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UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
数据手册
  • 5+

    ¥1.1516
  • 50+

    ¥0.8948
  • 150+

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  • 1000+

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    ¥0.53
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    • 1+

      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.38
    • 45+

      ¥2.1
    • 90+

      ¥1.75
    • 495+

      ¥1.59
    • 990+

      ¥1.5
  • 有货
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      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.38
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      ¥2.1
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      ¥1.75
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      ¥2.1
    • 495+

      ¥1.9
    • 990+

      ¥1.8
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    • 10+

      ¥2.77
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      ¥2.44
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      ¥2.1
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      ¥1.9
    • 990+

      ¥1.8
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      ¥3.25
    • 90+

      ¥2.8
    • 495+

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    • 990+

      ¥2.4
  • 有货
  • 817系列光耦合器由一个GaAs的发射管和一个NPN的晶体管组成。817的BIN脚宽是2.54mm。
    • 10+

      ¥0.2326
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    • 2000+

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      ¥0.1165
  • 有货
  • LTV-356T是一款小尺寸贴片式光电耦合器件,适用于表面贴装生产。LTV-356T是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装(DIP)更小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程逻辑控制器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3852
    • 100+

      ¥0.2979
    • 300+

      ¥0.2542
    • 3000+

      ¥0.2095
    • 6000+

      ¥0.1833
    • 9000+

      ¥0.1702
  • 有货
  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7348
    • 50+

      ¥0.6461
    • 130+

      ¥0.5552
    • 520+

      ¥0.5078
    • 2470+

      ¥0.4867
    • 6500+

      ¥0.4741
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 2+

      ¥0.7688
    • 20+

      ¥0.6762
    • 60+

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    • 200+

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    • 1000+

      ¥0.5121
    • 2000+

      ¥0.4989
  • 有货
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    • 10+

      ¥3
    • 45+

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    • 90+

      ¥2.28
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    • 990+

      ¥1.95
  • 有货
  • UMW100X 系列产品将一个铝镓砷(AlGaAs)红外发射二极管作为发射器,该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用塑料 LSOP4 封装。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW100X 系列具备最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5466
    • 50+

      ¥0.4255
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    • 500+

      ¥0.3195
    • 3000+

      ¥0.2412
    • 6000+

      ¥0.223
  • 有货
  • 4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极,该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,封装形式为塑料 DIP6 封装,引脚成型方式多样。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5993
    • 50+

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      ¥0.4708
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    • 2500+

      ¥0.4129
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      ¥0.4
  • 有货
  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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    • 2+

      ¥0.9279
    • 20+

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    • 60+

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    • 200+

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    • 1000+

      ¥0.6161
    • 2000+

      ¥0.6001
  • 有货
  • 结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极,该发射极通过光学方式与塑料DIP6封装中的单片硅随机相光电可控硅耦合,具有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构,提供最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0649
    • 50+

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  • 有货
  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.1428
    • 50+

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    • 130+

      ¥0.7858
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    • 2470+

      ¥0.5926
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      ¥0.5569
  • 有货
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    • 990+

      ¥1.8
  • 有货
  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压(交流:5kVRMS (最小值))。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4621
    • 100+

      ¥0.3567
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    • 5000+

      ¥0.2615
    • 10000+

      ¥0.2493
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7851
    • 50+

      ¥0.6891
    • 130+

      ¥0.593
    • 520+

      ¥0.5416
    • 2470+

      ¥0.5188
    • 6500+

      ¥0.505
  • 有货
  • 将AlGaAs红外发射二极管作为发射极,与单片硅随机相光电三极管光耦合,采用塑料DIP6封装,有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构,提供最稳定的隔离特性。
    • 5+

      ¥1.0528
    • 50+

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    • 150+

      ¥0.7339
    • 1000+

      ¥0.6146
    • 2000+

      ¥0.5614
    • 5000+

      ¥0.5295
  • 有货
  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.3596
    • 50+

      ¥1.0659
    • 130+

      ¥0.9401
    • 520+

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    • 2470+

      ¥0.7132
    • 6500+

      ¥0.6712
  • 有货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3596
    • 50+

      ¥1.0356
    • 130+

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    • 520+

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    • 2080+

      ¥0.6463
    • 4160+

      ¥0.6
  • 有货
  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 2+

      ¥1.7222
    • 20+

      ¥1.3656
    • 60+

      ¥1.2127
    • 200+

      ¥0.937
    • 1000+

      ¥0.8521
    • 2000+

      ¥0.8011
  • 有货
  • 817 系列光耦合器由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成。817 的 BIN 脚宽是 2.54mm。
    • 20+

      ¥0.2031
    • 200+

      ¥0.1553
    • 600+

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