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TLE94106ES是一款具备保护功能的六路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风与空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

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型号：MS4931 编号：C231944

封装：VQFN-28-EP(5x5)

品牌：杭州瑞盟

三相有感方波BLDC预驱动有感，方波，外置mos

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型号：IXDN609SIA 编号：C3036216

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：BD6380EFV-E2 编号：C2653532

封装：HTSSOP-24-EP-5.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

该系列产品可驱动用于进纸托架的双极步进电机，是一款低功耗双极PWM恒流驱动驱动器。通过节能功能，适用于电池驱动的移动设备。采用超薄、高散热（外露金属型）HTSSOP封装，有助于减小安装面积。

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型号：MC33151VDR2G 编号：C603251

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：MIC4428YM 编号：C637542

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：IR2010STRPBF 编号：C114890

封装：SOIC-16-300mil

是高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200V的N沟道功率MOSFET或IGBT。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现坚固的单片结构。

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型号：1EDC20H12AH 编号：C530940

封装：DSO-8

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：UCC27211DR 编号：C2871979

封装：SOIC-8

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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型号：1EDI60N12AF 编号：C454268

封装：SO-8

特性：单通道隔离式MOSFET驱动器。输入到输出隔离电压高达1200 V。适用于高压功率MOSFET。轨到轨输出的典型峰值电流高达10 A。独立的源极和漏极输出。电流隔离核心

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型号：DRV8323SRTAR 编号：C701784

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8323 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：1EDB8275FXUMA1 编号：C17236640

封装：SOIC-8

是单通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术实现隔离。具有严格的时序规格，适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。

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型号：MP1924HS-LF-Z 编号：C6595398

封装：SOIC-8

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型号：MP1907AGQ-Z 编号：C6096968

封装：QFN-10(3x3)

MP1907A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配在5ns以内。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出低电平

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型号：1ED3125MU12FXUMA1 编号：C17662842

封装：SOIC-8

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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型号：2ED020I12-FI 编号：C533039

封装：DSO-18

2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。

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型号：TD350ETR 编号：C155663

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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型号：DRV8813PWPR 编号：C701795

封装：HTSSOP-28-EP

DRV8813 具有电流调节功能的 45V、2.5A 双极步进或双通道 H 桥电机驱动器

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型号：LM5110-2MX/NOPB 编号：C962895

封装：SOIC-8

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：MP8040DN-LF-Z 编号：C3654840

封装：SOIC-8-EP

是一款通用高频半桥功率驱动器，能够驱动9A负载。该设备集成了顶部和底部N沟道MOSFET功率开关，并通过预设的逐周期电流限制，对源电流和灌电流进行全面保护。具有7.5V至25V的宽输入电压范围。具有低电流关断模式、输入欠压保护、热关断和故障标志信号输出功能。可与标准逻辑信号接口，采用带外露焊盘的小型8引脚SOIC封装。

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型号：DRV8308RHAR 编号：C181641

封装：VQFN-40-EP(6x6)

DRV8308 具有 SPI 的最大 42V 含传感器正弦控制三相 BLDC 栅极驱动器

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型号：AUIRS2181STR 编号：C533513

封装：SOIC-8

AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：EMC2302-1-AIZL-TR 编号：C626969

封装：MSOP-10

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

EMC2301/2/3/5系列是一款符合SMBus标准的风扇控制器，具备多达五个可独立控制的PWM风扇驱动器。每个风扇驱动器由一个可编程频率的PWM驱动器和风扇转速控制算法控制，该算法既可以闭环方式运行，也可作为直接PWM控制设备运行。每个闭环风扇转速控制（FSC）算法都能够检测老化风扇并向系统发出警报

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型号：1ED3123MU12HXUMA1 编号：C17449724

封装：SOIC-8-300mil

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：MP6543CGL-Z 编号：C6306190

封装：QFN-24(3x4)

是一款三相无刷直流 (BLDC) 电机驱动器，具有三个集成半桥，由六个 N 沟道功率 MOSFET 以及六个预驱动器、两个栅极驱动器电源和三个电流检测放大器组成。每个半桥包括一个使能 (EN) 输入和脉宽调制 (PWM) 输入。可在 3V 至 22V 输入电压 (VIN) 范围内实现高达 1.2A 的连续输出电流 (IOUT)。内部电流检测电路不需要低欧姆分流电阻

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型号：Mp6528GR-Z 编号：C1884680

封装：QFN-28-EP(4x4)

MP6528 是一款专为 H 桥驱动应用设计的栅极驱动 IC。它能够驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥，耐压高达 60V。MP6528 集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端 MOSFET 驱动器生成电源电压

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型号：MP6619LGQ-Z 编号：C5792697

封装：QFN-19(3x3)