ST驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：STM32L051C8T6TR 编号：C2802165

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40 至 125℃温度范围。0.27 μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。0.4 μA 停止模式（16 个唤醒线）。0.8 μA 停止模式 + RTC + 8 KB RAM 保留

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1+
￥10.92
10+
￥9.23
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￥8.18
100+
￥6.86
500+
￥6.38
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型号：STM32L431CBT6 编号：C277951

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

数据手册

1+
￥14.87
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￥12.55
30+
￥11.1
250+
￥9.13
500+
￥8.46
1000+
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型号：STM32U575VGT6 编号：C5270988

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

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￥32
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￥30.5
30+
￥28.03
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￥27.26

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型号：STM32G431KBU3 编号：C1341901

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：采用带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，具备自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，配备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速。FMAC：滤波数学加速器。存储器:128 Kbytes闪存，支持ECC，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。22 Kbytes SRAM，前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。程序加速：指令和数据总线上有10 Kbytes SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）

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1+
￥35.21
10+
￥30.06
30+
￥26.93
100+
￥23.18

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型号：1N4148WS 编号：C57759

封装：SOD-323

品牌：ST(先科)

特性：SC-76 封装。快速开关。这些二极管也有其他外壳样式，包括型号为 1N4148 的 DO-35 外壳、型号为 LL4148 的 MiniMELF 外壳和型号为 MCL4148 的 MicroMELF 外壳

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50+
￥0.0697
500+
￥0.0545
3000+
￥0.0432
6000+
￥0.0381
24000+
￥0.0338
51000+
￥0.0314

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型号：M24C04-RMN6TP 编号：C81147

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥0.397
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￥0.345
150+
￥0.319
500+
￥0.2995
2500+
￥0.2839
5000+
￥0.276

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型号：LM2903DT 编号：C98194

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

该器件由两个独立的低功耗电压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。也可以采用双电源供电。此外，该器件具有一个独特的特性，即即使采用单电源电压供电，其输入共模电压范围也包含负电源轨。

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10+
￥0.3991
100+
￥0.3126
300+
￥0.2694
2500+
￥0.237
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￥0.211
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￥0.198

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型号：LM2901DT 编号：C142961

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

该器件由四个独立的精密电压比较器组成，专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计，也可使用双电源供电。这些比较器还具有一个独特的特性，即即使采用单电源供电，其输入共模电压范围也包含负电源轨。

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5+
￥0.7084
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￥0.5572
150+
￥0.4816
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2500+
￥0.3795
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￥0.3568

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型号：M24C08-WMN6TP 编号：C141771

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥0.7962
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￥0.6412
150+
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￥0.5056
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￥0.4591
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￥0.4359

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型号：STM32F030C6T6 编号：C62514

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

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￥3.43
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￥3.05
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￥2.46

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型号：STM32G030C8T6 编号：C529329

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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￥5.7
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￥4.74
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型号：STM8L052R8T6 编号：C34222

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作电源：1.8V 至 3.6V，温度范围：-40℃ 至 85℃。低功耗特性: 5 种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.9μA）、低功耗等待（3μA）、带完整 RTC 的活动暂停（1.4μA）、暂停（400nA）。动态功耗：200μA/MHz + 330μA。每个 I/O 的超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：4.7μs。

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￥7.29
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￥4.01
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￥3.84

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型号：LSM6DS3TR-C 编号：C967633

封装：LGA-14(2.5x3)

品牌：ST(意法半导体)

用于入门级/中档智能手机和便携式电脑平台的iNEMO 6DoF惯性测量单元（IMU）

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￥8.7
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型号：STM32F411RET6 编号：C94355

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：Dynamic Eficiency Line with BAM (Batch Acquisition Mode)-1.7V to 3.6V power supply - -40°C to 85/105/125°C temperature range。核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTm）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），和 DSP 指令。

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1+
￥12.77
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￥11.16
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型号：STM32L151CBT6A 编号：C604847

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40°C 至 105°C 温度范围。0.28μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式（16 个唤醒线）

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1+
￥16.55
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￥13.95
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￥12.32
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￥10.66
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￥9.91
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￥9.58

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型号：STM32G473RCT6 编号：C529361

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。

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1+
￥21.65
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￥18.43
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￥16.52
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￥14.58
500+
￥13.69
1000+
￥13.29

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型号：STM32F412RET6 编号：C89374

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）内核：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存；256 Kbyte SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口；LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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1+
￥22.86
10+
￥19.82
30+
￥18.02
100+
￥16.2
500+
￥15.36
1000+
￥14.98

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型号：STM32F303RET6 编号：C183214

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。上电/掉电复位（POR/PDR）。可编程电压检测器（PVD）

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1+
￥31.04
10+
￥26.67
30+
￥22.45
100+
￥19.82
500+
￥18.61
1000+
￥18.07

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型号：STM32L476RGT6 编号：C74797

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式（LDO模式）100μA/MHz，运行模式（@3.3V SMPS模式）39μA/MHz

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1+
￥34.13
10+
￥29.58
30+
￥24.4
100+
￥22.07

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型号：STM32F427ZGT6 编号：C117816

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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1+
￥36.7
10+
￥31.42
60+
￥28.2
120+
￥25.5

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型号：1N4148PF 编号：C2992430

封装：DO-35

品牌：ST(先科)

特性：无铅。应用：高速开关

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100+
￥0.0487
1000+
￥0.038
5000+
￥0.0307
10000+
￥0.0271
50000+
￥0.024
100000+
￥0.0223

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型号：1N4148WT 编号：C27748

封装：SOD-523

品牌：ST(先科)

特性：快速开关速度。超小表面贴装封装。适用于通用开关应用。高电导

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50+
￥0.0821
500+
￥0.0643
1500+
￥0.0544
4000+
￥0.0449
24000+
￥0.0398
48000+
￥0.037

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型号：ZMM3V3PF-M 编号：C7497475

封装：LL-34

品牌：ST(先科)

采用MiniMELF封装，特别适用于自动插装。齐纳电压按照国际E 24标准分级。可根据要求提供更小的电压容差和更高的齐纳电压。这些二极管也有DO-35封装。

50+
￥0.1035
500+
￥0.0797
2500+
￥0.0678
5000+
￥0.0599
25000+
￥0.053
50000+
￥0.0493

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型号：ZMM5V6PF-M 编号：C7497481

封装：LL-34

品牌：ST(先科)

采用MiniMELF封装，特别适用于自动插装。齐纳电压按照国际E 24标准分级。可根据要求提供更小的电压容差和更高的齐纳电压。这些二极管也有DO-35封装。

50+
￥0.1039
500+
￥0.0801
2500+
￥0.0681
5000+
￥0.0602
25000+
￥0.0533

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型号：TL082CDT 编号：C13460

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

JFET输入，低输入偏置电流

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5+
￥0.6643
50+
￥0.5161
150+
￥0.4421
500+
￥0.3865
2500+
￥0.3421
5000+
￥0.3199

有货

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型号：TL062CDT 编号：C6956

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

双JFET输入运算放大器

数据手册

5+
￥0.717
50+
￥0.561
150+
￥0.483
500+
￥0.4245
2500+
￥0.3777
5000+
￥0.3543

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型号：M24C64-FMN6TP 编号：C143943

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.8744
50+
￥0.6833
150+
￥0.5877
500+
￥0.5161
2500+
￥0.4587
5000+
￥0.43

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型号：LM211DT 编号：C7924

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

LM111、LM211、LM311是具有低输入电流的电压比较器。它们还设计为可在宽范围的电源电压下工作：从标准的±15V运算放大器电源到用于IC逻辑的单+5V电源。其输出与RTL - DTL、TTL以及MOS电路兼容，并且能够在高达50mA的输出电流下切换高达+50V的电压。

数据手册

5+
￥1.0188
50+
￥0.7997
150+
￥0.6901
500+
￥0.608
2500+
￥0.4989
5000+
￥0.466

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型号：LM339ADT 编号：C89046

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

该系列器件包含四个独立的精密电压比较器，其中LM339A、LM239A和LM139A的失调电压最大低至2 mV。每个比较器专门设计为可在宽电压范围内由单电源供电运行，也可采用双电源供电。这些比较器还具有独特特性，即使采用单电源供电，其输入共模电压范围也包含地电位。

数据手册

5+
￥1.0243
50+
￥0.8004
150+
￥0.6885
500+
￥0.6045
2500+
￥0.5373
5000+
￥0.5038

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型号：LM319DT 编号：C143241

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

这些产品是精密高速双比较器，设计用于在宽范围的电源电压下工作，最低可使用单5 V逻辑电源和接地。它们具有低输入电流和高增益的特点。输出级的集电极开路使其与晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容，并且能够以高达25 mA的电流驱动灯和继电器。虽然这些比较器主要设计用于需要数字逻辑电源供电的应用，但它们在高达±15 V的电源下也有完整的规格说明。与LM111相比，它们的响应时间更快，但代价是电流消耗更高。然而，高速、宽工作电压范围和较少的封装引脚数使LM119、LM219和LM319更加通用。

数据手册

5+
￥1.5235
50+
￥1.1808
150+
￥1.0339
500+
￥0.8506
2500+
￥0.769
5000+
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