TM驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MAX4427ESA+T 编号：C559513

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥13.8336 ￥15.72
10+
￥13.156 ￥14.95
30+
￥12.7424 ￥14.48
100+
￥12.3376 ￥14.02
500+
￥12.144 ￥13.8
1000+
￥12.056 ￥13.7

有货

立即购买

型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

数据手册

1+
￥14.07
10+
￥12.2
30+
￥11.03
100+
￥7.59
500+
￥7.05
1000+
￥6.81

有货

立即购买

型号：DRV8323RHRGZR 编号：C543035

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥14.15
10+
￥11.93
30+
￥10.17
100+
￥8.75
500+
￥8.1

有货

立即购买

型号：MCT8314Z0HRRWR 编号：C34748847

封装：WQFN-24(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

为要驱动12V至24V有刷直流电机的客户提供了一种单芯片无代码含传感器梯形换向器件。集成了三个1/2H桥，具有40V的绝对最大电压和575mΩ的低RDS(ON)（高侧和低侧相结合），可提供大功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或肩负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。集成的5V LDO可为器件生成必要的电压轨并为外部电路供电

数据手册

1+
￥14.67
10+
￥12.3
30+
￥10.82
100+
￥9.31
500+
￥8.62
1000+
￥8.33

有货

立即购买

型号：DRV8718SQRVJRQ1 编号：C3019561

封装：HVQFN-56-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8718-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、8 通道半桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥15.1
10+
￥12.75
30+
￥11.29
100+
￥9.78
500+
￥9.1
1000+
￥8.81

有货

立即购买

型号：1ED020I12-F2 编号：C2441209

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

数据手册

1+
￥16.37
10+
￥13.79
30+
￥12.17

有货

立即购买

型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

数据手册

1+
￥17.84
10+
￥16.9
30+
￥16.35
100+
￥15.78
500+
￥15.52
1000+
￥15.4

有货

立即购买

型号：A3977SLPTR-T 编号：C163514

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

输出额定值：±2.5 A、35 V 低导通电阻（RDS(on)）输出，典型值：源极 0.28 Ω，漏极 0.22 Ω

数据手册

1+
￥18.23
10+
￥15.29
30+
￥13.45
100+
￥11.57
500+
￥10.72
1000+
￥10.35

有货

立即购买

型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

1+
￥22.29
10+
￥21.28
30+
￥20.69
100+
￥18.28
500+
￥18
1000+
￥17.88

有货

立即购买

型号：L6205PD013TR 编号：C36543

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

1+
￥22.8
10+
￥19.47
30+
￥16.03
100+
￥13.9
600+
￥12.93

有货

立即购买

型号：1ED3491MU12M 编号：C530929

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

1+
￥26.95
10+
￥22.93
30+
￥20.54
100+
￥18.12
500+
￥17.01

有货

立即购买

型号：TMC2130-TA-T 编号：C328952

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：TRINAMIC

TMC2130是一款用于两相步进电机的高性能驱动IC。标准SPI和STEP/DIR接口简化了通信。TRINAMIC先进的stealthChop斩波器可确保无噪音运行，同时实现最高效率和最佳电机扭矩。coolStep功能可将能耗降低多达75%。dcStep功能可在无失步的情况下尽可能快速驱动高负载。集成功率MOSFET可处理每相绕组高达1.2A RMS（QFN封装）/ 1.4A RMS（TQFP封装）的电机电流，或每相绕组2.5A的短时峰值电流。保护和诊断功能支持稳定可靠的运行。业界最先进的步进电机驱动器可实现小型化设计，减少外部元件数量，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

数据手册

1+
￥28.8
10+
￥27.53
30+
￥25.66
100+
￥25.01

有货

立即购买

型号：DRV8316CTQRGFRQ1 编号：C20345370

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C-Q1集成了三个H桥，绝对最大耐压能力为40 V，导通电阻RDS(ON)极低，仅为95 mΩ（高端 + 低端），可为12 V汽车无刷直流电机提供高功率驱动能力。DRV8316C-Q1具备集成式电流感应功能，无需外部检测电阻。DRV8316C-Q1集成了电源管理电路，包括电压可调的降压稳压器（3.3 V / 5 V，200 mA）和低压差线性稳压器（LDO，3.3 V / 30 mA），可用于为外部电路供电。DRV8316C-Q1提供可配置的6倍或3倍PWM控制方案，可配合外部微控制器实现有感或无感磁场定向控制（FOC）、正弦控制或梯形控制。DRV8316C-Q1能够驱动高达200 kHz的PWM频率。DRV8316C-Q1可通过SPI（DRV8316CR-Q1）或引脚（DRV8316CT-Q1）进行高度配置，PWM模式、压摆率、过流保护（OCP）电平、电流感应增益等均为可配置特性。DRV8316C-Q1集成了多项保护功能，包括电源欠压锁定（UVLO）、过压保护（OVP）、电荷泵欠压（CPUV）、过流保护（OCP）、过温警告（OTW）和过温关断（OTSD），可保护器件、电机和系统免受故障影响。故障状态通过nFAULT引脚指示。

1+
￥34.05
10+
￥28.85
30+
￥25.77
100+
￥22.64
500+
￥21.2

有货

立即购买

型号：L6472HTR 编号：C222220

封装：HTSSOP-28

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

数据手册

1+
￥38.79
10+
￥33.07
30+
￥29.58
100+
￥26.66

有货

立即购买

型号：GR6205 编号：C18164412

封装：SOT-23-6

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片 5V，双向马达驱动芯片，可驱动马达正转、反转、停止

20+
￥0.1857
200+
￥0.1425
600+
￥0.1185
3000+
￥0.1041
9000+
￥0.0916
21000+
￥0.0848

有货

立即购买

型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

5+
￥0.7249
50+
￥0.5809
150+
￥0.5089
500+
￥0.4549
2500+
￥0.4117
4000+
￥0.39

有货

立即购买

型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

5+
￥1.2273
50+
￥0.9597
150+
￥0.845
500+
￥0.7019
3000+
￥0.6382
6000+
￥0.6

有货

立即购买

型号：BDR6122T 编号：C908104

封装：WDFN-8-EP(2x2)

品牌：巴丁微

是一款直流电机驱动IC，输出DC电流达可到1.8A，适用于电动牙刷、智能锁、消费类产品以及其它低压或者电池供电的运动控制产品。

数据手册

5+
￥1.278
50+
￥0.9907
150+
￥0.8675
500+
￥0.7139
2500+
￥0.6455

有货

立即购买

型号：TF2003M-TR-JSM 编号：C7432830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥1.332 ￥1.48
10+
￥1.305 ￥1.45
30+
￥1.287 ￥1.43
100+
￥1.26 ￥1.4

有货

立即购买

型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

数据手册