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旨在保护低压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。
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  • 有货
  • 旨在保护对电压敏感的电子元件免受静电放电和其他瞬态影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露于静电放电的设计提供一流的保护。
    • 20+

      ¥0.1751
    • 200+

      ¥0.1364
    • 600+

      ¥0.1149
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    • 21000+

      ¥0.0848
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
    数据手册
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      ¥0.1835
    • 250+

      ¥0.1412
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    • 24750+

      ¥0.0801
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.1875
    • 250+

      ¥0.1465
    • 750+

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    • 2250+

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    • 12750+

      ¥0.0918
    • 24750+

      ¥0.0854
  • 有货
  • 该5线电压瞬态抑制器阵列专为需要瞬态电压保护功能的应用而设计。适用于过瞬态电压和ESD敏感设备,如计算机、打印机、汽车电子、网络通信等应用。该器件采用单片共阳极设计,可在单个SOT-363封装中保护五条独立线路。
    • 20+

      ¥0.1914
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    • 21000+

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  • 有货
  • ESD静电管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1988
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    • 9000+

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      ¥0.085
  • 有货
  • 74AUP1G14是一款高性能单反相器,具有施密特触发器输入,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。
    • 20+

      ¥0.2096
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      ¥0.1627
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      ¥0.1366
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    • 9000+

      ¥0.1074
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      ¥0.1001
  • 有货
  • 是基于CMOS技术的模拟开关,具有低功耗、低传输延迟和低输出阻抗的特点。模拟信号和数字信号的电压输出范围可以是VCC或GND。选择输入端具有过压保护功能,允许输入电压高于VCC,最高可达7V,且引脚不会被烧毁。
    • 10+

      ¥0.212
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      ¥0.1854
    • 300+

      ¥0.1722
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      ¥0.1542
    • 9000+

      ¥0.1503
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的低功耗高压稳压器。最大输入电压为30V,输出电压范围为1.5V-12.0V。具有高精度输出电压、极低电源电流和极低压降的特点。
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      ¥0.2192
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      ¥0.1053
  • 有货
  • 特性:结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。 VDS = 30V。 ID = 5.7A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 26.5mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 32mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 50mΩ(VGS = 2.5V)。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 20+

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  • 有货
  • SN74LVC2G07是一款高性能双路缓冲器,具有漏极开路输出,工作电源电压范围为1.65至5.5V。
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      ¥0.2379
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      ¥0.1872
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      ¥0.1277
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  • 有货
  • SN74AHCT1G08器件是一款单路2输入正与门。该器件在正逻辑中执行布尔函数Y = A • B或Y = A + B
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  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2406
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  • 有货
  • 特性:该P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。 VDS(V) = 20V。 ID =-2.4A。 RDS(ON)< 52mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON)< 100mΩ (VGS =-1.8V)。应用:电池保护。 负载开关
    数据手册
    • 20+

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    • 21000+

      ¥0.101
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-20V。 RDS(ON)<90mΩ(VGS =-4.5V)。 RDS(ON)<110mΩ(VGS =-2.7V)。 无铅。 P沟道MOSFET。 SOT-23封装。 可提供卷带包装。 快速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2563
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      ¥0.1545
    • 6000+

      ¥0.1383
    • 9000+

      ¥0.1301
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性。适用于所有电子产品。
    • 10+

      ¥0.2637
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      ¥0.1391
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2638
    • 100+

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    • 300+

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    • 6000+

      ¥0.1386
    • 9000+

      ¥0.1305
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。 适用于用作负载开关或PWM应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2645
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      ¥0.204
    • 300+

      ¥0.1738
    • 3000+

      ¥0.1507
    • 6000+

      ¥0.1326
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      ¥0.1235
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 宽栅极驱动电压范围:2.5V-12V。 适用于作为负载开关。 漏源击穿电压(V(BR)DS):60V。 连续漏极电流(ID):2.1A。 导通电阻(RDS(ON)): -VGS = 10V时,小于105mΩ。应用:沟槽场效应晶体管功率MOSFET。 便携式设备负载开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2675
    • 200+

      ¥0.2043
    • 600+

      ¥0.1692
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      ¥0.1393
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      ¥0.1211
    • 21000+

      ¥0.1112
  • 有货
  • 是超低电容瞬态电压抑制器阵列,设计用于保护便携式电子产品和智能手机等应用。该系列提供单向和双向配置,在8/20μs波形下额定功率为250W。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.269
    • 200+

      ¥0.2098
    • 600+

      ¥0.1769
    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.1264
    • 21000+

      ¥0.1171
  • 有货
  • 特性:低电容单向五重静电放电(ESD)保护二极管阵列,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护多达五条单向信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。 多达五条线路的 ESD 保护。 低二极管电容。 最大脉冲峰值功率:Pₚₚ = 25W。 低钳位电压:V₍C₁₎ = 12V。 超低泄漏电流:I₍RM₎ = 5nA。应用:计算机及外围设备。 通信系统
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2792
    • 100+

      ¥0.229
    • 300+

      ¥0.2039
    • 3000+

      ¥0.1678
    • 6000+

      ¥0.1528
    • 9000+

      ¥0.1452
  • 有货
  • SN74AUP2G04是一款高性能双反相器,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件采用先进的CMOS技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力。
    • 10+

      ¥0.2956
    • 100+

      ¥0.233
    • 300+

      ¥0.2017
    • 3000+

      ¥0.1782
    • 6000+

      ¥0.1594
    • 9000+

      ¥0.1501
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -30V。 ID = -5A(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 47mΩ(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 64mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ(VGS = -2.5V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2958
    • 100+

      ¥0.2331
    • 300+

      ¥0.2018
    • 3000+

      ¥0.1783
    • 6000+

      ¥0.1595
    • 9000+

      ¥0.1501
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=20V。 RDS(ON)<22mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<28mΩ(VGS=4.5V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2963
    • 100+

      ¥0.2335
    • 300+

      ¥0.2022
    • 3000+

      ¥0.1786
    • 6000+

      ¥0.1598
    • 9000+

      ¥0.1504
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷。 VDS = -30V。 ID(VGS = -10V) = -8A。 RDS(ON)(VGS = -10V) < 32mΩ。 RDS(ON)(VGS = -4.5V) < 55mΩ。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4261
    • 100+

      ¥0.3418
    • 300+

      ¥0.2996
    • 3000+

      ¥0.268
    • 6000+

      ¥0.2427
    • 9000+

      ¥0.2301
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 30V。分离电源范围:±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 10+

      ¥0.4537
    • 100+

      ¥0.3577
    • 300+

      ¥0.3097
    • 1000+

      ¥0.2737
    • 4000+

      ¥0.2449
    • 8000+

      ¥0.2304
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5075
    • 50+

      ¥0.446
    • 150+

      ¥0.4152
    • 500+

      ¥0.3921
    • 3000+

      ¥0.3552
    • 6000+

      ¥0.346
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5089
    • 50+

      ¥0.4033
    • 150+

      ¥0.3504
    • 500+

      ¥0.3108
    • 3000+

      ¥0.2659
    • 6000+

      ¥0.25
  • 有货
  • SN75176B / SN65176B是一款高速差分三态总线/线路收发器,旨在满足EIA标准RS485的要求,具有扩展的共模范围(+12V至 -7V),适用于多点数据传输。此外,它还与RS - 422兼容。驱动器和接收器输出具备三态功能,驱动器输出在+12V至 -7V的整个共模范围内都能保持该特性
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5148
    • 50+

      ¥0.4572
    • 150+

      ¥0.4285
    • 500+

      ¥0.4069
    • 2500+

      ¥0.3318
    • 5000+

      ¥0.3232
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。玻璃钝化结。内置应变消除。出色的钳位能力。薄型封装。低电感。快速响应时间:通常从0伏到最小击穿电压小于1.0 ps。典型反向电流在10V以上小于1A。保证高温焊接:端子250℃/10秒
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5274
    • 50+

      ¥0.4208
    • 150+

      ¥0.3675
    • 500+

      ¥0.3276
    • 1800+

      ¥0.2673
    • 5400+

      ¥0.2513
  • 有货
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