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首页 > 热门关键词 > NXP驱动芯片
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33772 是一款 SMARTMOS 锂离子电池单元控制器 IC,专为混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)等汽车应用以及能源存储系统(ESS)和不间断电源(UPS)系统等工业应用而设计。该器件对差分电池单元电压和电流执行 ADC 转换,并进行电池库仑计数和电池温度测量。该信息通过串行外设接口(SPI)或变压器隔离(TPL)以数字方式传输到微控制器进行处理。
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  • 1+

    ¥83.39
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    ¥79.22
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    ¥71.99
  • 有货
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      ¥91.27
    • 30+

      ¥83.01
  • 有货
  • 基于ARM Cortex-M3的微控制器,适用于嵌入式应用,具有高度集成和低功耗的特点。Arm Cortex-M3是下一代内核,提供系统增强功能,如增强的调试功能和更高级别的支持模块集成。LPC1768/67/66/65/64/63的CPU频率最高可达100 MHz,LPC1769的CPU频率最高可达120 MHz。
    数据手册
    • 1+

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      ¥92
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      ¥96.71
    • 30+

      ¥94.38
  • 有货
  • 特性:第1章MC9S12C和MC9S12GC设备概述中1.1.1 Features部分内容(文档未给出具体内容)。 第2章端口集成模块(PIM9C32)中2.1.1 Features部分内容(文档未给出具体内容)。 第3章模块映射控制(MMCV4)中3.1.1 Features部分内容(文档未给出具体内容)。 第4章复用外部总线接口(MEBIV3)中4.1.1 Features部分内容(文档未给出具体内容)
    数据手册
    • 单价:

      ¥106.08 / 个
  • 有货
  • 针对成本敏感型应用进行了优化,这些应用需要低功耗、USB连接性以及带浮点单元的处理效率。它共享了Kinetis系列的全面支持和可扩展性。 高达1MB的闪存和高达128KB的SRAM。 小封装,高内存密度。 运行功耗低至279μA/MHz。 静态功耗低至5.1μA,具备全状态保留和5μs唤醒功能。 最低静态模式低至268nA。 USB LS/FS OTG 2.0,内置3.3V 120mA LDO稳压器
    数据手册
    • 单价:

      ¥110.29 / 个
  • 有货
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      ¥118.87
    • 10+

      ¥113.18
    • 30+

      ¥103.33
  • 有货
  • 该系列压阻式传感器是一款先进的单片硅压力传感器,适用于广泛的应用,特别是那些采用带有A/D输入的微控制器或微处理器的应用。这款获得专利的单元件传感器结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极处理技术,可提供与施加压力成正比的准确、高电平模拟输出信号。
    数据手册
    • 单价:

      ¥119.62 / 个
  • 有货
  • 该产品系列进一步扩展了汽车行业中高度可扩展的 Arm Cortex-M7 内核产品组合,具有更高频率、更多内存、ASIL-B 和 D 评级以及先进的安全模块。专注于汽车环境的鲁棒性,适用于电气恶劣环境中的广泛应用,并针对成本敏感型应用进行了优化,提供新的节省空间的封装选项。该系列提供广泛的内存、外设和性能选项。系列中的设备共享通用外设和引脚排列,便于开发人员在芯片系列内或与其他芯片系列之间轻松迁移,以利用更多内存或功能集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥120.39
    • 10+

      ¥116.24
  • 有货
    • 1+

      ¥120.56
    • 10+

      ¥110.32
    • 30+

      ¥100.9
  • 有货
  • 特性:40 MHz HCS08 CPU,HC08指令集,新增BGND指令,支持多达32个中断/复位源。 FLASH读/编程/擦除电压低至1.8 V。 高达16K FLASH;高达2K RAM。 三种极低功耗停止模式。 降低功耗等待模式。 极低功耗实时中断,可在运行、等待和停止模式下使用
    数据手册
    • 1+

      ¥120.63
    • 10+

      ¥116.47
  • 有货
  • 提供高精度、线性电压输出,与施加压力成正比。传感器是一个单片硅膜片,应变计和薄膜电阻网络集成在芯片上。芯片经过激光微调,可进行精确的量程和偏移校准以及温度补偿。
    数据手册
    • 1+

      ¥121.26
    • 30+

      ¥115.2
  • 有货
  • 针对成本敏感型应用进行了优化,这些应用需要低功耗、USB/以太网连接以及高达256 KB的嵌入式SRAM。该产品具备以下特点:运行功耗低至250 μA/MHz。静态功耗低至5.8 μA,具备全状态保留功能,唤醒时间为5 μs,最低静态模式功耗低至339 nA。具备USB LS/FS OTG 2.0,内置3.3 V、120 mA LDO稳压器,支持USB设备无晶振运行。具备10/100 Mbit/s以太网MAC,支持MII和RMII接口
    数据手册
    • 1+

      ¥121.36
    • 10+

      ¥115.31
    • 30+

      ¥104.83
  • 有货
  • 是基于ARM Cortex-M4的微控制器,带有浮点单元(FPU),适用于嵌入式应用。包含ARM Cortex-M0协处理器,高达1 MB的闪存、136 kB的片上SRAM、16 kB的EEPROM内存、两个高速USB控制器、以太网、LCD、外部内存控制器、支持执行即取的Quad SPI闪存接口(SPIFI)、先进的可配置外设(如状态可配置定时器(SCTimer/PWM)和串行通用I/O(SGPIO)接口)以及多个数字和模拟外设。可在高达204 MHz的CPU频率下运行。ARM Cortex-M4是32位内核,具有低功耗、增强的调试功能和高度的支持块集成等系统增强特性
    数据手册
    • 1+

      ¥123.07
    • 10+

      ¥116.86
    • 30+

      ¥106.11
  • 有货
  • 优化用于对成本敏感、需要低功耗、USB连接性、带浮点单元处理效率的应用。具备Kinetis系列的全面支持和可扩展性。提供高达1 MB的闪存和高达128 KB的SRAM,小封装高内存密度,运行功耗低至279μA/MHz,静态功耗低至5.1μA(全状态保留,5μs唤醒),最低静态模式低至268 nA,具备USB LS/FS OTG 2.0和嵌入式3.3V 120 mA LDO稳压器。
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    • 1+

      ¥124.55
    • 10+

      ¥118.34
    • 30+

      ¥107.58
  • 有货
  • 特性:工作特性: 电压范围:1.71 至 3.6V。 闪存写入电压范围:1.71 至 3.6V。 温度范围(环境):-40 至 105℃。 性能: 高达 100MHz 的 ARM Cortex-M4 内核,带有 DSP 指令,每 MHz 可提供 1.25 Dhrystone MIPS。 存储器和存储器接口: 非 FlexMemory 设备上高达 512KB 的程序闪存。 高达 128KB 的 RAM
    数据手册
    • 1+

      ¥125.18
    • 10+

      ¥120.85
  • 有货
  • 特性:电压范围:2.7 V至5.5 V。 环境温度范围:HSRUN模式下为 -40℃至105℃,RUN模式下为 -40℃至150℃。 Arm Cortex-M4F/M0+ 32位CPU核心。 支持高达112 MHz频率(HSRUN模式),每MHz 1.25 Dhrystone MIPS。 基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm核心。 集成数字信号处理器(DSP)。 可配置嵌套向量中断控制器(NVIC)。 单精度浮点单元(FPU)
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    • 1+

      ¥127.79
    • 30+

      ¥121.01
  • 有货
  • 特性:第1章MC9S12C和MC9S12GC设备概述中1.1.1 Features部分内容(文档未给出具体内容)。 第2章端口集成模块(PIM9C32)中2.1.1 Features部分内容(文档未给出具体内容)。 第3章模块映射控制(MMCV4)中3.1.1 Features部分内容(文档未给出具体内容)。 第4章复用外部总线接口(MEBIV3)中4.1.1 Features部分内容(文档未给出具体内容)
    数据手册
    • 1+

      ¥130.78
    • 30+

      ¥124.29
  • 有货
  • 是基于ARM Cortex-M4的微控制器,带有浮点单元(FPU),适用于嵌入式应用。包含ARM Cortex-M0协处理器,高达1 MB的闪存、136 kB的片上SRAM、16 kB的EEPROM内存、两个高速USB控制器、以太网、LCD、外部内存控制器、支持执行即取的Quad SPI闪存接口(SPIFI)、先进的可配置外设(如状态可配置定时器(SCTimer/PWM)和串行通用I/O(SGPIO)接口)以及多个数字和模拟外设。可在高达204 MHz的CPU频率下运行。ARM Cortex-M4是32位内核,具有低功耗、增强的调试功能和高度的支持块集成等系统增强特性
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    • 1+

      ¥131.04
    • 10+

      ¥126.52
  • 有货
  • 33772 是一款 SMARTMOS 锂离子电池单元控制器 IC,专为混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)等汽车应用以及能源存储系统(ESS)和不间断电源(UPS)系统等工业应用而设计。该器件对差分电池单元电压和电流执行 ADC 转换,并进行电池库仑计数和电池温度测量。该信息通过串行外设接口(SPI)或变压器隔离(TPL)以数字方式传输到微控制器进行处理。
    数据手册
    • 1+

      ¥131.93
    • 10+

      ¥125.33
    • 30+

      ¥113.89
  • 有货
  • i.MX 32-bit MPU, ARM Cortex-A7 core, 500MHz, 289BGAArm Cortex-A7Core: Number of cores (SPEC)1SRAM (kB)128支持外部存储器DDR3 SDRAM, DDR3L SDRAM, LPDDR2 DRAMSerial Communication4 x I?C, 4 x SPI, 8 x UARTI2S-CAN-Serial Audio Interface (SAI)-EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM8ADC [Number, bits]2 x 12Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)
    数据手册
    • 1+

      ¥135.08
    • 10+

      ¥128.62
    • 30+

      ¥117.43
  • 有货
  • 特性:电压范围:1.71至3.6V。 闪存写入电压范围:1.71至3.6V。 温度范围(环境):-40至105℃。 高达150MHz Arm Cortex-M4内核,带DSP指令,每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。 非FlexMemory设备上高达1024KB程序闪存。 FlexMemory设备上高达512KB程序闪存
    数据手册
    • 单价:

      ¥139.9 / 个
  • 有货
    • 1+

      ¥141.95
    • 3+

      ¥135.24
    • 30+

      ¥128.54
  • 有货
  • 传感器集成了片上双极运算放大器电路和薄膜电阻网络,以提供高输出信号和温度补偿。片上集成的小尺寸和高可靠性使压力传感器成为系统设计人员合理且经济的选择。该压阻式传感器是一种先进的单片式、信号调理型硅压力传感器。该传感器结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极半导体工艺,以提供与施加压力成比例的精确、高电平模拟输出信号。
    数据手册
    • 单价:

      ¥145.68 / 个
  • 有货
  • 该传感器将高灵敏度植入式应变计与先进的微加工技术、薄膜金属化和双极处理相结合,可提供与施加压力成正比的准确、高电平模拟输出信号,适用于各种应用,尤其适用于采用带有A/D输入的微控制器或微处理器的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥148.23
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      ¥143.47
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