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封装：QFN-32-EP(5x5)

TMC429是一款小型化步进电机控制器，具备业界领先的功能特性。它可通过SPI或步进/方向接口控制多达三个电机。SPI接口为两相步进电机提供可编程的6位微步表（每整步64微步），以实现最佳的步进精度。基于目标位置和速度（可实时更改），它能自主执行所有实时关键任务。TMC429提供高级控制功能，确保运行稳定可靠。两个独立的4线串行外设接口允许与微控制器以及多达三个级联的步进电机驱动器进行通信。TMC429与微控制器配合，可构成一个完整的运动控制系统。高度集成和小尺寸设计使其适用于小型化设计，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

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型号：SS6343M-QF-TP 编号：C5370899

封装：QFN-24-EP(3x4)

品牌：LEADPOWER(率能)

SS6343M产品为三相无刷直流电机驱动器。他们集成了三个半桥，包括六个N沟道功率MOS FET，以及前置驱动器、栅极驱动电源。SS6343M为每个½-H电桥提供使能和PWM输入。

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型号：NSG20752 编号：C53463332

封装：SOT-23-6

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：NSG21271 编号：C53436468

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：HT33153ARZ 编号：C5241940

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测

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型号：UCC27624QDRQ1 编号：C6731413

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

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型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

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型号：DRV8428RTER 编号：C2857955

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8428 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 35V、1A 双极步进电机驱动器

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

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型号：LM5060MMX/NOPB 编号：C2676940

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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型号：UCC27201ADR 编号：C913823

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：NSG7385 编号：C53436472

封装：SOP-14

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：MIC4452YM-TR 编号：C435908

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

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型号：TC1410EOA713 编号：C624881

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：DRV8718SQRVJRQ1 编号：C3019561

封装：HVQFN-56-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8718-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、8 通道半桥智能栅极驱动器

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型号：MS41908M 编号：C3037822

封装：QFN-44(6x6)

品牌：杭州瑞盟

用于网络摄像机和监控摄像机的镜头驱动芯片。芯片内置光圈控制功能；通过电压驱动方式以及扭矩纹波修正技术，实现了超低噪声微步驱动。

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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

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￥17.17
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￥12.77
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￥11.03
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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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￥17.28
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￥15.79
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￥15.22
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型号：A3992SLPTR-T 编号：C459283

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3992专为双极型微步进电机的脉宽调制（PWM）电流控制而设计，能够提供±1.5 A的连续输出电流，工作电压可达50 V。内部固定关断时间的PWM电流控制时序电路可通过串行接口进行编程，以在慢速、快速或混合衰减模式下工作。通过串行端口，利用两个六位线性DAC结合参考电压来设置所需的负载电流水平。六位控制为从微步驱动到全步驱动等各种步进方法的转矩控制提供了最大的灵活性。负载电流以最大值的1.56%为增量进行设置。同步整流电路允许负载电流在电流衰减期间通过DMOS输出驱动器的低RDS(on)流动。这一特性在大多数应用中无需外部钳位二极管，节省了成本和外部元件数量，同时将功耗降至最低。内部电路保护包括接地短路、负载短路、带迟滞功能的热关断和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A3992采用薄型（最大高度1.2 mm）24引脚TSSOP（后缀LP）封装，带有外露散热焊盘。外露散热焊盘处于地电位，无需电气隔离。该封装为无铅（Pb）封装，引脚框架采用100%雾锡电镀。

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￥20.83
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￥17.82
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￥16.04
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￥14.24
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￥13.4
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￥13.03

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型号：DRV8873HPWPR 编号：C2150604

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、10A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥23.2
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￥20.66
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￥19.36
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￥17.62
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￥17
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￥16.73

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型号：L9110S 编号：C5157607

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于玩具汽车电机驱动、脉冲电磁阀门驱动，步进电机驱动和开关功率管等电路上

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￥0.92367 ￥1.0263
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￥0.73314 ￥0.8146
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￥0.65151 ￥0.7239
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￥0.54963 ￥0.6107
2500+
￥0.51183 ￥0.5687
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￥0.48456 ￥0.5384

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型号：L9110S(XBLW) 编号：C18723580

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout 800mA

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￥0.95148 ￥1.0572
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￥0.76095 ￥0.8455
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￥0.67932 ￥0.7548
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￥0.57744 ￥0.6416
2500+
￥0.53208 ￥0.5912
4000+
￥0.50481 ￥0.5609

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型号：NSG532 编号：C46473175

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。

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￥0.9937
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￥0.785
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￥0.6955
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￥0.5839
3000+
￥0.5342
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￥0.5044

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型号：UCC27511DBVR(UMW) 编号：C20623190

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27511DBVR单通道高速低端栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511DBVR能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极短。

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￥1.2283
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￥0.9607
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￥0.846
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￥0.703
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￥0.6393
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￥0.601

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型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。