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封装：SOIC-8

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

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型号：MC33035MW/TR-HG 编号：C53155527

封装：SOP-24W

品牌：HGSEMI(华冠)

Brushless DC Motor Controller

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型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：FAN7385MX 编号：C556415

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7385 是单片 IC，设计用于工作电压最高可达 +600 V 的高电压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路能使高端栅极驱动器的工作偏置电压达到 V

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型号：TF2117-3AS 编号：C6387924

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：COS4422SR 编号：C5175411

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO过温保护功能

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型号：L298N 编号：C434589

封装：Multiwatt-15

品牌：HGSEMI(华冠)

L298是一款采用15引脚Multiwatt和PowerSO20封装的单片集成电路。它是一款高压、大电流双路全桥驱动器，设计用于接收标准TTL逻辑电平，并驱动继电器、螺线管、直流电机和步进电机等感性负载。该器件提供两个使能输入，可独立于输入信号对器件进行使能或禁用操作

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型号：IXDF602SIATR 编号：C3655725

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

这款双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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型号：BD63800MUF-CE2 编号：C3681308

封装：VFQFN-32-EP

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：A4954ELPTR-T 编号：C2688265

封装：TSSOP-16-EP-175mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4954专为两个直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够提供高达±2 A的峰值输出电流，工作电压可达40 V。该器件设有输入端子，可利用外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成同步整流控制电路，可降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护功能包括过流保护、电机引线对地或电源短路保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测以及交越电流保护。A4954采用带外露散热焊盘的低外形16引脚TSSOP封装（后缀LP），符合无铅（Pb）标准，引脚框采用100%雾锡电镀。

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￥11.73
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型号：DRV8834RGER 编号：C400392

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器

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型号：SI8233AD-D-ISR 编号：C22457486

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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型号：VNH5050ATR-E 编号：C2653543

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：EMC2303-1-KP-TR 编号：C621414

封装：TQFN-12-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

EMC2301/2/3/5系列是一款符合SMBus标准的风扇控制器，具备多达五个可独立控制的PWM风扇驱动器。每个风扇驱动器由一个可编程频率的PWM驱动器和风扇转速控制算法控制，该算法既可以闭环方式运行，也可作为直接PWM控制设备运行。每个闭环风扇转速控制（FSC）算法都能够检测老化风扇并向系统发出警报

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型号：TC4422AVOA713 编号：C157601

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：LM5113QDPRRQ1 编号：C2677036

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：MIC4224YM 编号：C637528

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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型号：IXDN630CI 编号：C1524123

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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型号：DRV3205QPHPRQ1 编号：C2150636

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器

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￥62.14
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型号：2SC0108T2G0-17 编号：C1549443

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI能力；实现了SSD；无铅）/2SC0108T2G0C-17（采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本），将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块，最高可达600A/1200V或450A/1700V。

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型号：MX6208(MS) 编号：C20627212

封装：SOIC-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MX6208(MS)是为5V 和12V 供电电压下工作的系统而设计的单通道低导通电阻直流电机驱动集成电路。集成了电机正转/反转/停止/刹车四个功能。MX6208(MS)集成了温度保护功能，当芯片温度超过内部温度保护电路设置得最高温度点后，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流，避免温度过高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。