载。三倍压电荷泵让器件可以在低至1.65V的电压下工作，以适应1.8V的电源轨和电池电量不足的情况。电荷泵集成了所有电容器并允许100%占空比运行。输入和输出可以并联以驱动具有一半RDS(on)的大电流有刷直流电机

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型号：A3981KLPTR-T 编号：C163315

封装：TSSOP-28-EP

A3981是一款灵活的微步进电机驱动器，内置翻译器，操作简便。它是一款单芯片解决方案，旨在以全步、半步、四分之一步和十六分之一步模式驱动双极步进电机，工作电压最高可达28 V，电流可达±1.4 A。A3981可通过简单的步进和方向输入进行控制，也可通过兼容SPI的串行接口进行控制，该接口还可用于对许多集成功能进行编程并读取诊断信息

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型号：A3983SLPTR-T 编号：C459279

封装：ETSSOP-24-EP

A3983是一款完整的微步进电机驱动器，内置易于操作的转换器。它旨在以全步、半步、四分之一步和八分之一步模式驱动双极步进电机，输出驱动能力高达35 V和±2 A。A3983包含一个固定关断时间电流调节器，能够在慢速或混合衰减模式下工作。转换器是A3983易于实现的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机进行一次微步进。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口编程。A3983接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。 A3983中的斩波控制会自动选择电流衰减模式（慢速或混合）。当STEP输入引脚出现信号时，A3983会确定该步进是否会导致电机各相电流升高或降低。如果电流变化为升高，则衰减模式设置为慢速衰减。如果电流变化为降低，则电流衰减设置为混合模式（最初在固定关断时间的31.25%内设置为快速衰减，然后在关断时间的其余时间设置为慢速衰减）。这种电流衰减控制方案可降低电机可听噪声、提高步进精度并降低功耗。提供内部同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括：带迟滞的热关断、欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A3983采用低外形（最大高度1.2 mm）、24引脚带外露散热焊盘的TSSOP封装（后缀LP）。它是无铅（Pb）产品，引脚框架采用100%雾锡电镀。

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型号：A4982SLPTR-T 编号：C961770

封装：TSSOP-24-EP

A4982是一款完整的微步进电机驱动器，内置易于操作的转换器。它旨在以全步、半步、四分之一步和十六分之一步模式驱动双极步进电机，输出驱动能力高达35 V和±2 A。A4982包含一个固定关断时间电流调节器，能够在慢速或混合衰减模式下工作。 ET封装通过在关键输出、检测和电源引脚之间添加不连接引脚，满足了客户对无烟无火（NSNF）设计的要求。因此，在引脚与相邻引脚短路的情况下，该器件不会引发冒烟或起火。此外，当任何引脚接地短路或悬空时，该器件也不会引发冒烟或起火。转换器是A4982易于实现的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机进行一次微步进。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口编程。A4982接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。在步进操作期间，A4982中的斩波控制会自动选择电流衰减模式，即慢速或混合模式。在混合衰减模式下，器件在固定关断时间的一部分初始设置为快速衰减，然后在关断时间的其余部分设置为慢速衰减。混合衰减电流控制可降低电机可听噪声、提高步进精度并降低功耗。提供内部同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括带迟滞的热关断、欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A4982采用两种表面贴装封装，ET封装为5 mm × 5 mm、标称总封装高度为0.90 mm的QFN封装，LP封装为24引脚TSSOP封装。两种封装均有外露焊盘以增强散热性能，并且无铅（Pb）（后缀 -Γ，采用100%雾锡电镀引线框架）。

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型号：L6474HTR 编号：C2150658

封装：HTSSOP-28-EP

高达16微步的步进电机驱动器，具有SPI和高级电流控制

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型号：MP6501AGF-Z 编号：C7304691

封装：TSSOP-28-EP

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型号：DRV8424EPWPR 编号：C2862906

封装：HTSSOP-28-EP

DRV8424E 具有集成电流检测功能的 35V、2.5A 双极步进或双通道有刷电机驱动器

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型号：MP6600LGR-Z 编号：C3681204

封装：QFN-24(4x4)

MP6600L 是一款带有电流调节功能和内置转换器的步进电机驱动器。电流检测为内部检测，无需外部检测电阻。凭借高度集成和小封装尺寸，MP6600L 是双极步进电机驱动的节省空间、经济高效的解决方案。该器件的工作电源电压最高可达 35V，根据 PCB 设计和散热条件，可提供高达 1.5A 的电机电流。MP6600L 可以全步、半步、四分之一步或八分之一步模式驱动双极步进电机。内部安全特性包括过流保护 (OCP)、输入过压保护 (OVP)、欠压锁定 (UVLO) 和热关断。MP6600L 采用 QFN - 24 (4mmx4mm) 封装。

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￥21.0547
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型号：MP6500LGU-Z 编号：C7304687

封装：QFN-24(5x5)

MP6500L 是一款带有电流调节功能和内置转换器的步进电机驱动器。电流检测为内部检测，无需外部检测电阻。MP6500L 集成度高、封装尺寸小，是双极步进电机驱动的节省空间、经济高效的解决方案。MP6500L 的工作电源电压最高可达 35V，根据 PCB 设计和散热条件，可提供高达 2.5A 的电机电流。MP6500L 可使双极步进电机以整步、半步、四分之一步或八分之一步模式运行。内部安全特性包括过流保护 (OCP)、输入过压保护 (OVP)、欠压锁定 (UVLO) 和热关断。MP6500L 采用 QFN - 24 (5mmx5mm) 封装。

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￥21.2186
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型号：A4989SLDTR-T 编号：C239086

封装：TSSOP-38-4.4mm

A4989是一款双全桥栅极驱动器，集成了微步进转换器，适用于驱动各种大功率工业双极性两相步进电机（通常为30至500 W）。电机功率由外部N沟道功率MOSFET在12至50 V的电源电压下提供。该器件包含两个正弦DAC，为两个独立的固定关断时间PWM电流控制器生成参考电压。这些控制器为外部功率MOSFET全桥提供电流调节。电机步进由两线步进和方向接口控制，可在整步、半步、四分之一步和十六分之一步分辨率下提供完整的微步进控制。固定关断时间调节器能够在慢速、混合或快速衰减模式下运行，从而降低电机可听噪声、提高步进精度并减少功耗。转换器是该IC易于实现的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机步进一步（整步、半步、四分之一步或十六分之一步，具体取决于微步选择输入）。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口进行编程。这减少了对复杂微控制器的需求。高端N沟道MOSFET所需的高于电源电压由自举电容提供。通过使用同步整流提高了效率，并且集成的交叉控制和可编程死区时间可保护功率FET免受直通影响。除了交叉电流控制外，内部电路保护还提供带迟滞的热关断和欠压锁定功能。无需特殊的上电时序。该组件采用38引脚TSSOP封装（LD封装）。该封装无铅（Pb），引脚框架采用100%雾锡电镀。

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￥25.61
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型号：L6470H 编号：C84451

封装：HTSSOP-28

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

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型号：L6506D 编号：C2971356

封装：SOIC-20-300mil

L6506/D是一款线性集成电路，旨在感应和控制步进电机及类似设备中的电流。当与L293、L298、L7150、L6114/L6115配合使用时，该芯片组可构成用于感性负载的恒流驱动器，并实现从控制逻辑到功率级的所有接口功能。L6506适用于与双桥式驱动器（如L298）、四达林顿阵列（如L7150）、四DMOS阵列（如L6114 - L6115）或分立功率晶体管配合使用，以驱动步进电机和其他类似负载

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￥38.08
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型号：L99MD01XPTR 编号：C2970328

封装：PowerSSO-36

标准功能，电机驱动器

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￥37.5069 ￥40.33
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￥32.3202 ￥38.94

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型号：DRV8434AQWRGERQ1 编号：C41975199

封装：VQFN-24(4x4)

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￥35.92

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型号：DRV8452DDWR 编号：C5624514

封装：HTSSOP-44

DRV8452 具有智能调优、失速检测和自动扭矩功能的 50V、5A 双路 H 桥步进电机驱动器

单价：
￥28.518729 / 个

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型号：TMC262C-LA 编号：C516355

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：TRINAMIC

TMC262/TMC262C两相步进电机驱动器具备行业领先的特性，包括高分辨率微步进、无传感器机械负载测量、负载自适应功率优化和低共振斩波操作。标准SPI™和STEP/DIR接口简化了通信。TMC262使用四个外部N沟道和P沟道双MOSFET，可支持高达8A RMS的电机电流和最高60V的电压。集成的保护和诊断功能确保了稳健可靠的运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，可实现外部元件数量少的小型化设计，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。新型–C器件提升了电机静音效果，并增加了低端短路保护功能。

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￥72.11
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￥52.2

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型号：TMC429-PI24 编号：C2927051

封装：SOP-24-300mil

品牌：TRINAMIC

是一个小型化的步进电机控制器，具有行业领先的功能集。它通过SPI或步进/方向接口控制多达三个电机。SPI接口为两相步进电机提供可编程的6位微步表（64微步/整步），以实现最佳的步进精度。根据目标位置和速度（可以动态更改），它可以自主执行所有实时关键任务。提供高级控制功能，以实现稳健可靠的操作。两个独立的4线串行外设接口允许与微控制器和多达三个菊花链步进电机驱动器进行通信。与微控制器一起形成一个完整的运动控制系统。高度集成和小尺寸允许进行小型化设计，以实现具有成本效益和高度竞争力的解决方案。

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￥117.6
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￥112.23
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型号：L297D 编号：C1523897

封装：SO-20-300mil

L297步进电机控制器IC可为微机控制应用中的两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。该电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行，片上PWM斩波电路允许对绕组电流进行开关模式控制。该器件的一个特点是仅需时钟、方向和模式输入信号。由于相位是内部生成的，因此大大减轻了微处理器和程序员的负担。L297采用DIP20和SO20封装，可与L298N或L293E等单片桥式驱动器配合使用，也可与分立晶体管和达林顿管配合使用。

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￥150.55
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型号：JSM5108G 编号：C19077360

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥1.0077
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￥0.8061
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￥0.6119
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型号：DRV8847PWR 编号：C701803

封装：TSSOP-16

DRV8847 具有电流调节和独立半桥控制的 18V、2A 双通道 H 桥电机驱动器

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￥1.22
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型号：SS8812T-ET-TP 编号：C3010797

封装：ETSSOP-28

品牌：LEADPOWER(率能)

双通道 H 桥电流控制电机驱动器：单个或两个有刷直流电机；一个步进电机。固定频率下电流控制可选择：2 bits 电流控制，提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)：24V，Ta = 25°C 时可实现 1.6A 最大驱动电流；24V，Ta= 25°C 时 RDS(on)为 720mΩ（典型值 HS + LS）。工作电压范围。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性：过流保护 (OCP)；热关断 (TSD)；欠压闭锁 (UVLO)；故障显示 Pin（nFAULT）。

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￥2.84
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￥2.52
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￥2.36
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￥2.2
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型号：SS6811H 编号：C3345071

封装：ETSSOP-16

品牌：LEADPOWER(率能)

双通道 H 桥电机驱动器：单个或两个有刷直流电机、一个步进电机；低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) ：24V，Ta = 25°C 时可实现 1.6A 最大驱动电流、24V，Ta= 25°C 时 RDS(on)为 720mΩ（典型值 HS + LS）；睡眠模式低电流；内置 3.3V 基准电压；带散热片的表面贴装封装；保护特性：过流保护 (OCP) 、热关断 (TSD) 、欠压闭锁 (UVLO)。

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型号：A3906SESTR-T 编号：C86274

封装：QFN-20-EP(4x4)