卓睿光耦_厂家_价格_品牌_库存

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。高输入输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。高集电极发射极电压（VCEO = 80V）。应用：需要高密度安装的混合基板

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5+
￥0.5888
50+
￥0.471
150+
￥0.4121
500+
￥0.368
3000+
￥0.3326
6000+
￥0.315

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型号：ELM3052 编号：C41371272

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

ELM3052是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

5+
￥1.08891 ￥1.2099
50+
￥0.95094 ￥1.0566
150+
￥0.89181 ￥0.9909
500+
￥0.81801 ￥0.9089
3000+
￥0.78516 ￥0.8724
6000+
￥0.76545 ￥0.8505

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型号：MOC3023SM(UMW) 编号：C3014300

封装：SOP-6-6.5mm

由砷化镓红外发光二极管和单晶硅芯片随机相光电双向晶闸管组成的光耦合器。

数据手册

5+
￥1.1646
50+
￥0.9061
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￥0.7954
1000+
￥0.6206
2000+
￥0.5591
5000+
￥0.5222

有货

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型号：TLP785(BLL-TP6,F 编号：C2848506

封装：SOP-4-2.54mm

5+
￥1.1966
50+
￥0.9346
150+
￥0.8224
500+
￥0.6823
2000+
￥0.5675
4000+
￥0.53

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型号：EL827 编号：C83328

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

5+
￥1.2676
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￥0.9555
135+
￥0.841
495+
￥0.6982
2250+
￥0.6346
4500+
￥0.5964

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型号：4N35S-TA1 编号：C115444

封装：SMD-6P

特性：高电流传输比：CTR最小100%（IF = 10mA，VCE = 10V）。响应时间：ton典型值为3μs（VCC = 10V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。输入-输出隔离电压：4N35系列Viso = 3,550Vrms；4N37系列Viso = 1,500Vrms。双列直插式封装。宽引脚间距封装。表面贴装封装。卷带包装。安全认证：UL&cUL、VDE、FIMKO、CQC认证。符合RoHS标准

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5+
￥1.2828
50+
￥1.0266
150+
￥0.9168
1000+
￥0.7009
2000+
￥0.6399
5000+
￥0.6033

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型号：4N25 编号：C115480

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

EL4N25

数据手册

5+
￥1.3823
50+
￥1.1192
130+
￥0.8989
520+
￥0.7582
3250+
￥0.6955
4875+
￥0.658

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型号：MOC3062M(UMW) 编号：C2842966

封装：DIP-6

UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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5+
￥1.443
50+
￥1.1463
130+
￥0.9717
520+
￥0.8131
2470+
￥0.7424
6500+
￥0.7

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型号：MOC3061M(UMW) 编号：C2842965

封装：DIP-6

UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.4775
50+
￥1.1169
130+
￥0.9623
520+
￥0.7695
2080+
￥0.6836
4160+
￥0.6321

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型号：PS2801C-1-F3 编号：C133872

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些产品为光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中集成了一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用，具备出色的性价比。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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5+
￥1.6196
50+
￥1.288
150+
￥1.1459
500+
￥0.9686
3500+
￥0.8896
7000+
￥0.8422

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型号：VOL618A-3X001T 编号：C2838506

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

VOL618A采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚宽体小外形封装（LSOP）。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。

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单价：
￥1.85 / 个

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型号：TCLT1003 编号：C118296

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

SOP-4L，宽体7.62mm间距的光耦

数据手册

1+
￥2.95
10+
￥2.45
30+
￥2.23
100+
￥1.96
500+
￥1.29
1000+
￥1.21

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型号：HT6-216-S1TA1 编号：C34376241

封装：SMD-6P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：40mA，耐压：600V,RON:35欧姆，隔离电压：5KV.

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￥3.1635 ￥3.33
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￥2.489 ￥2.62
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￥2.204 ￥2.32
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￥1.843 ￥1.94
500+
￥1.6435 ￥1.73
1000+
￥1.5485 ￥1.63

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

1+
￥3.17
10+
￥2.83
30+
￥2.66
100+
￥2.49
500+
￥2.05
1500+
￥2

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型号：4N33M 编号：C4068

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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1+
￥3.29
10+
￥2.64
50+
￥2.22
100+
￥1.86
500+
￥1.71
1000+
￥1.61

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型号：SFH690BT 编号：C335248

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

该系列有GaAs红外发射二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用4引脚100密耳引脚间距的迷你扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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1+
￥3.35
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￥2.69
30+
￥2.41
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￥2.06
500+
￥1.9
1000+
￥1.61

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型号：MOCD217R2M 编号：C14315

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥3.37
10+
￥2.64
30+
￥2.33
100+
￥1.94
500+
￥1.65
1000+
￥1.54

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型号：LTV-5480-TP1 编号：C2944037

封装：SOP-5-300mil

1+
￥3.53
10+
￥2.85
30+
￥2.51
100+
￥2.17
500+
￥1.79
1000+
￥1.69

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型号：FOD3182(UMW) 编号：C53109748

封装：DIP-8

1+
￥3.84
10+
￥3.09
45+
￥2.72
90+
￥2.34
495+
￥2.12
990+
￥2

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型号：HCPL-3140-000E(UMW) 编号：C53109730

封装：DIP-8

1+
￥3.84
10+
￥3.09
45+
￥2.72
90+
￥2.34
495+
￥2.12
990+
￥2

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型号：TLP250F(UMW) 编号：C53109740

封装：DIP-8

1+
￥3.84
10+
￥3.09
45+
￥2.72
90+
￥2.34
495+
￥2.12
990+
￥2

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型号：LTV-5341-TP1 编号：C2944035

封装：SOP-5-300mil

LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证

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1+
￥4.33
10+
￥3.52
30+
￥3.18
100+
￥2.75
500+
￥2.29
1000+
￥2.17

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型号：AT213-CuH-S 编号：C42371492

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT213 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

1+
￥4.6644 ￥5.07
10+
￥3.7904 ￥4.12
30+
￥3.3488 ￥3.64
100+
￥2.9164 ￥3.17
500+
￥2.6588 ￥2.89
1000+
￥2.5208 ￥2.74

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型号：TLP2345(V4-TPL,E 编号：C38084587

封装：SO-6

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流和 1.6mA 低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微电脑直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±30kV/μs，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

1+
￥4.94
10+
￥3.95
30+
￥3.45
100+
￥2.96
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C393893

封装：SOP-6

由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度，SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.2
30+
￥3.64
100+
￥3.09
500+
￥2.57
1500+
￥2.4

有货

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型号：TLP126(TPL,F) 编号：C23649

封装：SOP-4-2.54mm