TM驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8801AQRMJRQ1 编号：C701788

封装：WQFN-16-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8801A-Q1 具有电流反馈功能并采用可湿性侧面 QFN 封装的汽车类 40V、2.8A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥9.62
10+
￥8.15
30+
￥7.34
100+
￥6.43
500+
￥6.02
1000+
￥5.84

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型号：DRV8812PWPR 编号：C55767

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8812 具有电流调节功能的 45V、1.6A 双极步进或双通道 H 桥电机驱动器

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￥6.05
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￥4.98
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￥3.91
500+
￥3.39
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型号：A3901SEJTR-T 编号：C146403

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

斩波稳定二线制霍尔开关

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￥6.11
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100+
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1500+
￥2.94

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型号：FU6812V 编号：C22471069

封装：SSOP-24

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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￥6.39
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￥5.19
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￥4.6
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￥4
500+
￥3.65
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型号：VNN3NV04PTR-E 编号：C443999

封装：SOT-223-4

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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￥6.67
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￥4.01
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￥3.64
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型号：DRV8824PWPR 编号：C86252

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8824 具有电流调节功能和 1/32 微步进的 45V、1.6A 双极步进电机驱动器

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1+
￥6.92
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￥5.77
30+
￥5.14
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￥4.34
500+
￥4.03
1000+
￥3.88

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型号：IXDN602SIATR 编号：C431679

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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￥7.1
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型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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￥7.73
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￥6.62
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￥6.06
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￥5.51
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￥5.18
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￥5

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型号：TC4420VOA713 编号：C624916

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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￥7.99
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￥6.43
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￥5.65
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￥4.87
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￥4.17

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥8.1795 ￥8.61
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￥4.6075 ￥4.85

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型号：BD16950EFV-CE2 编号：C2676964

封装：HTSSOP-24-EP-5.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

BD16950EFV是一款符合AEC Q100汽车级标准的双通道半桥栅极驱动器，由外部MCU通过16位串行外设接口（SPI）进行控制。通过独立控制低端和高端N沟道MOSFET，可实现多种MCU控制模式。该驱动器具备可编程驱动电流，可调节转换速率，以满足电磁干扰（EMI）和功耗要求

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￥8.73
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￥7.95
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￥7.46
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￥6.74
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型号：DRV8874QPWPRQ1 编号：C22448174

封装：HTSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有N沟道H桥、电荷泵、电流感测和比例输出、电流调节和保护电路的集成电机驱动器。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提升效率。该器件系列具有引脚对引脚RDS(on)型号，只需对设计进行少量改动即可支持不同负载。IPROPI引脚上的内部电流镜架构实现电流感测和调节

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￥9.01
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￥5.29
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￥4.82
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￥4.61

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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￥9.72
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￥7.37
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型号：TLE94108ES 编号：C7602527

封装：PG-TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

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￥8.59
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￥7.75
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￥7.64

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型号：UCC27211ADRMR 编号：C1848363

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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1+
￥11.31
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￥9.56
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￥8.6
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￥7.22
500+
￥6.74

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型号：IRS2453DSTRPBF 编号：C52141

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

集成的600V全桥门驱动器

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1+
￥11.78
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￥8.69
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￥6.93

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型号：BM6104FV-CE2 编号：C507464

封装：SSOP-20-6.1mm

品牌：ROHM(罗姆)

BM6104FV-C是一款栅极驱动器，隔离电压为2500Vrms，I/O延迟时间为150ns，最小输入脉冲宽度为90ns，集成了故障信号输出功能、欠压锁定（UVLO）功能和短路电流保护（SCP、DESAT）功能。

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￥12.21
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￥10.25
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￥9.03
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￥7.77
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￥7.21
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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

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1+
￥13.15
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￥9.68
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型号：SLMi335CG-DG 编号：C6332183

封装：SOP-16W

品牌：Sillumin(数明半导体)

隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器，用于碳化硅（SiC）/绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流，具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V，带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V，输出侧电源范围为14V至40V

1+
￥13.5
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￥10.07
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￥8.72
500+
￥8.11

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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￥13.92
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￥12.04
30+
￥10.87
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￥7.43
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￥6.89
1000+
￥6.66

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

1+
￥29.82
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￥25.8
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￥23.41
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￥19.5
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￥18.38
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￥17.88

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型号：LM5101CSD/NOPB 编号：C1880281

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101C 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥31.26
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￥26.74
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￥24.06
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￥21.35

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型号：TMC2226-SA-T 编号：C705366

封装：HTSSOP-28

品牌：TRINAMIC

TMC2226是一款用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。先进的StealthChop2斩波器可确保无噪音运行、实现最高效率并提供最佳电机扭矩。其快速电流调节功能，以及与SpreadCycle的可选组合，可实现高动态运动，同时还集成了用于无传感器回零的StallGuard功能。集成的功率MOSFET可处理高达2A RMS的电机电流，并具备保护和诊断功能，确保运行稳定可靠。简单易用的UART接口提供了调优和控制选项。可将应用调优参数存储到OTP存储器中。将设计升级为无噪音、最精确的运行模式，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

数据手册

1+
￥32.06
10+
￥27.78
30+
￥25.23
100+
￥21.21

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型号：L6470PDTR 编号：C526277

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

数据手册

1+
￥47.17
10+
￥40.86
30+
￥33.04
100+
￥29.81

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型号：GR6203 编号：C18164406

封装：SOT-23

品牌：GR(国睿)

LED驱动芯片低启动电压：0.9V，可驱动1～5个普通白光LED等；低功耗，外围简单。

10+
￥0.3906
100+
￥0.3042
300+
￥0.261
3000+
￥0.2286
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￥0.2027
9000+
￥0.1897

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型号：UCC27517DBVR-S-JSM 编号：C52711846

封装：TSOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道栅极驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥0.65544 ￥0.8193
50+
￥0.52104 ￥0.6513
150+
￥0.45384 ￥0.5673
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￥0.40344 ￥0.5043
3000+
￥0.34224 ￥0.4278
6000+
￥0.322 ￥0.4025

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型号：DGD0211CWT-TP 编号：C51939542

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.408128 ￥1.8528
50+
￥1.113172 ￥1.4647
150+
￥0.986784 ￥1.2984
500+
￥0.829084 ￥1.0909
3000+
￥0.75886 ￥0.9985
6000+
￥0.71668 ￥0.943

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型号：GBI7250TJBR 编号：C5451739

封装：TSOT23-5

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。

5+
￥1.5746
50+
￥1.2364
150+
￥1.0914
500+
￥0.9106
3000+
￥0.8301

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型号：TF0216S-USQ 编号：C22358663

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

低边高速栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥1.576 ￥1.97
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￥1.376 ￥1.72
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￥1.288 ￥1.61
100+
￥1.176 ￥1.47
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￥1.128 ￥1.41
1000+
￥1.104 ￥1.38

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型号：UCC44273DBVR-TP 编号：C51939680

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.6093 ￥2.1175
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￥1.272164 ￥1.6739
150+
￥1.127764 ￥1.4839
500+
￥0.947492 ￥1.2467
3000+
￥0.867236 ￥1.1411
6000+
￥0.819052 ￥1.0777

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