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封装：QFN-28-EP(5x5)

设计用于三相无刷直流电机的脉宽调制 (PWM) 电流控制。能够为 6 个全 N 沟道功率 MOSFET 提供高电流栅极驱动。内部电荷泵确保在低至 7V 的电源下提供栅极驱动，并在低至 5V 时提供有限的栅极驱动。使用自举电容为 N 沟道 MOSFET 产生高于高端 MOSFET 源极电压的电源电压

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￥20.37
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￥17.02
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￥14.61

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型号：DRV8889QPWPRQ1 编号：C701813

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8889-Q1 具有集成式电流检测和失速检测功能的汽车类 50V、1.5A 双极步进电机驱动器

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￥22.21
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型号：TC4422AVOA 编号：C37183

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

用于超大负载线路的线路驱动器；脉冲发生器；驱动大功率的MOSFET和IGBT；本地电源开关；电机和螺线管驱动器；LF起动器。这些器件是强电流缓冲器／驱动器，能够驱动大功率MOSFET或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。除具有匹配的输出上升和下降时间外，还具有匹配的上升沿和下降沿传输时延。还具有极低的交叉导通电流，可以降低器件的总功耗。这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况下都不会闭锁。当接地端的地弹反射小于等于5V的情况下，这些器件不会受损或产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的大于1A的感应电流，而不会造成器件损害或逻辑混乱。另外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4kV的静态放电。输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外，输入端有300mV的迟滞电压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢上升或下降的波形来驱动器件。采用表面贴装和过孔封装形式，并且具有宽的工作温度范围，适合于大多数需要很高的门／线路容性驱动的应用。

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￥26.16
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型号：VNH7040AYTR 编号：C2969764

封装：BFSOP-36-Power

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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￥28.89
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￥22.02

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型号：LMG1025QDEETQ1 编号：C1858370

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

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￥32.27
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型号：TC4421AVAT 编号：C641432

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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￥35.39
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型号：L6206PD 编号：C2971141

封装：BSSOP-36-EP-11mm

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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￥36.37
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￥34.64
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￥33.59
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型号：LT1910ES8#TRPBF 编号：C579923

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

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￥37.94
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￥26.68

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型号：VNH5019ATR-E 编号：C2653552

封装：MultiPowerSO-30

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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￥39.65
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型号：L6470PDTR 编号：C526277

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

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￥43.71
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型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310

封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)

品牌：TI(德州仪器)

集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。

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1+
￥97.05
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￥92.3
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￥84.07

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型号：CP6208DTR(XBLW) 编号：C23066807

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

CP6208设计用于驱动可逆电机使用，它包含一个逻辑部分来控制正向和反向旋转以及强制停止，输出功率部分能够根据逻辑控制提供高达100mA(典型)的输出电流.

20+
￥0.2217
200+
￥0.1704
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￥0.1419
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￥0.11
20000+
￥0.102

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型号：LKS570 编号：C22447892

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS570 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +250V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

单价：
￥0.3596 / 个

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型号：AP1511-MS 编号：C19272817

封装：SOT-23-6

品牌：MSKSEMI(美森科)

H桥驱动芯片(HS+LS),兼容1.8V/3.3V/5.0VIO集成过温保护、欠压保护，应用领域：IR-CUR，安防电子等

5+
￥0.6893
50+
￥0.5453
150+
￥0.4733
500+
￥0.4193
3000+
￥0.3761
6000+
￥0.3545

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型号：DRV8837DSGT-JSM 编号：C22447133

封装：DFN-8(2x2)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

1.8A 12V低压全桥电机驱动芯片内置欠压保护过流过温保护 H桥电机驱动器

5+
￥0.690612 ￥0.9087
50+
￥0.537396 ￥0.7071
150+
￥0.471732 ￥0.6207
500+
￥0.389804 ￥0.5129
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￥0.362444 ￥0.4769
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￥0.34048 ￥0.448

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型号：G2021 编号：C7421050

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

1+
￥0.70224 ￥0.7392
10+
￥0.55518 ￥0.5844
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￥0.481555 ￥0.5069
100+
￥0.426455 ￥0.4489
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￥0.38228 ￥0.4024
1000+
￥0.36024 ￥0.3792

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型号：SSP8810M6R 编号：C45359457

封装：SOT-23-6

品牌：Siproin(上海矽朋)

低压直流马达驱动芯片 SSP8810 是专门为低电压工作系统而设计的低压直流马达驱动芯片。集成了4 个低电阻MOS 和正转，反转，刹车和停止功能。SSP8810 内置温度保护功能，当发生输出短路时，输出电流瞬间增大，电路功耗急剧上升，芯片温度急剧升高，当芯片温度超过内部温度保护电路设置得最高温度点后，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流。

5+
￥0.7379
50+
￥0.5795
150+
￥0.5003
500+
￥0.4409

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型号：TC1508A 编号：C5142992

封装：SOP-16

品牌：FM(富满)

特性：双通道内置功率MOS全桥驱动。最大连续输出电流可达1.8A/每通道，峰值2.5A。驱动前进、后退、停止及刹车功能。宽电压工作范围。超低的待机电流和工作电流。采用SOP-16封装形式。应用：玩具马达驱动

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5+
￥0.7449
50+
￥0.5913
150+
￥0.5145
500+
￥0.4569
2500+
￥0.3916

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型号：NSG531 编号：C46473174

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG531是一款通用的功率开关控制器，可以替代由分立元件组成的推挽电路，可以直接驱动IGBT，功率MOSFET，继电器等功率开关。SOT23-5封装，简单小巧。

5+
￥0.762185 ￥0.8023
50+
￥0.59413 ￥0.6254
150+
￥0.510055 ￥0.5369
500+
￥0.446975 ￥0.4705
3000+
￥0.39653 ￥0.4174
6000+
￥0.371355 ￥0.3909

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型号：DRV8837DSGT-TP 编号：C53340874

封装：DFN-8(2x2)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥0.7785
50+
￥0.6201
150+
￥0.5409
500+
￥0.4815
3000+
￥0.434

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型号：DRV8837DSGR-TP 编号：C53340873

封装：DFN-8(2x2)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥0.7785
50+
￥0.6201
150+
￥0.5409
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￥0.4815
3000+
￥0.434

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型号：NSG532 编号：C46473175

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。