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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关设备的反并联二极管。 抗饱和二极管
  • 1+

    ¥66.55
  • 10+

    ¥57.72
  • 50+

    ¥52.34
  • 100+

    ¥47.83
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速本征整流器。 雪崩额定。 低RDS(ON)和QG。 低封装电感。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥74.36
    • 10+

      ¥63.29
    • 30+

      ¥56.54
    • 100+

      ¥50.88
  • 有货
  • 特性:优化低开关损耗。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 Vce(sat)正温度系数。 反并联超快二极管。 高电流处理能力。 国际标准封装。应用:高频功率逆变器。 UPS
    数据手册
    • 1+

      ¥75.92
    • 10+

      ¥66.23
    • 30+

      ¥60.33
    • 100+

      ¥55.38
  • 有货
  • 特性:国际标准封装miniBLOC(与ISOTOP兼容),隔离电压2500V。 一个封装中有2个独立的快速恢复外延二极管(FRED)。 平面钝化芯片。 极短的恢复时间。 极低的开关损耗。 低反向恢复电流(IRM)值。应用:高频开关设备的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥104.75
    • 10+

      ¥100.04
    • 30+

      ¥92.38
  • 有货
  • 特性:适用于线频率。 平面钝化芯片。 长期稳定性。 直接铜键合Al₂O₃陶瓷。 隔离电压:4800V~。 行业标准外形。应用:50/60Hz线路整流。 交流电机软启动控制
    • 1+

      ¥141.42
    • 10+

      ¥135.43
    • 30+

      ¥125.07
  • 有货
    • 1+

      ¥174.23
    • 30+

      ¥167.13
  • 有货
  • 特性:高压封装。 高阻断电压。 高峰值电流能力。 低饱和电压。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)
    • 1+

      ¥186.5
    • 30+

      ¥176
  • 有货
    • 1+

      ¥18.97
    • 10+

      ¥16.79
    • 30+

      ¥14.86
    • 90+

      ¥13.46
  • 有货
  • 特性:极低的正向压降(Vf)。 极低的开关损耗。 低反向电流(Irm)值。 改善的热性能。 高可靠性电路运行。 低电压尖峰,减少保护电路需求。应用:开关电源(SMPS)中的整流器。 低压转换器中的续流二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥21.96
    • 10+

      ¥19.19
    • 30+

      ¥17.54
    • 90+

      ¥15.87
  • 有货
  • 特性:快速本征整流器。雪崩额定。低RDS(O)和QG。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥32.21
    • 10+

      ¥27.93
    • 30+

      ¥25.39
    • 90+

      ¥22.82
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低Q。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 高功率密度。应用:DC-DC转换器。 开关模式和共振模式电源
    • 1+

      ¥49.1
    • 10+

      ¥42.95
    • 30+

      ¥39.2
    • 100+

      ¥36.06
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 坚固的PolarPTM工艺。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征二极管。 动态dv/dt额定。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 1+

      ¥53.26
    • 10+

      ¥46.81
    • 30+

      ¥42.87
    • 90+

      ¥39.57
  • 有货
  • 高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流,同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平,直到施加足够的电源电压(IXD_630版本为12.5V,IXD_630M版本为9V)。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器,IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥59.07
    • 10+

      ¥50.88
    • 50+

      ¥45.89
    • 100+

      ¥41.7
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥73.64
    • 10+

      ¥65.28
    • 30+

      ¥60.19
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 平面钝化芯片。 易于用一个螺丝安装。 节省空间和重量。 隔离电压:2500 V。 行业标准外形。应用:直流电源设备的电源。 PWM逆变器的输入整流器
    • 1+

      ¥81.08
    • 10+

      ¥70.39
    • 28+

      ¥63.87
    • 98+

      ¥58.41
  • 有货
  • 特性:IXYS先进的低Qg工艺,低栅极电荷和电容。易于驱动。更快的开关速度。国际标准封装。低RDS(on)。额定用于无钳位电感负载开关(UIS)。应用:DC-DC转换器。电池充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥94.53
    • 10+

      ¥83.77
    • 25+

      ¥77.21
    • 100+

      ¥71.71
  • 有货
  • 特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 隔离电压2500V~。 Vce(sat)具有正温度系数。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥244.2
    • 30+

      ¥233.1
  • 有货
  • 特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。 隔离安装表面。 3000V电气隔离。 高阻断电压。 国际标准封装。 低传导损耗。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥309.64
    • 25+

      ¥296.09
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。 隔离电压2500 V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低RDS(on)。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥324.66
    • 30+

      ¥308.67
  • 有货
  • 应用:瞬态电压保护。高压开关。撬棒电路。激光设备。脉冲发生器
    • 1+

      ¥385.48
    • 20+

      ¥372.36
  • 有货
  • 特性:采用DCB陶瓷封装。 改善温度和功率循环性能。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的泄漏电流。应用:主整流二极管。 用于三相桥配置
    数据手册
    • 1+

      ¥443.66
    • 30+

      ¥426.61
  • 有货
  • 特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。隔离安装表面。4000V~电气隔离。高阻断电压。高峰值电流能力。低饱和电压。应用:开关模式和谐振模式电源。电容放电电路
    • 1+

      ¥568.29
    • 30+

      ¥540.41
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极低的正向压降。 改善的热性能。应用:主整流二极管。 单相和三相桥配置
    数据手册
    • 1+

      ¥11.55
    • 10+

      ¥9.91
    • 30+

      ¥8.88
    • 90+

      ¥7.83
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 175℃工作温度。 雪崩额定。 低Rₚₛₛ(on),高电流处理能力。 易于安装。 节省空间。应用:汽车。 电机驱动
    • 1+

      ¥13.83
    • 10+

      ¥11.6
    • 30+

      ¥10.2
    • 70+

      ¥8.77
  • 有货
  • N-CH 100V
    数据手册
    • 1+

      ¥19.66
    • 10+

      ¥18.62
    • 30+

      ¥16.54
    • 90+

      ¥15.87
  • 有货
  • N-CH 650V 46A
    数据手册
    • 1+

      ¥31.53
    • 10+

      ¥27.3
    • 30+

      ¥24.78
    • 90+

      ¥22.23
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥32.91
    • 10+

      ¥27.95
    • 30+

      ¥25.01
    • 100+

      ¥22.03
  • 有货
  • IXDD614 / IXDI614 / IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    • 1+

      ¥37.42
    • 10+

      ¥32.34
    • 50+

      ¥29.25
    • 100+

      ¥26.65
  • 有货
  • 适合驱动最新的MOSFET和IGBT。每个输出可提供和吸收14A的峰值电流,同时产生小于30ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,使驱动器几乎不受闩锁影响。低传播延迟和快速的上升和下降时间使其非常适合高频和高功率应用。有非反相驱动器(带使能)、非反相驱动器和反相驱动器三种配置。有8引脚DIP(PI)、带外露金属背的8引脚Power SOIC(SI)、5引脚TO-220(CI)和5引脚TO-263(YI)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.98
    • 10+

      ¥34.13
    • 30+

      ¥31.18
    • 100+

      ¥28.7
  • 有货
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