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首页 > 热门关键词 > 友台光耦
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特性:VDS(V) = 100V。 ID = 90A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ (VGS = 10V)。 出色的栅极电荷 x RDS(ON) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(ON)。 175℃工作温度。 适用于高频开关和同步整流
  • 1+

    ¥2.37
  • 10+

    ¥2.1
  • 30+

    ¥1.96
  • 100+

    ¥1.83
  • 500+

    ¥1.75
  • 1000+

    ¥1.71
  • 有货
  • UMW IR21271STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥2.88
    • 10+

      ¥2.25
    • 30+

      ¥1.98
    • 100+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥3.26
    • 10+

      ¥2.89
    • 30+

      ¥2.71
    • 100+

      ¥2.52
    • 500+

      ¥2.41
    • 1000+

      ¥2.36
  • 有货
  • LM2576系列稳压器是单片集成电路,具备降压(buck)开关稳压器所需的所有有源功能,能够驱动3A负载,并具有出色的线性和负载调节能力。这些器件提供3.3V、5V、12V、15V的固定输出电压版本,以及可调输出版本。
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.33
    • 100+

      ¥1.94
    • 500+

      ¥1.76
    • 800+

      ¥1.66
  • 有货
  • LM2674系列是一款由260kHz固定频率PWM控制的DC/DC降压型开关转换器。它主要由内部频率补偿、固定频率振荡器、内置过流保护、功率开关控制等电路组成。它能高效驱动500mA负载,具有低纹波、良好的线性度和负载调节能力
    • 1+

      ¥6
    • 10+

      ¥4.82
    • 30+

      ¥4.22
    • 100+

      ¥3.64
    • 500+

      ¥3.29
    • 1000+

      ¥3.11
  • 有货
  • 特性:极快的开关速度
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0712
    • 500+

      ¥0.0563
    • 3000+

      ¥0.0425
    • 6000+

      ¥0.0375
    • 24000+

      ¥0.0332
    • 51000+

      ¥0.0309
  • 有货
  • 特性:45W 峰值脉冲功率(脉冲时间 tp = 8 / 20μs)。 微型 X1SON-2 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容(典型值 Cj = 0.7pF)。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0948
    • 500+

      ¥0.0732
    • 1500+

      ¥0.0613
    • 10000+

      ¥0.0541
    • 20000+

      ¥0.0479
    • 50000+

      ¥0.0446
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 400W 峰值脉冲功率能力(10/1000μs 波形,重复率(占空比):0.01%,78V 以上为 300W)。 提供单向和双向型号。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 MSL 3 级,LF 最大峰值 260℃
    数据手册
    • 20+

      ¥0.149
    • 200+

      ¥0.1152
    • 600+

      ¥0.0965
    • 1800+

      ¥0.0852
    • 10800+

      ¥0.0755
    • 19800+

      ¥0.0702
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 400W 峰值脉冲功率能力(10/1000μs 波形,重复率(占空比):0.01%,78V 以上为 300W)。 提供单向和双向型号。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 MSL 3 级,LF 最大峰值 260℃
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1518
    • 200+

      ¥0.118
    • 600+

      ¥0.0992
    • 1800+

      ¥0.0854
    • 10800+

      ¥0.0757
    • 19800+

      ¥0.0704
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DS < 90V。 漏极电流ID = 4A。 导通电阻RDS(ON) < 52mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻RDS(ON) < 65mΩ(VGS = 4.5V)。 导通电阻RDS(ON) < 85mΩ(VGS = 2.5V)。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1823
    • 200+

      ¥0.1359
    • 600+

      ¥0.1101
    • 3000+

      ¥0.101
    • 9000+

      ¥0.0876
    • 21000+

      ¥0.0804
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性,适用于所有电子产品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1918
    • 100+

      ¥0.1673
    • 300+

      ¥0.155
    • 1000+

      ¥0.1364
    • 5000+

      ¥0.129
    • 10000+

      ¥0.1254
  • 有货
  • 特性:350W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触,±30kV 空气。应用:数据线。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1996
    • 200+

      ¥0.1522
    • 600+

      ¥0.1259
    • 3000+

      ¥0.0985
    • 9000+

      ¥0.0848
    • 21000+

      ¥0.0775
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.2021
    • 250+

      ¥0.1529
    • 750+

      ¥0.1237
    • 2250+

      ¥0.1073
    • 12750+

      ¥0.0931
    • 24750+

      ¥0.0854
  • 有货
  • 特性:350瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触,±30kV空气。应用:数据线。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2139
    • 200+

      ¥0.1663
    • 600+

      ¥0.1399
    • 3000+

      ¥0.1202
    • 9000+

      ¥0.1064
    • 21000+

      ¥0.099
  • 有货
  • SN74AHCT1G86 是一款单路 2 输入异或门。该器件在正逻辑下实现布尔函数 Y = A ⊕ B 或 Δ = A(非)B + A B(非)。
    • 20+

      ¥0.2201
    • 200+

      ¥0.1708
    • 600+

      ¥0.1434
    • 3000+

      ¥0.127
    • 9000+

      ¥0.1127
    • 21000+

      ¥0.105
  • 有货
  • 74AUP1G34是一款高性能单缓冲器,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件采用先进的CMOS技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力。
    • 10+

      ¥0.2386
    • 100+

      ¥0.1876
    • 300+

      ¥0.1621
    • 3000+

      ¥0.143
    • 6000+

      ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 是三端可调稳压器系列,在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中成为齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2514
    • 200+

      ¥0.1899
    • 600+

      ¥0.1557
    • 3000+

      ¥0.1338
    • 9000+

      ¥0.116
    • 21000+

      ¥0.1064
  • 有货
  • 74LVC1G19 是一款高性能同相 1 对 2 多路分配器。当选择输入 [S] 为低电平时,A 端的数据会传送到 Y0,Y1 则设置为高阻抗状态。当选择输入 [S] 为高电平时,A 端的数据会传送到 Y1,Y0 则设置为高阻抗状态
    • 10+

      ¥0.2562
    • 100+

      ¥0.2019
    • 300+

      ¥0.1748
    • 3000+

      ¥0.1545
    • 6000+

      ¥0.1382
    • 9000+

      ¥0.13
  • 有货
  • HT73XX-A系列是一款实用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、超低功耗电流的正电压型电压稳压电路。由于内置有低通态电阻晶体管,因而如数输出压差低,同时具有高输入电压承受能力,最高工作电压可达12V,适合需要较高耐压的应用电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2949
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1908
    • 1000+

      ¥0.1668
    • 5000+

      ¥0.146
    • 10000+

      ¥0.1356
  • 有货
  • 特性:宽电源范围。 单电源:2V 至 36V(非 V 器件测试至 30V,V 后缀器件测试至 32V)。 双电源:±1V 至 ±18V(非 V 器件测试至 ±15V,V 后缀器件测试至 ±16V)。 低电源电流消耗,与电源电压无关:0.8mA(典型值)。 低输入偏置电流:25nA(典型值)。 低输入失调电流:3nA(典型值)。 低输入失调电压:2mV(典型值)。 共模输入电压范围包括地。 差分输入电压范围等于最大额定电源电压:±36V。 低输出饱和电压。 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
    • 5+

      ¥0.5956
    • 50+

      ¥0.4685
    • 150+

      ¥0.4049
    • 500+

      ¥0.3572
    • 2500+

      ¥0.319
    • 4000+

      ¥0.3
  • 有货
  • SOP-8经过定制化框架修改,具有增强的热特性和多芯片能力,使其适用于各种电源应用。
    • 5+

      ¥0.6404
    • 50+

      ¥0.5611
    • 150+

      ¥0.5214
    • 500+

      ¥0.4917
    • 3000+

      ¥0.4679
    • 6000+

      ¥0.456
  • 有货
  • 双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
    • 5+

      ¥0.6942
    • 50+

      ¥0.6054
    • 150+

      ¥0.5674
    • 500+

      ¥0.5199
    • 3000+

      ¥0.4988
    • 6000+

      ¥0.4861
  • 有货
  • 特性:结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = 100V。 ID = 4.2A。 RDS(ON) < 79mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 94mΩ (VGS = 4.5V)。应用:升压转换器。 同步整流器,用于消费、电信、工业电源和LED背光
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7741
    • 50+

      ¥0.6737
    • 150+

      ¥0.6307
    • 500+

      ¥0.5771
    • 3000+

      ¥0.5344
    • 6000+

      ¥0.52
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-20V。 RDS(ON)<18mΩ(VGS =-4.5V)。 RDS(ON)<26mΩ(VGS =-2.5V)。 Trench Technology Ultra Low On- Resistance。 Low Profile (<1.1mm)。 Available in Tape & Reel。 2.5V Rated。 Lead- Free
    • 5+

      ¥0.7977
    • 50+

      ¥0.6942
    • 150+

      ¥0.6498
    • 500+

      ¥0.5945
    • 3000+

      ¥0.5698
    • 6000+

      ¥0.555
  • 有货
  • 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻。适用于PWM、负载开关和通用应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.81
    • 50+

      ¥0.6401
    • 150+

      ¥0.5552
    • 500+

      ¥0.4915
    • 2500+

      ¥0.4255
    • 5000+

      ¥0.4
  • 有货
  • TP10系列是CMOS双路和四路轨到轨输入输出(RRIO)运算放大器,具有低失调、低功耗和稳定的高频响应特性。其带宽为6MHz,压摆率为4.5V/μs,失真低,每个放大器的静态电流仅为600μA。输入共模电压范围超出V-和V+ 300mV,输出摆幅可达轨到轨
    • 5+

      ¥1.0259
    • 50+

      ¥0.8959
    • 150+

      ¥0.8402
    • 500+

      ¥0.7707
    • 2500+

      ¥0.7398
    • 5000+

      ¥0.7212
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -30V。 ID = -16A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 6.6mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 10.2mΩ (VGS = -4.5V)。 Industry-Standard SO8 Package。 RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen
    • 5+

      ¥1.1192
    • 50+

      ¥0.8709
    • 150+

      ¥0.7645
    • 500+

      ¥0.6317
    • 3000+

      ¥0.5726
    • 6000+

      ¥0.5371
  • 有货
  • 这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2136
    • 50+

      ¥0.9879
    • 150+

      ¥0.8911
    • 500+

      ¥0.7705
    • 2500+

      ¥0.6898
    • 5000+

      ¥0.6576
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 71A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 7.9mΩ(VGS = 5V)。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2617
    • 50+

      ¥1.106
    • 150+

      ¥1.0393
    • 500+

      ¥0.9116
    • 2500+

      ¥0.8746
    • 5000+

      ¥0.8524
  • 有货
  • 特性:结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = -60V。 ID = -6.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。应用:负载开关。 电池保护
    • 5+

      ¥1.3251
    • 50+

      ¥1.0352
    • 150+

      ¥0.9109
    • 500+

      ¥0.7559
    • 3000+

      ¥0.6869
    • 6000+

      ¥0.6455
  • 有货
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