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首页 > 热门关键词 > TM驱动芯片
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一款三相无传感器无刷直流(BLDC)电机控制器,适用于外接 N 沟道功率 MOSFET,专为汽车应用而设计。它旨在为系统提供电机控制功能,在该系统中,小型微控制器负责与中央电子控制单元(ECU)进行通信,并进行智能故障和状态处理。A4964 为微控制器提供电源和看门狗功能,以及微控制器与中央 ECU 和点火开关之间的高压接口。A4964 也可作为独立的单芯片远程电机控制器运行。电机采用三相正弦电流驱动,通过监测电机反电动势(bemf)来确定相位换相,无需独立的位置传感器。无传感器启动方案包括正向和反向预旋转(风车效应)检测与同步,使 A4964 能够在各种电机和负载组合下运行。A4964 可进行占空比(电压)控制、电流(转矩限制)控制和闭环速度控制。控制模式、运行模式和控制参数通过兼容 SPI 的串行接口进行编程。单个电流检测放大器通过串行接口实现峰值电流限制和平均电流测量。集成诊断功能可指示欠压、过温和功率桥故障,并能在大多数短路情况下保护功率开关。
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  • 电机驱动器,正向/反向,低饱和电压,12V
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  • NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器,主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术,该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻,驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节
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  • TMI8110是一款适用于多种应用的电机驱动器。该器件集成了H桥、电荷泵稳压器、电流检测与调节、电流比例输出以及保护电路。电荷泵通过支持高端N沟道MOSFET和100%占空比,提高了效率
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  • 一款高压 H 桥单芯片线性谐振致动器(LRA)触觉驱动器,基于反电动势(BEMF)实现 F0 检测与跟踪,内置升压转换器,驱动电压最高可达 11V,支持实时播放、内存播放、连续播放、一线式触发播放和硬件引脚触发播放。典型启动时间为 1ms,使其成为快速响应的理想触觉驱动器。集成 12KB 静态随机存取存储器(SRAM),用于存储用户自定义波形,以实现多种振动体验,支持 3 种采样率(12k/24k/48k)的波形加载到 SRAM 中,并支持将输出波形采样率上采样至 48k
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  • TMI8340是一款直流双向电机驱动器,适用于中、大电流电机。两个逻辑输入端(IN1/IN2)用作PWM控制模式的输入,通过H桥控制电流的流向,进而控制直流电机的旋转方向。该电路抗干扰性好、待机电流小、输出内阻超低,采用BCD工艺,耐压能力强,释放感性负载时的反向浪涌电流能力强
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  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • NSD1025E 是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器,适用于 MOSFET 和 IGBT。它能够向容性负载提供 5A 的灌电流和拉电流,同时具备轨到轨输出,以减少 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟,使 NSD1025E 适用于高频电源转换器应用
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  • 9A,4.5V-18V,单同相,高速低功耗MOSFET低边驱动器,带使能,UVLO及过温保护功能
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  • NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器,适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件,提供了一个经济高效的方案。 该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出(所有版本)和单独的高电平和低电平(VOH 和 VOL)驱动器输出(仅限 NCV5701C),方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源(以及 NCV5701B 双极偏置电源)电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装,经过 AEC-Q100 认证。
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  • FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动 芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。
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  • 2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅(thin-film-SOI)技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容
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  • UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
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  • TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时,TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下,这些器件都具有很强的抗闩锁能力
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  • TB6568KQ是一款全桥直流电机驱动IC,其输出功率晶体管采用MOS工艺。低导通电阻的MOS工艺和PWM控制可实现高热效率的直流电机驱动。通过IN1和IN2可选择四种运行模式:顺时针(CW)、逆时针(CCW)、短路制动和停止
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  • NCV7718B/C由十二个DMOS功率驱动器(六个PMOS高端驱动器和六个NMOS低端驱动器)组成,这些驱动器配置为六个半桥,可实现三个独立的全桥操作。每个输出驱动器的最大直流负载为550 mA,典型浪涌能力为2 A(在VSx = 13.2 V时)。必须严格遵守集成电路管芯温度要求
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  • DRV8323 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器
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  • 马达驱动 双路全桥驱动,静态电流Iq(Typ)10mA
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  • 具有二极管的推挽四通道驱动器
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  • MP1907是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道可独立控制,且延时匹配误差小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能,在电源供电不足时会强制其输出为低电平
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  • MCP14A1201/2 器件是高速 MOSFET 驱动器,在单 4.5V 至 18V 电源供电下,能够提供高达 12.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择:反相(MCP14A1201)和同相(MCP14A1202)。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟,使其非常适合高开关频率应用。MCP14A1201/2 系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效使能引脚可拉低,以使 MCP14A1201/2 的输出为低电平,而与输入引脚的状态无关。集成上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们能够承受高达 500 mA 的反向电流倒灌到其输出端,而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达 2 kV(HBM)和 200V(MM)的静电放电(ESD)保护。
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  • AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
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  • 1ED31xxMU12H(1ED-X3紧凑型)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作,采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
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  • 用于汽车直流电机驱动的H桥电机驱动器
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      ¥17.44
  • 有货
  • LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器
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      ¥18.59
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      ¥15.91
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  • 128细分 1.8A 步进电机驱动器
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      ¥14.19
    • 500+

      ¥13.32
  • 有货
  • DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥21.13
    • 10+

      ¥18.1
    • 30+

      ¥16.3
  • 有货
  • IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥23.21
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  • 步进电机电流控制器
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