步进电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

L9110S 是为控制和驱动电机设计的双通道推挽式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片输入端兼容TTL/CMOS 电平，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机做正反向运动，它具备较大的电流驱动能力，每通道能通过800mA 的持续电流，峰值电流能力可达1.5A；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流，使它在驱动继电器、直流电机、步进电机或开关功率管的使用上安全可靠。芯片集成有热关断保护功能模块，检测到芯片PN 结温超过设计阈值时，关断所有电路模块功能。

数据手册

5+
￥1.3007
50+
￥1.0235
150+
￥0.9047
500+
￥0.7565
2500+
￥0.6687
5000+
￥0.6291

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型号：JSM6287T 编号：C49450285

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V三相高低侧功率驱动芯片高侧同相低侧反相步进/伺服电机、电动工具等 FD6287T

1+
￥3.26
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￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.87
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

有货

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型号：L293DN 编号：C434590

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）和开关功率晶体管。为简化作为两个电桥的使用，每对通道都配备了一个使能输入。为逻辑电路提供了单独的电源输入，允许在较低电压下工作，并内置了钳位二极管。适用于高达5kHz频率的开关应用。采用16引脚塑料封装，有4个中心引脚连接在一起用于散热。采用20引脚表面贴装封装，有8个中心引脚连接在一起用于散热。

数据手册

1+
￥8.99
10+
￥7.55
25+
￥6.75
100+
￥5.86
500+
￥5.46
1000+
￥5.28

有货

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型号：TC618CS 编号：C841297

封装：ESOP-8

品牌：FM(富满)

该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用N沟和P沟功率MOSFET设计的H桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围（从2V到9.6V），最大持续输出电流达到2.1A，最大峰值输出电流达到3.5A。

数据手册

5+
￥1.1578
50+
￥0.9236
150+
￥0.8232
500+
￥0.698
2500+
￥0.5261
4000+
￥0.4926

有货

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型号：L293DDM/TR 编号：C2973803

封装：SOP-20

品牌：HGSEMI(华冠)

L293DDM升级替代料，建议试样该器件是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，设计用于接收标准 DTL 或 TTL 逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）以及开关功率晶体管。为便于作为两个桥路使用，每对通道均配备一个使能输入。逻辑部分设有单独的电源输入，允许在较低电压下工作，并且内部包含钳位二极管

数据手册

1+
￥10.92
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￥9.26
30+
￥8.22
100+
￥6.85
500+
￥6.37
1000+
￥6.16

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型号：L9110SDRG4 编号：C52121025

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

L9110S 是为控制和驱动电机设计的双通道推挽式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片输入端兼容TTL/CMOS 电平，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机做正反向运动，它具备较大的电流驱动能力，每通道能通过800mA 的持续电流，峰值电流能力可达1.5A；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流，使它在驱动继电器、直流电机、步进电机或开关功率管的使用上安全可靠。芯片集成有热关断保护功能模块，检测到芯片PN 结温超过设计阈值时，关断所有电路模块功能。

10+
￥0.4682
100+
￥0.3722
300+
￥0.3242
1000+
￥0.2882

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型号：HX293D-S 编号：C49339804

封装：SOP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

该设备是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平。它能够驱动电感负载，如继电器、螺线管、直流电机和步进电机，以及开关功率晶体管。为方便在两个桥接配置中使用，每对通道都配备了一个使能输入。此外，逻辑电路有单独的电源输入，允许在较低电压下工作。还内置了钳位二极管以提高性能。该设备适用于频率高达5kHz的开关操作。

5+
￥2.169 ￥2.41
50+
￥1.719 ￥1.91
150+
￥1.521 ￥1.69
1000+
￥1.278 ￥1.42
2000+
￥1.17 ￥1.3
5000+
￥1.107 ￥1.23

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型号：FM1919 编号：C2837464

封装：ESOP-16

品牌：FM(富满)

该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用N沟和P沟功率MOSFET设计的H桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围（从2V到9.6V），最大持续输出电流达到2.1A，最大峰值输出电流达到3.5A。

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5+
￥1.2457
50+
￥1.0898
150+
￥1.023
500+
￥0.9397

有货

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型号：HX293D-P 编号：C49339803

封装：DIP-16

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

该设备是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准的DTL或TTL逻辑电平。它能够驱动电感负载，如继电器、螺线管、直流电机和步进电机，以及开关功率晶体管。为便于在两种桥接配置中使用，每对通道都配备了一个使能输入。此外，逻辑电路有单独的电源输入，允许在较低电压下工作。内部还包含钳位二极管以提高性能。该设备适用于高达5kHz频率的开关操作。

5+
￥2.169 ￥2.41
50+
￥1.719 ￥1.91
150+
￥1.521 ￥1.69
500+
￥1.278 ￥1.42
2500+
￥1.17 ￥1.3
5000+
￥1.107 ￥1.23

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型号：TC2466H 编号：C2887478

封装：SOP-8

品牌：FM(富满)

该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用N沟和P沟功率MOSFET设计的H桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围（从2V到11V），最大持续输出电流达到2.1A（ESOP），最大峰值输出电流达到3.5A。

数据手册

5+
￥0.9117
50+
￥0.7269
150+
￥0.6345
500+
￥0.5639
2500+
￥0.5085
4000+
￥0.4807

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型号：Y8916 编号：C50201849

封装：SOP-8

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用N沟和P沟功率MOSFET设计的H桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围（从2V到9.6V），最大持续输出电流达到1.5A，最大峰值输出电流达到3A。该驱动电路内置过热保护电路

5+
￥0.9625
50+
￥0.7609
150+
￥0.6745
500+
￥0.5667
3500+
￥0.5187
7000+
￥0.4899

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型号：SS8870T-ES-TP 编号：C3010795

封装：ESOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

独立的H桥驱动，驱动一个直流电机、步进电机的一个绕组或者其它负载；3.6-A 峰值电流驱动能力；集成电流调节功能；低功耗休眠模式；VM欠压锁定；过流保护 (OCP)-过流重启: SS8870T；热关断 (TSD)；故障自恢复；底部散热盘ETSSOP8封装。

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1+
￥4.2
10+
￥3.43
30+
￥3.05
100+
￥2.67

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型号：DRV8962QDDWRQ1 编号：C42253219

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器，适用于各种汽车应用。该器件支持高达60V的电源电压，以及具有50mΩ导通电阻、每路输出能够支持高达5A电流的集成MOSFET。该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个BLDC或PMSM电机以及最多两个热电冷却器（珀耳帖元件）。输出级包括配置为四个独立半桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路

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1+
￥100.83
10+
￥96.33
30+
￥88.53

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型号：GC518 编号：C19192582

封装：ESOP-8

品牌：Gcore(扬州国芯)

该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部采用N沟和P沟功率MOSFET设计的H桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围（从2V到9.6V），最大持续输出电流达到1.8A，最大峰值输出电流达到4.5A。

5+
￥1.0246
50+
￥0.886
150+
￥0.8266
500+
￥0.7524

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型号：DRV8952DDWR 编号：C21860344

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

四通道半桥驱动器– 独立控制每个半桥。可驱动各种类型的负载，如多达四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个或两个热电冷却器 (TEC)、一个三相无刷直流电机、一个三相永磁同步电机 (PMSM)。集成式电流检测和调节，高侧 MOSFET 上的电流检测，每个半桥 (DDW) 的 IPROPI 输出，最大电流下为 5% 检测精度，可选外部检测电阻。与 DRV8955PWP、DRV8962DDW 引脚对引脚兼容。

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1+
￥78.81
10+
￥71.44
30+
￥68.77

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型号：DRV8962DDVR 编号：C34193473

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

DRV8962 是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器，适用于各种工业应用。该器件支持高达 65V 的电源电压；具有 50mΩ 导通电阻的集成式 MOSFET 允许 DDW 封装的每输出产生高达 5A 的电流，允许 DDV 封装的每输出产生高达 10A 的电流。该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个 BLDC 或 PMSM 电机以及最多两个热电冷却器（珀耳帖元件）。器件的输出级包括配置为四个独立半桥的 N 沟道功率 MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路。高侧 MOSFET 上的集成电流检测功能可让器件在负载从输出端接地时调节电流。利用可调外部电压基准 (VREF)，可设置调节电流限值。此外，该器件还提供四个比例电流输出引脚，每个引脚对应一个半桥高侧 FET。可选的外部检测电阻也可从 PGND 引脚连接到系统地。该器件提供一种低功耗睡眠模式，可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括：电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP) 保护和器件过热 (OTSD) 保护。

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1+
￥89.81
10+
￥81.42
30+
￥78.37

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型号：MX2802LL 编号：C513307

封装：SOP-10-150mil

品牌：Mixic(中科芯亿达)

每路通道持续电流500mA，峰值电流600mA— 驱动 5V/500mA 继电器 — 驱动 5V/500mA 电磁阀 — 驱动步进电机;四路输出单向驱动电路

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5+
￥0.9925
50+
￥0.7657
150+
￥0.6685
500+
￥0.5472
2500+
￥0.5096
4000+
￥0.4771

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型号：DRV8952PWPR 编号：C41944404

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器，适用于各种工业应用。该器件最高支持55V的电源电压；导通电阻接近50mΩ的集成式MOSFET允许DDW封装的每个输出端产生高达5A的电流，允许PWP封装的每个输出端产生高达4A的电流。该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个BLDC或PMSM电机以及最多两个热电冷却器（珀耳帖元件）。器件的输出级包括配置为四个独立半桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路

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1+
￥44.61
10+
￥43.48
30+
￥42.73

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型号：HIP4080AIBZT 编号：C3655064

封装：SOIC-20

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高频率、中压N沟道FET全桥驱动IC，包含输入比较器，用于简化“滞后”和PWM操作模式。其HEN（高使能）引脚可强制电流在底部两个外部功率MOSFET中续流，保持上部功率MOSFET关闭。由于可在高达1MHz的频率下切换，适用于驱动音圈电机、开关功率放大器和电源。还可驱动中压有刷电机，两个该IC可用于驱动高性能步进电机，短的最小“导通时间”可提供精细微步进能力。短传播延迟约55ns可最大化控制回路交叉频率，死区时间可调整至接近零以最小化失真，从而精确控制驱动负载。

1+
￥46.91
10+
￥45.83
30+
￥45.11

有货

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型号：HIP4081AIBZT 编号：C309795

封装：SOIC-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4081A是一款高频、中压全桥N沟道FET驱动IC，提供20引脚塑料SOIC和DIP封装。除了会导致直通情况的开关组合外，HIP4081A可以驱动任何可能的开关组合。HIP4081A的开关频率可达1MHz，非常适合驱动音圈电机、高频开关功率放大器和电源。例如，HIP4081A可以驱动中压有刷电机，两个HIP4081A可用于驱动高性能步进电机，因为极短的最小“导通时间”可提供精细的微步进能力。约55ns的短传播延迟可最大化控制环路的交叉频率，死区时间可调节至接近零以最小化失真，从而实现对驱动负载的快速、精确控制。

数据手册

20+
￥17.445754
100+
￥15.051238
1000+
￥13.853981

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型号：AiP6120SA16.TB 编号：C52260114

封装：SOP-16

品牌：I-CORE(中微爱芯)

2线通讯/10路输出继电器/步进电机专用驱动器

5+
￥1.4678
50+
￥1.1604
150+
￥1.0286

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型号：RZ7899-MS 编号：C22462553

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。

1+
￥3.116 ￥3.28
10+
￥2.4035 ￥2.53
30+
￥2.052 ￥2.16
100+
￥1.7385 ￥1.83
500+
￥1.7005 ￥1.79
1000+
￥1.6435 ￥1.73

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型号：DRV8870DDAR 编号：C86590

封装：HSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8870 具有电流调节功能的 50V、3.6A、H 桥电机驱动器

数据手册

5+
￥2.593
50+
￥2.1947
150+
￥2.0003
500+
￥1.8269
2500+
￥1.7793
5000+
￥1.7507

有货

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型号：DRV8837DSGR 编号：C39159

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8837 12V、1.8A H 桥电机驱动器

数据手册

5+
￥1.1787
50+
￥0.9663
150+
￥0.8626
500+
￥0.7701
3000+
￥0.7447
6000+
￥0.7295

有货

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型号：UCC27517DBVR 编号：C99395

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

5+
￥1.7463
50+
￥1.3997
150+
￥1.2305
500+
￥1.0796
3000+
￥0.9336
6000+
￥0.9087

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型号：IR2104STRPBF 编号：C2960

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.48
100+
￥2.2
500+
￥1.85
1000+
￥1.8

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型号：DRV8874PWPR 编号：C1855818

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8874 具有集成电流检测反馈功能的 40V、6A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥5.55
10+
￥4.62
30+
￥3.97
100+
￥3.43
500+
￥3.34
1000+
￥3.24

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型号：TC4427AEOA713 编号：C20551

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A是早期TC4426/TC4427/TC4428系列MOSFET驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们能够承受高达500mA的反向电流（任何极性）被强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4kV的静电放电（ESD）保护。TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驱动器能够在30ns内轻松对1000pF的栅极电容进行充电/放电。这些器件在导通和关断状态下都具有足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

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