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首页 > 热门关键词 > 卓睿光耦
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特性:电流传输比(CTR):在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。 高输入输出隔离电压(Viso = 3,750Vrms)。 高集电极发射极电压(VCEO = 80V)。应用:需要高密度安装的混合基板
数据手册
  • 5+

    ¥0.557
  • 50+

    ¥0.4598
  • 150+

    ¥0.4111
  • 500+

    ¥0.3747
  • 3000+

    ¥0.3455
  • 6000+

    ¥0.3309
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(更低的功耗)。 抗EMI或RFI。 无电弧、弹跳和噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥6.37
    • 10+

      ¥5.18
    • 30+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥4
    • 500+

      ¥3.51
    • 1000+

      ¥3.33
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(低功耗)。 抗电磁干扰或射频干扰。 无电弧、弹跳和噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥6.6
    • 10+

      ¥5.39
    • 30+

      ¥4.79
    • 100+

      ¥4.19
    • 500+

      ¥3.55
    • 1000+

      ¥3.36
  • 有货
  • SPST-NO 1A 60V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.46
    • 10+

      ¥8.5
    • 30+

      ¥7.43
    • 100+

      ¥6.22
    • 500+

      ¥5.68
    • 1000+

      ¥5.43
  • 有货
  • 是先进的2.5A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器,使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定(UVLO)、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈、有源米勒钳位和自动故障复位等功能,提供最大的设计灵活性和电路保护。包含AlGaAs LED,LED与带功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414VPEAK
    数据手册
    • 1+

      ¥18.45
    • 10+

      ¥15.89
    • 30+

      ¥14.29
    • 100+

      ¥11.26
    • 500+

      ¥10.52
    • 850+

      ¥10.2
  • 有货
  • 接收端电压:80V CTR:200%~400%
    • 10+

      ¥0.373
    • 100+

      ¥0.302
    • 300+

      ¥0.2665
    • 3000+

      ¥0.199
    • 6000+

      ¥0.1777
    • 12000+

      ¥0.167
  • 有货
  • AT3H4是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装 ( SSOP4)。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。
    • 10+

      ¥0.481528 ¥0.5234
    • 100+

      ¥0.393208 ¥0.4274
    • 300+

      ¥0.349048 ¥0.3794
    • 1000+

      ¥0.315928 ¥0.3434
    • 5000+

      ¥0.248952 ¥0.2706
    • 10000+

      ¥0.235612 ¥0.2561
  • 有货
  • LTV 357T B 贴片光耦 SOP-4
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4878
    • 50+

      ¥0.4034
    • 150+

      ¥0.3612
    • 500+

      ¥0.3295
    • 3000+

      ¥0.2937
    • 6000+

      ¥0.281
  • 有货
  • PC817X是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器产品,输入-输出隔离电压为5000Vrms,响应时间tr典型值为4μs。当输入电流为2mA时,最小CTR为80%。SMD-4封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5042
    • 100+

      ¥0.4134
    • 300+

      ¥0.368
    • 2000+

      ¥0.2917
    • 4000+

      ¥0.2645
    • 10000+

      ¥0.2509
  • 有货
  • 包含两个红外发射二极管,反向并联连接,与封装有绿色化合物的光电晶体管进行光耦合。采用4引脚小外形贴片封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5676
    • 50+

      ¥0.4542
    • 150+

      ¥0.3959
    • 500+

      ¥0.3479
    • 2500+

      ¥0.3311
    • 6000+

      ¥0.3198
  • 有货
  • TLP290(SE) 由光电晶体管组成,该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合,并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55 至 110°C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合集成电路
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1226
    • 50+

      ¥0.862
    • 150+

      ¥0.7348
    • 500+

      ¥0.6214
    • 2500+

      ¥0.5902
    • 5000+

      ¥0.5715
  • 有货
  • 由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装,输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.91
    • 100+

      ¥2.55
    • 500+

      ¥1.99
    • 1000+

      ¥1.87
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.1
    • 10+

      ¥4.15
    • 30+

      ¥3.67
    • 100+

      ¥3.2
    • 500+

      ¥2.88
    • 1500+

      ¥2.73
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高速度和高频开关。 更高灵敏度(低功耗)。 抗电磁干扰或射频干扰。 无电弧、无弹跳和无噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥6.42
    • 10+

      ¥5.3
    • 30+

      ¥4.74
    • 100+

      ¥4.18
    • 500+

      ¥3.33
    • 1000+

      ¥3.16
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装,具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对,有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.64
    • 10+

      ¥6.34
    • 30+

      ¥5.63
    • 100+

      ¥4.83
    • 500+

      ¥4.11
    • 1000+

      ¥3.95
  • 有货
  • 输入电压类型: DC 输出类型: 光电三极管 正向电压: 1.2V 输出电流: 50mA
    • 10+

      ¥0.196587 ¥0.2427
    • 100+

      ¥0.153819 ¥0.1899
    • 300+

      ¥0.132435 ¥0.1635
    • 2000+

      ¥0.123525 ¥0.1525
    • 4000+

      ¥0.110727 ¥0.1367
    • 10000+

      ¥0.104247 ¥0.1287
  • 有货
  • AT1019是一款由一个GaAs发光二极管和一个NPN光电晶体管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。
    • 10+

      ¥0.369104 ¥0.4012
    • 100+

      ¥0.294032 ¥0.3196
    • 300+

      ¥0.256588 ¥0.2789
    • 3000+

      ¥0.22218 ¥0.2415
    • 6000+

      ¥0.19964 ¥0.217
    • 9000+

      ¥0.188416 ¥0.2048
  • 有货
  • 包含一个红外发光二极管,与光电晶体管探测器光耦合。器件采用4引脚小外形贴片封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4248
    • 100+

      ¥0.3376
    • 300+

      ¥0.294
    • 1000+

      ¥0.2614
    • 3500+

      ¥0.2352
    • 10500+

      ¥0.2221
  • 有货
  • 特性:电流传输比 (CTR):最小值为 50%(I = 5mA,VCE = 5V)。 高输入-输出隔离电压 (Viso = 3,750Vrms)。 采用双传输模塑技术。应用:要求高密度安装的混合基板
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6254
    • 50+

      ¥0.5053
    • 150+

      ¥0.4452
    • 500+

      ¥0.4002
    • 3000+

      ¥0.3642
    • 6000+

      ¥0.3462
  • 有货
  • 过零触发光耦
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1142
    • 50+

      ¥0.9359
    • 150+

      ¥0.8595
    • 1000+

      ¥0.7831
    • 2000+

      ¥0.7321
    • 5000+

      ¥0.7015
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9623
    • 50+

      ¥1.5271
    • 150+

      ¥1.3406
    • 1000+

      ¥1.0451
    • 2000+

      ¥0.9414
    • 5000+

      ¥0.8793
  • 有货
  • 特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso: 5,000Vrms。 6引脚DIP过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压VDRM: 最小800V。应用:AC电机驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9884
    • 50+

      ¥1.6085
    • 150+

      ¥1.4457
    • 1000+

      ¥1.1803
    • 2000+

      ¥1.0898
    • 5000+

      ¥1.0355
  • 有货
  • 由GaAs红外发光二极管和高速集成电路探测器光耦合组成。输出探测器集成施密特触发器,提供迟滞以实现抗噪和脉冲整形。采用6引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD可选。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0757
    • 50+

      ¥1.6467
    • 150+

      ¥1.4628
    • 1000+

      ¥1.2496
    • 2000+

      ¥1.1474
    • 5000+

      ¥1.0861
  • 有货
  • 由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成,采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度,适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.54
    • 30+

      ¥2.23
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.68
    • 1000+

      ¥1.57
  • 有货
  • 高CMR,高速光电耦合器
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥3.17
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.81
    • 500+

      ¥2.3
    • 1000+

      ¥2.24
  • 有货
  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.72
    • 10+

      ¥3.99
    • 50+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.84
    • 500+

      ¥2.63
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • AT172 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于:通讯产品(移动电话、电脑、笔记本电脑)、测量设备、工厂自动化设备、高速检验机器等。
    • 1+

      ¥4.826 ¥5.08
    • 10+

      ¥3.9235 ¥4.13
    • 30+

      ¥3.477 ¥3.66
    • 100+

      ¥3.0305 ¥3.19
    • 500+

      ¥2.8025 ¥2.95
    • 1000+

      ¥2.66 ¥2.8
  • 有货
  • 东芝TLP172AM由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合组成,采用4引脚SO6封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高;因此,它适用于大电流的通断控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.89
    • 10+

      ¥3.92
    • 30+

      ¥3.43
    • 100+

      ¥2.95
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.39
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(低功耗)。 抗 EMI 或 RF。 无电弧、弹跳和噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥6.3
    • 10+

      ¥5.14
    • 30+

      ¥4.55
    • 100+

      ¥3.98
    • 500+

      ¥3.49
    • 1000+

      ¥3.32
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(更低的功耗)。 抗 EMI 或 RF。 无电弧、弹跳和噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥7.49
    • 10+

      ¥6.3
    • 30+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥4.9
    • 500+

      ¥4.08
    • 1000+

      ¥3.93
  • 有货
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