IXYS光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：PLA134 编号：C7026249

封装：DIP-6

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥146.84
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￥58.59
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￥55.67

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型号：CPC1728J 编号：C19562357

封装：-

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥162.92
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￥65.01
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型号：TS117S 编号：C1522255

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse/IXYS

TS117集成电路器件在单个封装中集成了一个350V常开（1-Form-A）继电器和一个光耦合器。该继电器采用光耦合MOSFET技术，提供3750Vrms的输入到输出隔离。其光耦合继电器输出采用专利的OptoMOS架构，由高效的GaAIAs红外LED控制。 TS117使电信电路设计人员能够在单个组件中集成两种分立功能，与传统分立组件解决方案相比，占用空间更小。

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￥18.4107 ￥23.91
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￥13.7819 ￥20.57
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￥8.6868 ￥15.24

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型号：IXTH52P10P 编号：C444862

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装。快速本征二极管。动态dv/dt额定。雪崩额定。耐用的PolarPTM工艺。低QG和Rds(on)。应用：高端开关。推挽放大器

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￥36.25
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￥31.69
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￥27.61

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型号：IX4427NTR 编号：C171845

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动

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￥4.19
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型号：NCD2100MTR 编号：C16076290

封装：DFN-6(2X2)

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥27.49
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￥23.3
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￥20.8
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型号：IX4340NETR 编号：C3029625

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能提供和吸收5A的峰值电流，最大额定电压为20V。两个输出端可并联以用于更高电流的应用。快速的传播延迟时间（典型值16ns）和快速的上升和下降时间（7ns）使其非常适合高频应用。输入与TTL和CMOS逻辑兼容，每个输出都有独立的使能功能。欠压锁定电路（UVLO）可防止高端源极驱动器在电源电压不足时导通。如果逻辑输入悬空，输出将保持低电平。

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1+
￥5.14
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￥4.2
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￥3.74
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￥3.28
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￥2.64
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型号：IXDI602SIATR 编号：C2677097

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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￥8.63
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￥7.11
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￥5.35
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￥4.93
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型号：IXDN609SIATR 编号：C5242049

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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￥8.89
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￥7.33
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￥5.51
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￥5.08
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型号：IXDD609SIATR 编号：C2677099

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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1+
￥11.28
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￥9.52
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型号：DSEI60-06A 编号：C426674

封装：TO-247-2

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：平面钝化芯片。低泄漏电流。极短恢复时间。改善的热性能。极低的Irm值。非常软的恢复特性。应用：高频开关设备的反并联二极管。抗饱和二极管

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￥25.12
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￥20.76
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￥16.48
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￥13.69

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型号：IXTP10P50P 编号：C5359029

封装：TO-220-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装。快速本征二极管。动态dV/dt额定。雪崩额定。坚固的PolarPTM工艺。低QG和Rds(on)特性。应用：高端开关。推挽放大器

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￥38.1
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￥33.14
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￥28.66
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￥25.68

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型号：DSEP2X61-12A 编号：C440800

封装：SOT-227

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥160.43
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￥152.54

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型号：IXDN602SIATR 编号：C431679

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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1+
￥7.1
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￥5.88
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￥4.45
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￥3.96

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型号：DSEP12-12A 编号：C82572

封装：TO-220AC-2

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：平面钝化芯片。极低的漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的Irm值。非常软的恢复特性。应用：高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管

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1+
￥8.72
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￥7.15
50+
￥5.98
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￥5
500+
￥4.57
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￥4.38

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型号：DSEI60-12A 编号：C426670

封装：TO-247-2

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装-JEDEC TO-247 AD。平面钝化芯片。极短的恢复时间。极低的开关损耗。低RM值。软恢复特性。应用：高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管

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1+
￥21.82
10+
￥18.41
30+
￥16.27
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￥14.08
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￥13.09
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￥12.67

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型号：DSP45-16A 编号：C426676

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：行业标准外形。 RoHS合规。环氧树脂符合UL 94V-0。应用：主整流二极管。用于单相和三相桥配置

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1+
￥26.96
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￥23.07
30+
￥20.76
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￥18.43

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型号：IXFH44N50P 编号：C2929945

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装。快速本征整流器。雪崩额定。低RDS(DN)和QG。低封装电感。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器

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1+
￥37.38
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￥32.64
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￥27.09
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￥24.66

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型号：IXFH80N65X2 编号：C440794

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装。低RDS(ON)和QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器

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1+
￥59.72
10+
￥52.19
30+
￥40.42
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￥36.57

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型号：IXTH1N200P3 编号：C3281020

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥66.44
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￥57.1
30+
￥51.4
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￥46.63

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型号：DHH55-36N1F 编号：C21574657

封装：TO-264

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：平面钝化芯片。极低的泄漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的反向恢复电流值。非常软的恢复特性。应用：高频开关设备的反并联二极管。抗饱和二极管

1+
￥191.77
25+
￥183.37

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型号：IXBF55N300 编号：C3191182

封装：ISOPLUSi4-Pak

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。隔离安装表面。 4000V~电气隔离。高阻断电压。高峰值电流能力。低饱和电压。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源（UPS）

1+
￥668.78
30+
￥646.3

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型号：IXDN604SIATR 编号：C2676944

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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1+
￥9.76
10+
￥8.13
30+
￥7.24
100+
￥6.23
500+
￥5.43
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￥5.22

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型号：DSEP29-06A 编号：C426666

封装：TO-220-2

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：平面钝化芯片。极低的泄漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的Irm值。非常软的恢复特性。应用：高频开关设备的反并联二极管。抗饱和二极管

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1+
￥11.62
10+
￥9.84
50+
￥8.72
100+
￥7.58

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型号：IXDN614SI 编号：C7430185

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

1+
￥25.44
10+
￥21.56
30+
￥19.25
100+
￥16.91
500+
￥15.84
1000+
￥15.35

有货

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型号：IXTH34N65X2 编号：C455174

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装。低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥29.02
10+
￥24.82
30+
￥22.33
100+
￥19.81

有货

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型号：IXDD614YI 编号：C1556549

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

数据手册

1+
￥33.78
10+
￥28.95
30+
￥26.08
100+
￥23.18

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型号：DH60-18A 编号：C2798152

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：平面钝化芯片。极低的泄漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的反向恢复电流值。非常软的恢复特性。应用：高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管

数据手册

1+
￥70.29
10+
￥59.91
30+
￥53.58
90+
￥48.28

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型号：DSEI2X61-12B 编号：C440372

封装：SOT-227B

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装miniBLOC（与ISOTOP兼容），隔离电压2500V。一个封装中有2个独立的快速恢复外延二极管（FRED）。平面钝化芯片。极短的恢复时间。极低的开关损耗。低反向恢复电流（IRM）值。应用：高频开关设备的反并联二极管。抗饱和二极管

数据手册

1+
￥93.81
10+
￥89.09
30+
￥81.43

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型号：DSEI2X101-12A 编号：C425670

封装：SOT-227B

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：平面钝化芯片。低泄漏电流。极短恢复时间。改善的热性能。极低的Irm值。非常软的恢复特性。应用：高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管

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￥114.45
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