BPS驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MX5134T 编号：C19078228

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动单通道，低边驱动，大电流，SOT23-6

1+
￥2.16
10+
￥1.89
30+
￥1.77
100+
￥1.62
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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型号：SL27523 编号：C2690326

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

双通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

1+
￥2.16
10+
￥1.89
30+
￥1.77
100+
￥1.62
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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型号：EG27325 编号：C2929095

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

数据手册

5+
￥2.2404
50+
￥1.7505
150+
￥1.5406
500+
￥1.2786
2500+
￥1.0987

有货

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型号：FAN7382MX 编号：C5804629

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.304 ￥2.56
10+
￥2.025 ￥2.25
30+
￥1.89 ￥2.1
100+
￥1.746 ￥1.94
500+
￥1.665 ￥1.85
1000+
￥1.629 ￥1.81

有货

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型号：COS4428SR 编号：C2685359

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,同反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥2.36
50+
￥1.82
150+
￥1.58
500+
￥1.29
2500+
￥1.16
4000+
￥1.08

有货

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型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

5+
￥2.3911
50+
￥1.9036
150+
￥1.6946
500+
￥1.2423
2500+
￥1.1263

有货

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型号：UCC27518DBVR-TP 编号：C51939679

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1+
￥2.4168 ￥3.18
10+
￥1.9152 ￥2.52
30+
￥1.6948 ￥2.23
100+
￥1.4212 ￥1.87
500+
￥1.3072 ￥1.72
1000+
￥1.2312 ￥1.62

有货

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型号：DO6288Q 编号：C42386238

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

1+
￥2.58
10+
￥2.02
30+
￥1.78
100+
￥1.47
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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型号：DRV8838DSGR 编号：C86667

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8838 具有相位/使能控制的 11V、1.8A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.28
30+
￥2
100+
￥1.64
500+
￥1.49
1000+
￥1.39

有货

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型号：TF2104M-TAH 编号：C2683754

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.33
30+
￥2.07
100+
￥1.75
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

有货

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型号：LM5109BMAX-JSM 编号：C7432827

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向，高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

1+
￥2.975 ￥3.5
10+
￥2.2865 ￥2.69
30+
￥1.9975 ￥2.35
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.4705 ￥1.73
1000+
￥1.3685 ￥1.61

有货

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型号：EG2186 编号：C20416237

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V，低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-4/4A，采用SOP8 封装。

1+
￥3.19
10+
￥2.46
30+
￥2.15
100+
￥1.76
500+
￥1.67
1000+
￥1.57

有货

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型号：EG2184S 编号：C48580027

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2184S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。

1+
￥3.25
10+
￥2.57
30+
￥2.28
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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型号：TPM27523-SO1R 编号：C38403282

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

1+
￥3.28
10+
￥2.52
30+
￥2.2
100+
￥1.79
500+
￥1.61
1000+
￥1.5

有货

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型号：STSPIN233 编号：C2653468

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

低压三相三路感应电机驱动器

数据手册

1+
￥3.28
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.97
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

有货

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型号：TPM27524-SO1R 编号：C20416757

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是一系列用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源极和漏极电流能力可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最高25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低的传播延迟和两个通道之间出色的匹配度，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。广泛的封装支持SOP-8、EMSOP-8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源砖中超紧凑型同步整流器的设计。

5+
￥3.28
50+
￥2.52
150+
￥2.2
500+
￥1.79
2500+
￥1.61

有货

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型号：HG6288LQ/TR 编号：C49518603

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

1+
￥3.41
10+
￥2.76
30+
￥2.44
100+
￥2.12
500+
￥1.92
1000+
￥1.83

有货

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型号：MTB67H450FNG 编号：C42403078

封装：ESOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款驱动芯片采用ESOP-8封装，采用低导通电阻的MOSFET，有效降低了功耗，提高了能源利用效率，减少了热量产生，适用于对散热要求较高或对能耗敏感的应用场景，能够满足大多数中、小功率直流有刷电机的驱动需求，被广泛用于：工业自动化、消费电子、汽车电子、医疗设备等

1+
￥3.4295 ￥3.61
10+
￥2.717 ￥2.86
30+
￥2.4035 ￥2.53
100+
￥2.0235 ￥2.13
500+
￥1.8525 ￥1.95
1000+
￥1.748 ￥1.84

有货

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型号：EG2183Q 编号：C48580026

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

1+
￥3.47
10+
￥2.74
30+
￥2.43
100+
￥2.04
500+
￥1.87
1000+
￥1.77

有货

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型号：FAN3111ESX 编号：C719836

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项： FAN3111C 具有双 CMOS 输入，阈值参考 VDD，用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源，该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入，和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。

数据手册

1+
￥3.76
10+
￥3.11
30+
￥2.82
100+
￥2.47
500+
￥2.14
1000+
￥2.04

有货

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型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥4.13
10+
￥3.73
30+
￥3.52
100+
￥3.32
500+
￥2.47
1000+
￥2.41

有货

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.4
30+
￥2.97
100+
￥2.55
500+
￥2.29
1000+
￥2.16

有货

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型号：IRS4427STRPBF 编号：C171650

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,Vin=6V~20V

数据手册

1+
￥4.8
10+
￥3.82
30+
￥3.32
100+
￥2.84
500+
￥2.54
1000+
￥2.39

有货

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型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥4.81 ￥7.4
10+
￥3.696 ￥6.72
30+
￥2.8575 ￥6.35
100+
￥2.6685 ￥5.93
500+
￥2.583 ￥5.74
1000+
￥2.547 ￥5.66

有货

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型号：TPS2829DBVR 编号：C202321

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2829 具有 40V VDD 的 2A/2A 单路栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.31
10+
￥4.23
30+
￥3.69
100+
￥3.15
500+
￥2.83
1000+
￥2.66

有货

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型号：TF2388M-TGH 编号：C2836240

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥5.5
10+
￥4.96
30+
￥4.66
100+
￥4.33
500+
￥4.18

有货

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型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册