silan驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：EG4427 编号：C2929102

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

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5+
￥2.2347
50+
￥1.7448
150+
￥1.5349
500+
￥1.2729

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型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

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￥2.66
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￥2.11
30+
￥1.87
100+
￥1.57
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

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型号：SLM2186CA-DG 编号：C2759831

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

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1+
￥2.8
10+
￥2.17

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型号：G2063Q 编号：C49449773

封装：QFN-24(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

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￥2.91
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￥2.3
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￥2.04
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￥1.72
500+
￥1.57
1000+
￥1.48

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型号：ZXGD3006E6TA 编号：C526792

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器，用于驱动IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流，以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流，而控制器只需提供1mA的输入电流

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￥2.99
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￥2.33
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￥2.05
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￥1.7
500+
￥1.48
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型号：HX34151-S 编号：C41399169

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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￥3.294 ￥3.66
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￥2.655 ￥2.95
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￥2.331 ￥2.59
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￥2.016 ￥2.24
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￥1.827 ￥2.03
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￥1.728 ￥1.92

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型号：SLM21867CA-DG 编号：C496627

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：7-20V，HI/LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

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1+
￥3.69
10+
￥2.92
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￥2.53

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型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

1+
￥3.74
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￥3.01
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￥2.65
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￥2.29
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￥2.07
1000+
￥1.96

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型号：SA8345-MS 编号：C22462556

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。

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￥3.9615 ￥4.17
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￥3.1825 ￥3.35
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￥2.793 ￥2.94
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￥2.413 ￥2.54
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￥2.1755 ￥2.29
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￥2.0615 ￥2.17

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型号：MAX4427EPA-JSM 编号：C20616631

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 MAX4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。MAX4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

1+
￥4.01
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￥3.56
50+
￥3.33
100+
￥3.11
500+
￥2.97

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型号：IR2113S-MNS 编号：C47967297

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113S-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥4.09
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￥3.31
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￥2.92
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￥2.54
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￥2.31
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￥2.19

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型号：CP2139CN(XBLW) 编号：C18723581

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout6A

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￥4.212 ￥4.68
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￥3.393 ￥3.77
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￥2.979 ￥3.31
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￥2.574 ￥2.86
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￥2.331 ￥2.59
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￥2.205 ￥2.45

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型号：VPS8703 编号：C2846906

封装：ESOP-8

品牌：VPSC(源特科技)

VPS8703 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。 VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。

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1+
￥4.27
10+
￥3.47
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￥3.07
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￥2.68
500+
￥2.22
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￥2.1

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型号：DGD05473FNQ-7 编号：C2677131

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DIODES公司的DGD05473FNQ是一款高频栅极驱动器，能够驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473FNQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口

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1+
￥4.3
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￥3.42
30+
￥2.99
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￥2.55
500+
￥2.29
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￥2.16

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型号：JSM2110STR 编号：C19077359

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.49
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￥3.98
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￥3.73
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￥3.48
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￥3.25

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型号：TF2136M-TR 编号：C7466366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥4.573 ￥5.38
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￥3.655 ￥4.3
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￥3.196 ￥3.76
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￥2.7455 ￥3.23
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￥2.4735 ￥2.91
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￥2.329 ￥2.74

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型号：TF2110M-TR 编号：C5804624

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥4.59 ￥5.1
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￥4.158 ￥4.62
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￥3.924 ￥4.36
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￥3.654 ￥4.06
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￥3.537 ￥3.93
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￥3.483 ￥3.87

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型号：TF2366M-TGH 编号：C5155307

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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1+
￥4.76
10+
￥4.31
30+
￥4.06
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￥3.79

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型号：IR2113-MNS 编号：C47967296

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

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￥5
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￥4.05
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￥3.57
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￥3.1
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￥2.82
1000+
￥2.67

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型号：TFB0504-NHP 编号：C7436033

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.26
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￥4.27
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￥3.77
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￥3.28

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型号：NSG4429 编号：C46473159

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG4429是一款低电压功率MOSFET和IGBT反相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4429逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥5.32 ￥5.6
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￥4.237 ￥4.46
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￥3.6955 ￥3.89
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￥3.154 ￥3.32
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￥2.831 ￥2.98
1000+
￥2.6695 ￥2.81

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型号：NSG2113N 编号：C41414504

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

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￥5.453 ￥5.74
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￥4.389 ￥4.62
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￥3.857 ￥4.06
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￥3.3345 ￥3.51
500+
￥3.021 ￥3.18
1000+
￥2.8595 ￥3.01

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型号：TC4428AEOA713 编号：C55181

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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