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  • 光耦合隔离器,包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。
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  • 817 系列光耦合器由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成。817 的 BIN 脚宽是 2.54mm。
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  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压(交流:5kVRMS (最小值))。
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  • 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道,TLP621-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。
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  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • 817系列光耦合器由一个GaAs的发射管和一个NPN的晶体管组成。817的BIN脚宽是2.54mm。
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  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • 结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极,该发射极通过光学方式与塑料DIP6封装中的单片硅随机相光电可控硅耦合,具有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构,提供最稳定的隔离特性。
    数据手册
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  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
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    • 150+

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    • 1000+

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  • 有货
  • UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容,为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距(M型)和贴片式(SMD)可选
    数据手册
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      ¥1.4439
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      ¥1.054
    • 2500+

      ¥0.9576
    • 5000+

      ¥0.8997
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      ¥0.2104
  • 有货
  • LTV-356T是一款小尺寸贴片式光电耦合器件,适用于表面贴装生产。LTV-356T是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装(DIP)更小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程逻辑控制器
    数据手册
    • 10+

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    • 100+

      ¥0.3559
    • 300+

      ¥0.304
    • 3000+

      ¥0.2485
    • 6000+

      ¥0.2174
    • 9000+

      ¥0.2018
  • 有货
  • UMW TLP621 1、2 和 4 系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621 2 在八引脚塑料双列直插式封装(DIP)中提供两个隔离通道,而 TLP621 4 在十六引脚塑料双列直插式封装(DIP)中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7529
    • 50+

      ¥0.6042
    • 150+

      ¥0.5299
    • 500+

      ¥0.4741
    • 2000+

      ¥0.3723
    • 4000+

      ¥0.35
  • 有货
  • 4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极,该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,封装形式为塑料 DIP6 封装,引脚成型方式多样。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0338
    • 50+

      ¥0.7875
    • 130+

      ¥0.6819
    • 520+

      ¥0.5501
    • 2470+

      ¥0.4915
    • 6500+

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