ST驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LIS3MDLTR 编号：C478483

封装：LGA-12(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

3轴MEMS磁场传感器，数字输出，I2C/SPI，低功耗模式，高性能

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1+
￥26.7
10+
￥22.81
30+
￥20.5
100+
￥18.17
500+
￥17.09
1000+
￥16.6

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型号：L5973D013TR 编号：C54619

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

L5973D 是一款降压型单片式功率开关稳压器，其开关电流限制最小值为 2.5 A，因此根据应用条件，它能够向负载提供超过 2 A 的直流电流。输出电压可在 1.235 V 至 35 V 之间进行设置。得益于带有散热片的 SO8 封装，该器件还能实现高电流水平，这种封装可将热阻 Rth(j-amb) 降低至约 40℃/W

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1+
￥6.49
10+
￥5.33
30+
￥4.7
100+
￥3.99
500+
￥3.67
1000+
￥3.52

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型号：STM8S103K3T6C 编号：C8309

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，具备扩展指令集。存储器:程序存储器：8 Kbytes Flash，在55℃下10 kycles后数据保留20年。数据存储器：640 bytes真数据EEPROM，耐久性300 kycles。RAM：1 Kbytes。时钟、复位和电源管理:2.95至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

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1+
￥7.22
10+
￥6
30+
￥5.32
250+
￥4.26
500+
￥3.92
1000+
￥3.77

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型号：STM8S105K6T6C 编号：C8254

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC

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1+
￥8.08
10+
￥6.75
30+
￥6.02
250+
￥4.61
500+
￥4.25
1000+
￥4.08

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型号：STM32L073RBT6 编号：C2917159

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留

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1+
￥13.03
10+
￥11.14
30+
￥9.95
100+
￥8.73
500+
￥8.18
1000+
￥7.94

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型号：STM32F105RBT6 编号：C8349

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。存储器：64 至 256 Kbytes 的闪存，64 Kbytes 的通用 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），3 至 25 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC 带校准，32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。

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1+
￥14.54
10+
￥12.57
30+
￥11.18
100+
￥9.91
500+
￥9.32

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型号：STM32H743VIH6 编号：C964146

封装：TFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读写操作。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行速度高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护

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1+
￥52.33
10+
￥44.74
30+
￥40.11
100+
￥36.24

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型号：1N4007 编号：C106903

封装：DO-41

品牌：ST(先科)

特性：低正向压降。高电流能力。高浪涌电流能力

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50+
￥0.1176
500+
￥0.0906
1500+
￥0.0756
5000+
￥0.0681
25000+
￥0.0603
50000+
￥0.056

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型号：LM293DT 编号：C76509

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

LM193、LM293和LM393器件由两个独立的低压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内的单电源下工作，也可采用双电源供电。这些比较器还具有独特的特性，即使在单电源电压下工作，其输入共模电压范围也包含地电位。

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5+
￥0.4684
50+
￥0.3721
150+
￥0.324
500+
￥0.2879

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型号：LM358ADT 编号：C92457

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。

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5+
￥0.5611
50+
￥0.4449
150+
￥0.3867
500+
￥0.3431
2500+
￥0.2792
5000+
￥0.2618

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型号：M24512-RMN6TP 编号：C79991

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥2.0889
50+
￥1.6201
150+
￥1.4193
500+
￥1.1686
2500+
￥1.057
5000+
￥0.99

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型号：STM32F030K6T6 编号：C46830

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

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1+
￥5.01
10+
￥4.2
30+
￥3.62
250+
￥3.15
500+
￥3
1000+
￥2.91

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型号：STM32G030K8T6 编号：C431631

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器: 高达64 KB的带保护的闪存。 8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理: 电压范围：2.0 V至3.6 V

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1+
￥5.17
10+
￥4.65
30+
￥4.37
250+
￥4.04
500+
￥3.9
1000+
￥3.83

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型号：L6574D013TR 编号：C178266

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

支持预热和调光的CFL/TL镇流器驱动器

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1+
￥5.38
10+
￥4.83
30+
￥4.53
100+
￥4.19
500+
￥4.03
1000+
￥3.97

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型号：STM8L052C6T6 编号：C66710

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件:工作电源：1.8V至3.6V。温度范围：-40℃至85℃。低功耗特性:五种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：4.7μs

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1+
￥6.86
10+
￥5.64
30+
￥4.98
250+
￥4.22
500+
￥3.88
1000+
￥3.73

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型号：STM32F051R8T6 编号：C9862

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F051X 系列集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核，工作频率为 48 MHz，高速嵌入式存储器（闪存最高达 64 KB，SRAM 最高达 8 KB），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个 I2C、两个 SPI、一个 I2S、一个 HDMI CEC 和最多两个 USART），一个 12 位 ADC，一个 12 位 DAC，最多五个通用 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F051X 系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F051X 系列包括四种不同封装的设备，从 32 引脚到 64 引脚不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。以下描述提供了该系列提供的完整外设概述。这些特性使得 STM32F051X 微控制器系列适用于广泛的应用领域，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 等。

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1+
￥10.14
10+
￥8.34
30+
￥7.36
160+
￥6.24
480+
￥5.75
960+
￥5.52

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型号：STM32F051C8T6 编号：C9863

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F051X 系列集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核，工作频率为 48 MHz，高速嵌入式存储器（闪存最高达 64 KB，SRAM 最高达 8 KB），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个 I2C、两个 SPI、一个 I2S、一个 HDMI CEC 和最多两个 USART），一个 12 位 ADC，一个 12 位 DAC，最多五个通用 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F051X 系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F051X 系列包括四种不同封装的设备，从 32 引脚到 64 引脚不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。以下描述提供了该系列提供的完整外设概述。这些特性使得 STM32F051X 微控制器系列适用于广泛的应用领域，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 等。

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1+
￥10.2
10+
￥8.41
30+
￥7.43
250+
￥6.31
500+
￥5.82
1000+
￥5.6

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型号：STM32L071CBT6 编号：C79758

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40℃至125℃温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式+RTC+20KB RAM保留。运行模式下低至93μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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1+
￥12.81
10+
￥10.87
30+
￥9.65
250+
￥7.93
500+
￥7.37
1000+
￥7.12

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型号：STM32G0B1RET6 编号：C2829307

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达512KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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1+
￥16.93
10+
￥14.48
30+
￥12.45
160+
￥10.88
480+
￥10.17
960+
￥9.86

有货

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型号：STM32F303RBT6 编号：C130453

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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1+
￥18.84
10+
￥16.03
30+
￥14.36
100+
￥12.67
500+
￥11.89
1000+
￥11.54

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型号：STM32H743XIH6 编号：C114407

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：32-bit Arm Cortex-M7核心，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读时写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。多达168个具有中断能力的I/O端口

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1+
￥61.25
10+
￥50.3
30+
￥45.26
100+
￥41.04

有货

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型号：M24C04-WMN6TP 编号：C118280

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.6462
50+
￥0.4844
150+
￥0.4035
500+
￥0.3429
2500+
￥0.2943
5000+
￥0.27

有货

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型号：LM239DT 编号：C99576

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

低功耗四电压比较器，工作温度：-40~105℃

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5+
￥0.9386
50+
￥0.7586
150+
￥0.6686
500+
￥0.6011
2500+
￥0.5471
5000+
￥0.52

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型号：TL084CDT 编号：C11130

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

TL084、TL084A 和 TL084B 是高速 JFET 输入四通道运算放大器，集成了匹配良好的高电压 JFET 和双极型晶体管于单片集成电路中。这些器件具有高摆率、低输入偏置和失调电流以及低温漂失调电压的特点。

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5+
￥1.1378
50+
￥0.9059
150+
￥0.8065
500+
￥0.6826
2500+
￥0.5124
5000+
￥0.4792

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型号：TS321ILT 编号：C38380

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

TS321器件适用于对成本敏感且对节省空间要求极高的应用场景。这款双极运算放大器（运放）采用SOT23 - 5封装，减小了元件尺寸，其规格参数与行业标准器件（如广受欢迎的LM358A、LM324及其他类似器件）相当甚至更优。TS321器件的输入共模范围（Vicm）包含地电位，因此可用于单电源应用

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5+
￥1.2215
50+
￥0.9487
150+
￥0.8318
500+
￥0.6859
3000+
￥0.621
6000+
￥0.582

有货

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型号：VIPER22ASTR-E 编号：C9216

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

VIPer22A-E在同一硅芯片上将专用的电流模式PWM控制器与高压功率MOSFET集成在一起。典型应用包括电池充电器适配器的离线电源、电视或显示器的待机电源、电机控制的辅助电源等。内部控制电路具有以下优点：VDD引脚的宽输入电压范围可适应辅助电源电压的变化，此特性非常适合电池充电器适配器配置。在低负载条件下自动进入间歇模式。在HICCUP模式下提供过压保护。

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1+
￥3.39
10+
￥2.68
30+
￥2.32
100+
￥1.96
500+
￥1.75
1000+
￥1.64

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型号：STM32G030C8T6TR 编号：C724039

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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