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封装：SOIC-8

IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本，它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比，IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同，从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V，抗噪性能得到了显著改善。最后，特别关注了最大化器件的抗闩锁能力，并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。

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￥6.31
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￥5.17
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￥4.54
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￥3.83
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￥3.52
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￥3.37

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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

数据手册

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￥6.49
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￥4.67
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￥3.8612 ￥3.94
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￥3.5378 ￥3.61
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￥3.4006 ￥3.47

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型号：IR4427STRPBF 编号：C49058

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。

数据手册

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￥6.64
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￥4.23
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￥3.36
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￥3.18

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型号：IR2085STRPbF 编号：C50124

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置，其中fOSC = 1/(2*RT*CT)

数据手册

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￥18.75
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￥12.66
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￥10.26
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￥9.17
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￥8.7

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型号：DRV8244SQRYJRQ1 编号：C3681071

封装：VQFN-16-HR(3x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

数据手册

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￥21.07
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￥17.99
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￥16.15
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￥14.24
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￥13.39
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￥13

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型号：SM16306SJ 编号：C2830324

封装：QSOP-24

品牌：明微

是一款带有内置CMOS移位寄存器和锁存功能的LED恒流驱动芯片，可将串行输入数据转换为并行输出数据格式。工作电压为3.3V-5.5V，提供16个电流源，每个输出端口可提供3mA-32mA的恒流；单个IC芯片的输出电流差异小于±2.5%；多个IC之间的输出电流差异小于±3.5%；通道输出电流不随输出电压(VDS)的变化而变化，且受电压和环境温度的影响小于1%；每个通道的输出电流由外部电阻调节。支持高达25MHz的时钟频率，可满足系统对海量数据传输的要求。

数据手册

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￥0.3884
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￥0.3217
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￥0.2634
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￥0.198
8000+
￥0.188

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型号：IRS44273LTR(UMW) 编号：C20623195

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

IRS44273器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。IRS44273的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

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￥1.2243
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￥0.9551
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￥0.8397
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￥0.6958
3000+
￥0.6317
6000+
￥0.5932

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

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￥1.4703
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￥1.1326
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￥0.9879
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￥0.8896
2500+
￥0.8092
5000+
￥0.7609

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q

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￥1.704 ￥2.13
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￥1.296 ￥1.62
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￥1.128 ￥1.41
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￥1.096 ￥1.37
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￥1 ￥1.25
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￥0.936 ￥1.17

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型号：IRS2008STR(UMW) 编号：C20623198

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，最低可至3.3V

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￥1.9261
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￥1.5097
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￥1.3313
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￥1.1087
2500+
￥1.0095
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￥0.9501

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型号：SL27517A 编号：C46061827

封装：SOT-23-5L

品牌：Slkor(萨科微)

是 4A 对称驱动单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效且安全地驱动 MOSFET、IGBT 和新兴的 WBG 功率开关。低传播延迟和紧凑的 SOT-23 封装可实现数百 kHz 的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步 MOSFET 的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 20V，可通过 MOSFET 或 GaN 功率开关进行有效驱动。集成 UVLO 保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V 至 20V，可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下实现稳定运行。输入阈值与 TTL 输入兼容。

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￥2.171605 ￥2.2859
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￥1.716745 ￥1.8071
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￥1.521805 ￥1.6019
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￥1.278605 ￥1.3459
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￥1.170305 ￥1.2319
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￥1.10523 ￥1.1634

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型号：IR2101STRPBF(XBLW) 编号：C42395630

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

IR2101S是一款半桥前级驱动IC，能够驱动一对功率器件（IGBT/N-MOSFET）。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO（欠压锁定）和交叉导通防护功能。

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￥2.185 ￥2.3
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￥1.7005 ￥1.79
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￥1.501 ￥1.58
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￥1.2445 ￥1.31
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￥1.1305 ￥1.19
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￥1.0545 ￥1.11

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型号：EG2104 编号：C186697

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

高性价比, 600V，半桥式Nmos预驱动器

数据手册

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￥2.47
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￥1.88
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￥1.63
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￥1.32
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￥1.28
1000+
￥1.19

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型号：IRS21864STR(UMW) 编号：C20623186

封装：SOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

IRS21864STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥2.49
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￥2.21
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￥2.07
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￥1.93
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￥1.85
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￥1.8

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型号：PM8834TR 编号：C221495

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

4 A双低侧MOSFET驱动器

数据手册

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￥2.89
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￥2.24
30+
￥1.96
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￥1.61
500+
￥1.45
1000+
￥1.36

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型号：UCC27714DR(UMW) 编号：C20623188

封装：SOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27714DR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥3.04
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￥2.39
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￥2.1
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￥1.75
500+
￥1.6
1000+
￥1.5

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型号：IR4428STRPBF-JSM 编号：C5804613

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

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￥3.2895 ￥3.87
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￥2.6265 ￥3.09
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￥2.295 ￥2.7
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￥1.972 ￥2.32
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￥1.7765 ￥2.09
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￥1.6745 ￥1.97

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型号：EG2133 编号：C190343

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

数据手册

1+
￥3.31
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￥2.57
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￥2.26
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￥1.86
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

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型号：SLM2110CG 编号：C496629

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:130/120ns, DT:NA, MT:10nS

数据手册

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￥3.92
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￥3.13
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￥2.73
100+
￥2.34
500+
￥2.12
1500+
￥1.99

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型号：SBD63006MUV-E2 编号：C44606229

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

BD63006是一款三相无刷电机驱动器，额定电源电压33V，额定输出电流1.5A。使用外部霍尔传感器换向，通过输入PWM控制信号产生PWM驱动信号。电源可以使用12V或24V，内部集成各种控制和保护功能，使其适用于各种用途。

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￥4.26
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￥3.39
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￥2.96
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￥2.53
500+
￥2.48
1000+
￥2.34

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型号：DRV8833RTYR 编号：C154936

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8833 具有电流调节功能的 10.8V、2A、双通道 H 桥电机驱动器

数据手册

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￥8.01
10+
￥7.1
30+
￥6.25
100+
￥5.61
500+
￥5.35
1000+
￥5.23

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型号：DRV8908QPWPRQ1 编号：C3655456

封装：HTSSOP-24

品牌：TI(德州仪器)

DRV8908-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、8 通道半桥电机驱动器

数据手册

1+
￥8.63
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￥7.87
30+
￥7.4
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￥6.92
500+
￥6.7
1000+
￥6.61

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型号：DRV8317HREER 编号：C6022114

封装：WQFN-36(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8317 具有集成 FET 和电流检测功能、最大电压为 24V、峰值电流为 5A 的三相电机驱动器

1+
￥12.78
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￥11.3
30+
￥10.25
100+
￥9.29
500+
￥8.85
1000+
￥8.67

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型号：DRV8353SRTAR 编号：C701785

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥19.02
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￥16.01
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￥14.13
100+
￥12.2
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￥11.33
1000+
￥10.95

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型号：TMC2130-LA-T 编号：C915795

封装：QFN-36-EP(5x6)

品牌：TRINAMIC

TMC2130是一款用于两相步进电机的高性能驱动IC。标准SPI和STEP/DIR接口简化了通信。TRINAMIC先进的StealthChop斩波器可确保无噪音运行，同时实现最高效率和最佳电机扭矩。CoolStep功能可将能耗降低多达75%。DcStep能在无失步的情况下尽可能快速驱动高负载。集成功率MOSFET可处理每相绕组高达1.2A RMS（QFN封装）/1.4A RMS（TQFP封装）的电机电流，或每相绕组2.5A的短时峰值电流。保护和诊断功能支持稳定可靠的运行。该行业最先进的步进电机驱动器可实现小型化设计，减少外部元件数量，从而提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

数据手册

1+
￥23.89
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￥20.24
30+
￥18.08
100+
￥15.89
500+
￥14.88
1000+
￥14.42

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

1+
￥35.52
10+
￥30.77
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￥27.87
100+
￥25.44

有货

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型号：FM116C 编号：C2802264

封装：SOT-23-6

品牌：FM(富满)

FM116C 是专为驱动小电流直流马达而设计的集成电路，该电路采用SOT23-6 微型封装，为对空间敏感的系统设计提供理想选择。电路采用H 桥结构，内置功率MOSFET 开关，可实现对负载直流电机正转、反转、刹车以及待机四个功能的控制，刹车功能能使负载电机快速停止转动，待机功能使电路静态功耗极低(小于1uA)。电路内置低阻功率MOSFET 开关，在300mA 负载电流条件下，电路产生的压降500mV，功耗为150mW，在SOT23-6 封装允许的范围之内，电路可长时间持续工作。

数据手册

10+
￥0.3199
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￥0.2513
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￥0.217
3000+
￥0.1839
6000+
￥0.1634
9000+
￥0.1531

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型号：L9110S-MS 编号：C19272815

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

H桥驱动芯片集成过温保护、欠压保护，应用领域：马达驱动，电动锁具，空气开关，脉冲电磁伐驱动等

5+
￥0.90231 ￥0.9498
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￥0.71877 ￥0.7566
150+
￥0.64011 ￥0.6738
500+
￥0.54188 ￥0.5704
2500+
￥0.49818 ￥0.5244
4000+
￥0.47196 ￥0.4968

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型号：SLM27517AD-7G 编号：C5333453

封装：SOT-23-5

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM27517系列单通道、高速、低侧栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用从本质上最大限度减少直通电流的设计，SLM27517系列产品能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极小，典型值为18ns。在12V VDD电源下，SLM27517可提供4A的源极、5A的漏极峰值驱动电流能力

5+
￥1.366
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￥1.0431
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￥0.9047
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￥0.732
3000+
￥0.7107
6000+
￥0.6645

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型号：GBI7256NMCR 编号：C5451742

封装：WSON-8-EP(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7256是一款双通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。负输入可低至 -5V，以增强输入抗噪声能力

1+
￥1.65965 ￥1.747
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￥1.338455 ￥1.4089
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￥1.2008 ￥1.264
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￥1.02904 ￥1.0832
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￥0.85652 ￥0.9016
1000+
￥0.810635 ￥0.8533

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