BPS驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：JSM6288Q 编号：C19077370

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

此版本为高欠压VCC≥8V；C52196409为低欠压VCC≥5V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

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型号：FD6187T 编号：C5126666

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计。内置欠压(UVLO)保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。内置防直通和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

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型号：G2063Q 编号：C53436485

封装：QFN-24(4x4)

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：NSG2308 编号：C53436449

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：UCC27511DBVR-JSM 编号：C7466358

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

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型号：EG2133 编号：C190343

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

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型号：HX34151-S 编号：C41399169

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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型号：TB67H450FNG(O,EL) 编号：C2932785

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H450FNG是一款PWM斩波型直流有刷电机驱动器，内置一个通道的电机输出模块。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50V，最大电流为3.5A。

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型号：LM2104DR 编号：C22427346

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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型号：MCP1402T-E/OT 编号：C128573

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

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型号：LMG1020YFFR 编号：C6423790

封装：BGA-6

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.75V~5.25V 峰值灌电流：5A 峰值拉电流：7A 具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器 6-DSBGA -40 to 125

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型号：LM2105DSGR 编号：C22399677

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：IX4340NETR 编号：C3029625

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能提供和吸收5A的峰值电流，最大额定电压为20V。两个输出端可并联以用于更高电流的应用。快速的传播延迟时间（典型值16ns）和快速的上升和下降时间（7ns）使其非常适合高频应用。输入与TTL和CMOS逻辑兼容，每个输出都有独立的使能功能。欠压锁定电路（UVLO）可防止高端源极驱动器在电源电压不足时导通。如果逻辑输入悬空，输出将保持低电平。

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型号：SGM48000XS8G/TR 编号：C700286

封装：SOIC-8

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM48000/1/2系列是双通道低端驱动器，典型源电流和灌电流能力为2A。反相和同相输入均可用，可选择三种组合以实现灵活的逻辑应用。SGM48000/1/2的上升时间和下降时间分别匹配为12ns和13ns，这使得脉冲宽度能够以最小的时序误差和时钟偏移问题传输到输出端

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型号：MS8313 编号：C231942

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：杭州瑞盟

三个独立半桥大电流驱动 MS8313提供三个可独立控制的半H桥驱动器。可被用于驱动螺线管或者其他负载，但它主要用于驱动一个三相无刷直流电机。每个输出驱动器通道包含采用半H桥配置的N通道功率MOSFET。

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型号：ATD5833QNN 编号：C5155089

封装：QFN-28(5x5)

品牌：杭州中科微

ATD5833是一款内置有译码器的低噪声步进电机驱动器。其输出驱动能力达到30V±2.5A，最高支持256细分，同时可实现低噪声工作。译码器是ATD5833易于使用的关键。

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型号：DRV8804PWPR 编号：C114176

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8804 具有串行控制的 60V、2.3A、四通道低侧电机驱动器

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型号：IXDI602SIATR 编号：C2677097

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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型号：IXDN609SIATR 编号：C5242049

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：UCD7100PWPR 编号：C523751

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCD7100 具有电流感应的数字控制兼容单输出低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器

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型号：SS6952T-ET-TP 编号：C3010794

封装：ETSSOP-28

品牌：LEADPOWER(率能)

单通道 H 桥电流控制电机驱动器：单个直流有刷电机；一个步进电机单相；固定频率下电流控制可选择：2 bits 电流控制，提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)：24V，Ta = 25°C时可实现 7.0A 最大驱动电流（在保证散热良好条件下）；24V，Ta= 25°C 时 RDS(HS+LS)为150mΩ（典型值 HS + LS）。最大供电耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封。保护特性：过流保护 (OCP)；热关断 (TSD)；欠压闭锁 (UVLO)；故障显示 Pin（nFAULT）。

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型号：IXDD609SIATR 编号：C2677099

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：UCC27611DRVT 编号：C139645

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A

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型号：DRV8702DQRHBRQ1 编号：C1848377

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702D-Q1 汽车类 47V 半桥智能栅极驱动器

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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型号：FU6832N1 编号：C5126663

封装：QFN-32(4x4)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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型号：SIP2100DY-T1-GE3 编号：C142541

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

SIP2100是一款集成式缓冲H桥，其输入与TTL和CMOS兼容，在5V VDD电源下能够提供高达1A的连续电流。 SIP2100有两个独立的逻辑输入，可设置四种不同的电机运行模式：正转、反转、停止（空转）和制动。内部的直通保护逻辑还可防止上下输出同时导通。 SiP2100具有极高的效率，工作电流极低。该器件还具备过温保护功能，关断迟滞为20°C。SIP2100采用SOIC8封装。

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