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首页 > 热门关键词 > 博通光耦
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4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管,该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻,该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流,并将多余的基极驱动电流泄放至地,因此该光耦合器在不同温度下都具有出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比,第二级基极可外接,这使其具备更好的抗噪能力
  • 单价:

    ¥29.52878 / 个
包含GaAsP LED,或包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压
  • 5+

    ¥98.87934
  • 50+

    ¥86.858715
  • 500+

    ¥79.975938
  • 1+

    ¥19.51
  • 10+

    ¥19.1
  • 50+

    ¥18.83
  • 100+

    ¥18.56
  • 订货
    • 1+

      ¥20.73
    • 10+

      ¥20.28
    • 30+

      ¥19.98
    • 100+

      ¥19.68
  • 订货
  • 3.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler with Rail-to-Rail Output Voltage in Stretched SO6
    数据手册
    • 1+

      ¥22.88
    • 10+

      ¥22.4
    • 30+

      ¥22.09
    • 100+

      ¥21.77
  • 订货
  • 驱动光耦
    数据手册
    • 1+

      ¥24.97
    • 10+

      ¥24.45
    • 30+

      ¥24.1
    • 100+

      ¥23.76
  • 订货
    • 1+

      ¥29.21
    • 10+

      ¥28.45
    • 50+

      ¥27.95
    • 100+

      ¥27.44
  • 订货
  • ACPL - P340/W340包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED),该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压
    • 1+

      ¥29.49
    • 10+

      ¥28.8
    • 30+

      ¥28.35
    • 100+

      ¥27.89
  • 订货
  • 是一种光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 工作时可保证 15kV/μs 的共模瞬态抗扰度。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +100℃ 范围内得到保证,可确保系统无故障运行。适用于高速逻辑接口、输入/输出缓冲,可作为传统线路接收器无法耐受环境中的线路接收器,推荐在极高接地或感应噪声环境中使用。
    • 1+

      ¥30.68
    • 10+

      ¥26.42
    • 30+

      ¥23.89
    • 150+

      ¥21.33
    • 450+

      ¥20.15
    • 1050+

      ¥19.62
  • 订货
  • 光耦合门,结合了砷化镓磷发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在3.3V时可保证15kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至 + 85℃范围内得到保证,确保系统无故障运行。适用于高速逻辑接口、输入/输出缓冲,可作为传统线路接收器无法耐受环境中的线路接收器,推荐在极高接地或感应噪声环境中使用。
    • 单价:

      ¥24.904721 / 个
    HCPL - 2200/2219 是光耦合逻辑门,它将 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器组合在一起。该探测器具有三态输出级,且其探测器阈值带有迟滞特性。三态输出无需上拉电阻,可直接驱动数据总线
    • 单价:

      ¥34.393051 / 个
    • 1+

      ¥32.64
    • 200+

      ¥13.03
    • 500+

      ¥12.59
    • 1000+

      ¥12.38
  • 订货
    • 1+

      ¥34.51
    • 10+

      ¥29.8
    • 30+

      ¥27
    • 100+

      ¥24.17
    • 500+

      ¥22.86
    • 1000+

      ¥22.27
  • 订货
    • 1+

      ¥35.86
    • 10+

      ¥30.89
    • 30+

      ¥27.86
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      ¥25.32
  • 订货
    • 1+

      ¥35.9
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      ¥30.92
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      ¥27.96
    • 100+

      ¥24.96
    • 500+

      ¥23.58
    • 1000+

      ¥22.96
  • 订货
  • 专为驱动高功率MOSFET而设计。它由一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级和一个输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,用于外部开关两个独立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时,继电器驱动器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器驱动器关闭(触点断开)。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性,可以通过串联连接2个通道来使光伏电压加倍,或者通过并联连接2个通道来使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。
    • 1+

      ¥36.17
    • 10+

      ¥35.32
    • 50+

      ¥34.76
    • 100+

      ¥34.2
  • 订货
    • 1+

      ¥8.182918
    • 50+

      ¥7.553462
    • 100+

      ¥7.427571
    • 500+

      ¥7.175789
    • 1000+

      ¥7.049898
    • 1+

      ¥37.1
    • 10+

      ¥31.89
    • 30+

      ¥28.72
    • 100+

      ¥26.06
  • 订货
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      ¥37.41
    • 10+

      ¥32.4
    • 30+

      ¥29.35
    • 80+

      ¥26.79
  • 订货
    • 1+

      ¥41.8
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      ¥35.92
    • 30+

      ¥32.33
    • 80+

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