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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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特性:国际标准封装。高阻断电压。高电流处理能力。反并联二极管。高功率密度。低栅极驱动要求。应用:电容放电。交流开关
  • 1+

    ¥321.65
  • 30+

    ¥310.51
  • 有货
    • 单价:

      ¥193.36 / 个
  • 有货
    • 1+

      ¥219.22
    • 30+

      ¥210.3
  • 有货
  • 特性:专为线性操作设计。国际标准封装。雪崩额定。在75℃时保证正向偏置安全工作区(FBSOA)。易于安装。节省空间。应用:固态断路器。软启动控制
    • 1+

      ¥288.09
    • 10+

      ¥279.97
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。极低的漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的Irm值。非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管
    • 1+

      ¥305.89
    • 30+

      ¥293.43
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低本征栅极电阻。 带氮化铝隔离的miniBLOC。 低封装电感。 快速本征整流器。 低导通电阻RDS(on)和栅极电荷QG。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥352
    • 30+

      ¥339.2
  • 有货
    • 1+

      ¥490.54
    • 30+

      ¥470.24
  • 有货
  • 特性:国际标准封装,带DCB陶瓷基板。 平面钝化芯片。 短恢复时间。 低开关损耗。 软恢复特性。 高可靠性电路运行。应用:高频开关设备的反并联二极管。 转换器和电机控制电路中的续流二极管
    • 单价:

      ¥644.93 / 个
  • 有货
  • IX4310T是一款2A低端栅极驱动器。其输出能够提供和吸收2A的峰值电流,最大额定电压为24V。输入与TTL和CMOS逻辑兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥2.74
    • 10+

      ¥2.68
    • 30+

      ¥2.64
  • 有货
    • 1+

      ¥6.01
    • 10+

      ¥5.89
    • 30+

      ¥5.8
  • 有货
  • 是N沟道耗尽型场效应晶体管(FET),有SOT-223和SOT-89两种封装。采用专有第三代垂直DMOS工艺,在经济的硅栅工艺中实现高性能高压MOSFET。垂直DMOS工艺使器件可靠性高,尤其适用于电信、安防和电源等复杂应用环境。典型导通电阻为4.5Ω,漏源电压为400V。FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
    • 1+

      ¥6.27
    • 10+

      ¥6.13
    • 30+

      ¥6.03
  • 有货
  • IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容,并且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥7.85
    • 10+

      ¥6.63
    • 50+

      ¥5.96
  • 有货
  • 特性:国际标准封装JEDEC TO-220 AC。 平面钝化芯片。 极短的恢复时间。 极低的开关损耗。 低IRM值。 软恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥9.99
    • 10+

      ¥8.35
    • 30+

      ¥7.45
  • 有货
    • 1+

      ¥11.74
    • 10+

      ¥11.5
    • 30+

      ¥11.34
  • 有货
  • 特性:常通模式。 国际标准封装。 低导通电阻HDMOS™工艺。 坚固的多晶硅栅单元结构。 快速开关速度。 易于安装。应用:电平转换。 触发器
    • 1+

      ¥14.51
    • 10+

      ¥11.68
    • 30+

      ¥9.9
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关设备的反并联二极管。 抗饱和二极管
    • 1+

      ¥14.74
    • 10+

      ¥12.67
    • 50+

      ¥11.38
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥14.92
    • 10+

      ¥14.57
    • 30+

      ¥14.33
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的反向恢复电流值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    • 1+

      ¥15.63
    • 10+

      ¥13.52
    • 50+

      ¥12.2
  • 有货
    • 1+

      ¥16.12
    • 10+

      ¥13.91
    • 50+

      ¥12.52
  • 有货
  • 设计用于保护敏感电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    • 1+

      ¥21.28
    • 10+

      ¥20.86
    • 30+

      ¥20.57
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速本征整流器。 雪崩额定。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 低封装电感。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥23.8
    • 10+

      ¥20.37
    • 50+

      ¥18.33
  • 有货
    • 1+

      ¥25.1
    • 10+

      ¥21.48
    • 50+

      ¥19.33
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。塑料包覆式散热片。低RDS(ON)和QG。雪崩额定。2500V电气隔离。低封装电感。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
    • 1+

      ¥27.06
    • 10+

      ¥19.96
    • 30+

      ¥15.63
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。极低的漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的反向恢复电流。非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管
    • 1+

      ¥27.42
    • 10+

      ¥23.94
    • 50+

      ¥21.86
  • 有货
    • 1+

      ¥28.54
    • 10+

      ¥27.95
    • 50+

      ¥27.55
  • 有货
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