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型号：TMC2208-LA-T 编号：C115944

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：TRINAMIC

TMC2202、TMC2208、TMC2220、TMC2224和TMC2225是用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。它们的引脚与许多旧款驱动器兼容。TRINAMIC先进的stealthChop2斩波器可确保无噪音运行、实现最高效率并提供最佳电机转矩

数据手册

1+
￥15.71
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￥13.38
30+
￥11.92
100+
￥10.05
500+
￥9.38
1000+
￥9.09

有货

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型号：TB6612FNG,C,8,EL 编号：C141517

封装：SSOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6612FNG 是一款直流电机驱动 IC，其输出晶体管采用低导通电阻的 LD MOS 结构。两个输入信号 IN1 和 IN2 可选择四种模式之一，如正转、反转、短路制动和停止模式。

数据手册

1+
￥6.83
10+
￥5.96
30+
￥5.14
100+
￥4.43
500+
￥4.18
1000+
￥4.06

有货

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型号：TF2183M-TAH 编号：C5382738

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥8.028 ￥8.92
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￥6.669 ￥7.41
30+
￥5.823 ￥6.47
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￥5.445 ￥6.05
500+
￥5.058 ￥5.62
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￥4.887 ￥5.43

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型号：SM16206S 编号：C121618

封装：QSOP-24

品牌：明微

SM16206是LED恒流驱动芯片，内建CMOS移位寄存器与锁存功能，可以将串行的输入数据转换成并行输出数据格式。 SM16206工作电压为3.3V—5.0V，提供16个电流源，可以在每个输出端口提供1mA—32mA的恒定电流；且单颗IC片内输出电流差异小于±2.5%；多颗IC间的输出电流差异小于±3.5%；通道输出电流不随着输出端电压（数据手册

10+
￥0.4737
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￥0.3825
300+
￥0.3369
1000+
￥0.287565 ￥0.3027
4000+
￥0.230755 ￥0.2429
8000+
￥0.217835 ￥0.2293

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型号：DRV8837CDSGR 编号：C191000

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8837C 12V、1A H 桥电机驱动器

数据手册

5+
￥0.627
50+
￥0.493
150+
￥0.426
500+
￥0.3758
3000+
￥0.3356
6000+
￥0.3155

有货

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型号：IR4427STR(UMW) 编号：C20623183

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IR4427STR是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。UMW IR4427STR在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力

5+
￥1.4382
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￥1.1233
150+
￥0.9883
500+
￥0.8199
2500+
￥0.7449
5000+
￥0.6999

有货

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型号：SL27517 编号：C2681372

封装：SOT-23-5

品牌：Slkor(萨科微)

SL27517是单通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，在这种场合中同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

5+
￥1.896675 ￥1.9965
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￥1.49169 ￥1.5702
150+
￥1.29409 ￥1.3622
500+
￥1.054595 ￥1.1101
3000+
￥1.006145 ￥1.0591
6000+
￥0.977075 ￥1.0285

有货

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型号：E-L6219DS013TR 编号：C262882

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

L6219是一款双极型单片集成电路，旨在控制和驱动双极步进电机的两个绕组，或双向控制两台直流电机。 L6219与少量外部元件构成一个完整的控制和驱动电路，适用于LS-TTL或微处理器控制的步进电机系统。功率级为双全桥，能承受46V电压，并包含四个用于电流续流的二极管。提供交叉导通保护，以避免在切换电流方向时出现同时交叉导通的情况。内部脉冲宽度调制（PWM）将输出电流控制在750 mA，启动峰值电流可达1 A。通过两个逻辑输入和一个外部参考电压，可实现750 mA（每个桥）的宽范围电流控制。每个桥的相位输入决定负载电流方向。若芯片温度超过安全工作极限，热保护电路将禁用输出。

数据手册

1+
￥8.2
10+
￥6.76
30+
￥5.98
100+
￥5.09
500+
￥4.69
1000+
￥4.52

有货

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型号：U2104M 编号：C2932196

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2104(S/M) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

数据手册

5+
￥1.3157
50+
￥1.051
150+
￥0.9375
500+
￥0.7498
2500+
￥0.6868
4000+
￥0.649

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型号：TM1638 编号：C19187

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TM(天微)

新版本：TA2009B 带上下拉功能、键盘扫描接口（8×3bit）的LED驱动芯片

数据手册

5+
￥1.727
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￥1.2623
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￥1.1106
500+
￥0.9214
2500+
￥0.8371
5000+
￥0.7866

有货

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型号：EG27324 编号：C189546

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带SD功能双路驱动芯片 EG27324是一款高性价比、带SD功能的双路独立驱动专用芯片。内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG27324的电源电压范围宽2.8V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥2.1115
50+
￥1.6216
150+
￥1.4116
500+
￥1.1497
2500+
￥1.033
4000+
￥0.963

有货

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型号：SL27511 编号：C2681373

封装：SOT-23-6

品牌：Slkor(萨科微)

单通道4A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑的SOT-23 封装等特点，使得MOSFET 的开关频率可以达到数百 kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，在这种场合中同步管MOSFET 的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

5+
￥2.318 ￥2.44
50+
￥1.843 ￥1.94
150+
￥1.634 ￥1.72
500+
￥1.3775 ￥1.45
3000+
￥1.2635 ￥1.33
6000+
￥1.197 ￥1.26

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型号：IR2104STRPBF-JSM 编号：C5804631

封装：SOIC-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.394 ￥2.52
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￥1.8525 ￥1.95
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￥1.615 ￥1.7
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￥1.33 ￥1.4
500+
￥1.2445 ￥1.31
1000+
￥1.1685 ￥1.23

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型号：L6388ED013TR 编号：C23921

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.32
30+
￥2.04
100+
￥1.69
500+
￥1.54
1000+
￥1.44

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型号：TF0211E-USQ 编号：C2683768

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.49
10+
￥2.84
30+
￥2.52
100+
￥2.2
500+
￥1.85
1000+
￥1.75

有货

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型号：TB67H450FNG,EL 编号：C545417

封装：HSOP-8-EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H450FNG是一款PWM斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50 V，最大电流为3。

数据手册

1+
￥3.77
10+
￥3.01
30+
￥2.63
100+
￥2.25
500+
￥2.02
1000+
￥1.9

有货

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型号：IR2110STR(UMW) 编号：C20623179

封装：SOP-16-300mil

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IR2110STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。

1+
￥3.91
10+
￥3.13
30+
￥2.74
100+
￥2.36
500+
￥2.13
1000+
￥2.01

有货

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型号：DRV8833PWPR 编号：C50506

封装：TSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8833 具有电流调节功能的 10.8V、2A、双通道 H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥4.01
10+
￥3.19
30+
￥2.79
100+
￥2.38
500+
￥2.22
1000+
￥2.09

有货

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型号：LM5106MMX/NOPB 编号：C91879

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.75
10+
￥5.1
30+
￥4.2
100+
￥3.18
500+
￥2.56
1000+
￥2.35

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型号：DRV8821DCAR 编号：C81564

封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8821 具有电流调节功能和 1/8 微步进的 32V、1.5A 双极步进电机驱动器

数据手册

1+
￥16.58
10+
￥14.14
30+
￥12.61
100+
￥10.49
500+
￥9.79
1000+
￥9.48

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型号：TMC5160A-TA-T 编号：C516354

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：TRINAMIC

TMC5160 / TMC5160A是一款带有串行通信接口的高功率步进电机控制器和驱动IC。它将用于自动目标定位的灵活斜坡发生器与业界最先进的步进电机驱动器相结合。通过使用外部晶体管，可实现高动态、高扭矩驱动。基于TRINAMIC先进的SpreadCycle和StealthChop斩波器，该驱动器可确保在实现最高效率和最佳电机扭矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够小型化和可扩展，从而实现经济高效的解决方案。完整的解决方案将学习成本降至最低，同时提供同类产品中最佳的性能。

数据手册

1+
￥37.13
10+
￥32.86
30+
￥30.13
100+
￥27.49

有货

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型号：DRV8302DCAR 编号：C79740

封装：HTSSOP-56-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8302 具有降压稳压器和电流分流放大器和硬件接口的最大 65V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥40.98
10+
￥35.22
30+
￥31.7
100+
￥28.75

有货

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型号：EG2132 编号：C480660

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2132是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2132高端的工作电压可达300V，低端Vcc的电源电压范围宽8V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力|O+/-| 1.0A/1.5A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥0.7652
50+
￥0.5785
150+
￥0.4852
500+
￥0.4152
2500+
￥0.4096
4000+
￥0.3816

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型号：MCP1416T-E/OT(UMW) 编号：C20623197

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

MCP1415/6 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低电压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。MCP1415/6 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

5+
￥1.1448
50+
￥0.9139
150+
￥0.815
500+
￥0.6915
3000+
￥0.6366
6000+
￥0.6036

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型号：UCC27524DR(UMW) 编号：C20623206

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27524DR器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。它在对功率开关的栅极进行充电和放电时，具有匹配的上升和下降时间。此外，UMW UCC27524DR在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高度的抗闩锁能力

5+
￥1.388
50+
￥1.0655
150+
￥0.9273
500+
￥0.7548
2500+
￥0.678
5000+
￥0.632

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型号：MCP1416T-E/OT-JSM 编号：C18195002

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

同相预驱 MCP1415/6是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的门锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。MCP1415/6逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥1.67297 ￥1.9682
50+
￥1.296505 ￥1.5253
150+
￥1.135175 ￥1.3355
500+
￥0.933895 ￥1.0987
3000+
￥0.902275 ￥1.0615
6000+
￥0.84847 ￥0.9982

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型号：U3216C 编号：C20626023

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥1.8253
50+
￥1.4221
150+
￥1.2493
500+
￥1.0657
2500+
￥0.9697
4000+
￥0.912

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型号：IRS2101STR(UMW) 编号：C20623200

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IRS2101STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。

5+
￥2.0275
50+
￥1.5892
150+
￥1.4014
500+
￥1.167
2500+
￥1.0627
5000+
￥1

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型号：EG2104S 编号：C480652

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104S是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104S高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±1.0 A/1.5A，采用SOP8封装。

数据手册