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封装：SOIC-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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￥5.24
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型号：SA8339-MS 编号：C22462547

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

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￥2.185 ￥2.3
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￥2.0615 ￥2.17

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

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￥3.996 ￥4.44
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￥2.214 ￥2.46
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￥2.088 ￥2.32

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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：TF0227-TAH 编号：C2836238

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

4A, 单相, 双低侧驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：LM5106SDX/NOPB 编号：C544463

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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型号：IRS21867STRPBF-JSM 编号：C7432820

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

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型号：NSG2000 编号：C41414507

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器，可实现100%占空比

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￥2.5175 ￥2.65

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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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￥2.68
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型号：FAN7391MX-JSM 编号：C7498991

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：UCC27211AQDDARQ1 编号：C485921

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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型号：DRV8844PWPR 编号：C177807

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8844 具有双极性 (±30v) 电源和独立半桥控制的 60V、2.5A 双路 H 桥电机驱动器

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￥6.42
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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

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型号：FAN7392MX-JSM 编号：C7498958

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.696 ￥4.62

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型号：GBI7A54NMAR 编号：C28324638

封装：DFN-8L-EP(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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型号：DRV8860PWPR 编号：C133079

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8860 具有串行控制的 38V、0.3A、8 路低侧电机驱动器

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型号：IR2109STRPBF 编号：C2966

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：ATD5833QNN 编号：C5155089

封装：QFN-28(5x5)

品牌：杭州中科微

ATD5833是一款内置有译码器的低噪声步进电机驱动器。其输出驱动能力达到30V±2.5A，最高支持256细分，同时可实现低噪声工作。译码器是ATD5833易于使用的关键。

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￥7.46
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型号：HIP4082IBZT 编号：C50123

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

80V/1.25A H全桥MOS管驱动器芯片

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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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￥8.25
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型号：L293DN 编号：C434590

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）和开关功率晶体管。为简化作为两个电桥的使用，每对通道都配备了一个使能输入。为逻辑电路提供了单独的电源输入，允许在较低电压下工作，并内置了钳位二极管。适用于高达5kHz频率的开关应用。采用16引脚塑料封装，有4个中心引脚连接在一起用于散热。采用20引脚表面贴装封装，有8个中心引脚连接在一起用于散热。

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￥8.99
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￥7.55
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￥6.75
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￥5.86
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￥5.46
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￥5.28

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型号：MS35776 编号：C5371384

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：杭州瑞盟

MS35776/MS35776A 是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。芯片内置功率MOSFET，长时间工作平均电流可以达到1.4A，峰值电流2A。芯片集成了欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护、过温保护的保护功能。

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￥9.24
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￥7.22

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型号：DRV8873SPWPRQ1 编号：C2150678

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873-Q1 具有集成电流感应和反馈功能的汽车类 40V、10A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥11.97
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￥9.89
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￥8.72
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￥7.52
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￥6.98
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￥6.75

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型号：DRV8425PWPR 编号：C3681319

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8425 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 35V、2A 双极步进电机驱动器

数据手册

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￥14.34
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￥12.08
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￥10.67
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￥9.22
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￥8.57
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型号：A5976GLPTR-T 编号：C163304

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A5976是一款内置转换器的完整微步进电机驱动器。它旨在以全步、半步、四分之一步和十六分之一步模式驱动双极步进电机，输出驱动能力为40 V和±2.8 A。A5976包含一个固定关断时间的电流调节器，能够在慢速、快速或混合衰减模式下工作。这种电流衰减控制方案可降低电机可听噪声、提高步进精度并减少功耗。转换器是A5976易于实施的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机步进一步（两个逻辑输入确定是全步、半步、四分之一步还是十六分之一步）。无需编程相位序列表、高频控制线或复杂接口。A5976接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。提供内部同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括带迟滞功能的热关断、欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A5976采用带有外露散热焊盘的薄型（< 1.2 mm）28引脚TSSOP封装（后缀LP）。该封装无铅（Pb）（后缀 -T），引脚框架采用100%雾锡电镀。

数据手册

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￥15.43
10+
￥13.02
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￥11.51
100+
￥9.96
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￥9.27
1000+
￥8.96

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型号：LTC4412ES6#TRMPBF 编号：C459883

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器

数据手册

1+
￥19.03
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￥16.15
30+
￥14.34
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￥12.49
500+
￥11.66

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型号：MCF8329A1IREER 编号：C22399784

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥21.04
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￥18.59
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￥17.34
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￥15.66
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￥15.06

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型号：DRV8305NQPHPRQ1 编号：C701780

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

数据手册

1+
￥21.73
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￥16.57
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￥14.57
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￥13.65

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型号：MC33035DWR2G 编号：C424244

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

数据手册

1+
￥22.42
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￥19.46
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￥15.18
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￥13.4
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￥12.58
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￥12.21

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型号：LMG1210RVRR 编号：C2677136

封装：WQFN-19-EP(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据手册

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￥22.52
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￥19.08
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￥17.04
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