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封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428是早期TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进版本。TC4426/TC4427/TC4428器件在对MOSFET的栅极进行充电和放电时，具有匹配的上升和下降时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥6.35
10+
￥5.06
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￥4.41
100+
￥3.77
500+
￥3.38
1000+
￥3.18

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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

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￥1.63917 ￥1.8213
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￥1.27629 ￥1.4181
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￥1.12077 ￥1.2453
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￥0.92673 ￥1.0297
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￥0.89073 ￥0.9897
4000+
￥0.8388 ￥0.932

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型号：DRV8300DPWR-JSM 编号：C41421800

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。

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￥1.97
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￥1.7
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￥1.58
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￥1.43
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￥1.41
1000+
￥1.37

有货

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型号：LF2304NTR-JSM 编号：C17701713

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2304N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.169 ￥2.41
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￥1.926 ￥2.14
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￥1.809 ￥2.01
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￥1.683 ￥1.87
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￥1.611 ￥1.79
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￥1.575 ￥1.75

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型号：JSM2103SSTR 编号：C44606222

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2103SS是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.26
50+
￥1.75
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￥1.54
500+
￥1.3
2500+
￥1.18

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型号：SS6285L-SO-TP 编号：C3345075

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

驱动一路有刷直流电机。微小的待机电流，小于 1uA。低 RDS(ON)电阻。最大输出持续电流 5.0A。有紧急停止功能。有过热保护功能。有过流嵌流及短路保护功能。

数据手册

5+
￥2.5018
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￥2.0079
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￥1.7962
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￥1.3642
2500+
￥1.2466
4000+
￥1.176

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

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￥2.5175 ￥2.65
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￥2.2325 ￥2.35
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￥2.09 ￥2.2
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￥1.9475 ￥2.05
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￥1.862 ￥1.96
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￥1.824 ￥1.92

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型号：TPSGM42501XPS8G 编号：C42370559

封装：ESOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是有刷直流电机驱动器。此设备集成四个N-MOSFET，可在40V电压下提供高达3.6A的峰值电流。支持PH/EN接口。

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￥2.584 ￥2.72
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￥2.0045 ￥2.11
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￥1.7575 ￥1.85
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￥1.4535 ￥1.53
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￥1.3205 ￥1.39
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￥1.235 ￥1.3

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

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￥2.71
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￥2.38
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￥2.22
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￥2.06
500+
￥1.96
1000+
￥1.91

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型号：UCC27511DBVR-JSM 编号：C7466358

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

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￥2.975 ￥3.5
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￥2.3375 ￥2.75
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￥2.057 ￥2.42
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￥1.717 ￥2.02
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￥1.564 ￥1.84
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￥1.4705 ￥1.73

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型号：DRV8300DPWR 编号：C3036056

封装：TSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.03
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￥2.35
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￥2.06
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￥1.69
500+
￥1.53
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￥1.44

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型号：EG3118 编号：C48580031

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3118是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥3.25
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￥2.57
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￥2.28
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￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

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型号：IRS21867-MNS 编号：C52941369

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流(IOL):4A 描述：这是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，广泛应用于电机驱动、逆变器、电源转换等领域

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￥3.44
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￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.95
1000+
￥1.85

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型号：TF2101M-TAH 编号：C2683752

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.7
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￥2.97
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￥2.66
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￥2.27
500+
￥1.99

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型号：TB67H451FNG(O,EL) 编号：C1858375

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H451FNG是一款PWM斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50 V，最大电流为3 A。

数据手册

1+
￥3.91
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￥3.12
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￥2.72
100+
￥2.32
500+
￥2.08
1000+
￥1.96

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型号：HT4344ARMZ 编号：C2895053

封装：MSOP-10

品牌：HTCSEMI(海天芯)

串行输入24位，192khz立体声D/A转换器

数据手册

1+
￥5.05
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￥3.76
30+
￥3.12
100+
￥2.48

有货

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型号：DRV8824PWPR 编号：C86252

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8824 具有电流调节功能和 1/32 微步进的 45V、1.6A 双极步进电机驱动器

数据手册

1+
￥5.43
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￥4.26
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￥3.67
100+
￥3.02
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￥2.67
1000+
￥2.49

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型号：BD6220F-E2 编号：C253179

封装：SOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

这些 H 桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个 IC 可在 6V 至 15V 的电源电压范围内工作，输出电流高达 2A。输出级的 MOS 晶体管可实现 PWM 速度控制。

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥5.23
30+
￥4.94
100+
￥4.61
500+
￥4.21
1000+
￥4.15

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型号：SGM48000XS8G/TR 编号：C700286

封装：SOIC-8

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM48000/1/2系列是双通道低端驱动器，典型源电流和灌电流能力为2A。反相和同相输入均可用，可选择三种组合以实现灵活的逻辑应用。SGM48000/1/2的上升时间和下降时间分别匹配为12ns和13ns，这使得脉冲宽度能够以最小的时序误差和时钟偏移问题传输到输出端

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￥6.29
10+
￥4.83
30+
￥4.1
100+
￥3.38

有货

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型号：TF2117-TAH 编号：C2683755

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥6.35
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￥5.14
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￥4.53
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￥3.93
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￥3.33
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￥3.14

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型号：FU6812V 编号：C22471069

封装：SSOP-24

品牌：Fortior Tech(峰岹)

1+
￥6.39
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￥5.19
30+
￥4.6
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￥4
500+
￥3.65
1000+
￥3.46

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥6.63
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￥5.36
30+
￥4.72
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￥3.72
500+
￥3.34
1000+
￥3.15

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

数据手册

1+
￥8.36
10+
￥6.85
30+
￥6.01
100+
￥5.07

有货

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型号：TMI8420 编号：C5259221

封装：HTSSOP-28

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8420/Q 为打印机、扫描仪和其他自动化设备应用提供集成电机驱动解决方案。该器件集成了两个H桥驱动器和一个微步进分度器，用于驱动双极步进电机。输出驱动模块由N沟道功率MOSFET组成一个H桥驱动电路来驱动电机绕组。

数据手册

1+
￥9.63
10+
￥7.83
30+
￥6.84
100+
￥5.73
500+
￥5.23
1000+
￥5

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型号：1EDI60I12AF 编号：C533025

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

数据手册

1+
￥9.85
10+
￥8.14
30+
￥7.2
100+
￥5.85
500+
￥5.38
1000+
￥5.17

有货

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型号：TC4426EOA713 编号：C66262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥11.26
10+
￥9.6
30+
￥8.69
100+
￥7.66
500+
￥7.21

有货

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型号：FU6818Q 编号：C2832696

封装：QFN-56(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

数据手册

1+
￥11.45
10+
￥9.77
30+
￥8.72
260+
￥7.65
520+
￥7.16
1040+
￥6.95

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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