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封装：SOIC-8

是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.55
30+
￥2.27
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

有货

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型号：MCT8314Z0HRRWR 编号：C34748847

封装：WQFN-24(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

为要驱动12V至24V有刷直流电机的客户提供了一种单芯片无代码含传感器梯形换向器件。集成了三个1/2H桥，具有40V的绝对最大电压和575mΩ的低RDS(ON)（高侧和低侧相结合），可提供大功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或肩负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。集成的5V LDO可为器件生成必要的电压轨并为外部电路供电

数据手册

1+
￥12.1
10+
￥10.69
30+
￥9.7
100+
￥8.79
500+
￥8.37
1000+
￥8.2

有货

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型号：DRV8301DCAR 编号：C98969

封装：HTSSOP-56-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥20.08
10+
￥17.19
30+
￥15.39
100+
￥12.31
500+
￥11.48
1000+
￥11.11

有货

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型号：LMG1025QDEERQ1 编号：C1858371

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥21.51
10+
￥18.52
30+
￥16.66
100+
￥14.75
500+
￥13.88

有货

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型号：GM8023B 编号：C269871

封装：SOT-23-6

品牌：GATEMODE(捷茂微)

最高可达40V工作电压的继电器驱动芯片

数据手册

5+
￥0.5054
50+
￥0.4454
150+
￥0.4154
500+
￥0.3929
3000+
￥0.348
6000+
￥0.339

有货

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型号：L9110S-MS 编号：C19272815

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

H桥驱动芯片集成过温保护、欠压保护，应用领域：马达驱动，电动锁具，空气开关，脉冲电磁伐驱动等

5+
￥0.90231 ￥0.9498
50+
￥0.71877 ￥0.7566
150+
￥0.64011 ￥0.6738
500+
￥0.54188 ￥0.5704
2500+
￥0.49818 ￥0.5244
4000+
￥0.47196 ￥0.4968

有货

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型号：IR4427STRPBF-JSM 编号：C5804607

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥1.5652 ￥1.72
10+
￥1.3741 ￥1.51
30+
￥1.2922 ￥1.42
100+
￥1.1921 ￥1.31
500+
￥1.092 ￥1.2
1000+
￥1.0647 ￥1.17

有货

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型号：JSM2104STR 编号：C19077369

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片

5+
￥1.718785 ￥2.0221
50+
￥1.37462 ￥1.6172
150+
￥1.227145 ￥1.4437
500+
￥1.04312 ￥1.2272
2500+
￥0.96118 ￥1.1308
4000+
￥0.911965 ￥1.0729

有货

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型号：JSM2124AT 编号：C50202099

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动芯片，三相高低侧功率驱动芯片驱动配置：高低侧负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：8V

5+
￥2.0725
50+
￥1.5937
150+
￥1.3885
500+
￥1.1325
2500+
￥1.0185
4000+
￥0.95

有货

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型号：MX1025D 编号：C5341121

封装：DFN-6L(2x2)

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动@@单通道

数据手册

5+
￥2.1028
50+
￥1.6492
150+
￥1.4548
500+
￥1.2843
3000+
￥1.1763
6000+
￥1.1114

有货

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型号：EG4427 编号：C2929102

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

数据手册

5+
￥2.3388
50+
￥1.8489
150+
￥1.639
500+
￥1.377
2500+
￥1.1821
4000+
￥1.1122

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型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.72
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：EG3116D 编号：C2929098

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.31
30+
￥2
100+
￥1.61
500+
￥1.53
1000+
￥1.42

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型号：TF0211E-USQ 编号：C2683768

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.83
30+
￥2.51
100+
￥2.19
500+
￥1.84
1000+
￥1.74

有货

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型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.93
30+
￥2.59
100+
￥2.26
500+
￥2.06
1000+
￥1.96

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型号：FAN3100TSX-JSM 编号：C7432823

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO LSLTTL -40 to 125

1+
￥3.7145 ￥3.91
10+
￥3.0115 ￥3.17
30+
￥2.66 ￥2.8
100+
￥2.3085 ￥2.43
500+
￥1.938 ￥2.04
1000+
￥1.8335 ￥1.93

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型号：TF2106M-TR 编号：C7466361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.728 ￥4.66
10+
￥3 ￥3.75
30+
￥2.64 ￥3.3
100+
￥2.28 ￥2.85
500+
￥2.064 ￥2.58
1000+
￥1.952 ￥2.44

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型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.3
30+
￥2.89
100+
￥2.55
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

有货

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型号：IRS2113STR(UMW) 编号：C20623178

封装：SOP-16-300mil

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥3.92
10+
￥3.48
30+
￥3.25
100+
￥3.03
500+
￥2.9
1000+
￥2.83

有货

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型号：TC4428AEOA713 编号：C5804611

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.0545 ￥4.77
10+
￥3.3235 ￥3.91
30+
￥2.958 ￥3.48
100+
￥2.5925 ￥3.05
500+
￥2.38 ￥2.8
1000+
￥2.261 ￥2.66

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型号：IR21531STRPBF-JSM 编号：C41421804

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥4.1
10+
￥3.23
30+
￥2.8
100+
￥2.37
500+
￥2.32
1000+
￥2.18

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型号：DRV8220DRLR 编号：C3681351

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

DRV8220 具有自动睡眠模式的 20V、1.76A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥4.79
10+
￥3.93
30+
￥3.51
100+
￥3.08
500+
￥2.83
1000+
￥2.7

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型号：MCP1415T-E/OT 编号：C83776

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1415/16 器件是高速双 MOSFET 驱动器，可在 4.5V 至 18V 单电源供电下提供高达 1.5A 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

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1+
￥5.27
10+
￥4.28
30+
￥3.79
100+
￥3.29
500+
￥2.74
1000+
￥2.59

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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