卓睿光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：PC817A 编号：C42371498

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

PC817A是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装（DIP4）。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

20+
￥0.191452 ￥0.2081
200+
￥0.149224 ￥0.1622
600+
￥0.124384 ￥0.1352
2000+
￥0.110308 ￥0.1199
10000+
￥0.098072 ￥0.1066
20000+
￥0.09154 ￥0.0995

有货

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型号：HT-3H7-CTP1 编号：C34376201

封装：SSOP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

晶体管光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：3.75KV.

10+
￥0.26496 ￥0.2944
100+
￥0.23436 ￥0.2604
300+
￥0.21906 ￥0.2434
3000+
￥0.20304 ￥0.2256
6000+
￥0.19386 ￥0.2154
9000+
￥0.18927 ￥0.2103

有货

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型号：PC817B 编号：C2936042

封装：SMD-4P

品牌：Slkor(萨科微)

PC817X是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器产品，输入-输出隔电压为5000Vrms，响应时间tr典型值为4μs。当输入电流为2mA时，最小CTR为80%。SMD-4封装。

数据手册

10+
￥0.42674 ￥0.4492
100+
￥0.34466 ￥0.3628
300+
￥0.30362 ￥0.3196
2000+
￥0.246715 ￥0.2597
4000+
￥0.22211 ￥0.2338
10000+
￥0.20976 ￥0.2208

有货

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型号：LTV-1009-TP1-G 编号：C343877

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

CTR:200-400

数据手册

5+
￥0.4902
50+
￥0.407
150+
￥0.3653
500+
￥0.3341
3000+
￥0.2735
6000+
￥0.261

有货

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型号：LTV-354T-A(UMW) 编号：C20417176

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

该系列交流输入光耦合器由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发射二极管组成，采用4引脚迷你扁平封装。

5+
￥0.5468
50+
￥0.4203
150+
￥0.357
500+
￥0.3096
3000+
￥0.2716
6000+
￥0.2526

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型号：LTV-356T-D 编号：C94651

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。高输入输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。高集电极发射极电压（VCEO = 80V）。应用：需要高密度安装的混合基板

数据手册

5+
￥0.5831
50+
￥0.469
150+
￥0.412
500+
￥0.3692
3000+
￥0.2761
6000+
￥0.2589

有货

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型号：LTV-3063 编号：C571216

封装：SOP-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：3750Vrms。 4 引脚 MFP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM：最小值 600V。应用：电机控制

数据手册

5+
￥1.9822
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￥1.5783
150+
￥1.4052
500+
￥1.1893
3000+
￥1.0531
6000+
￥0.9954

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型号：TCLT1008 编号：C118297

封装：SOP-4-300mil

品牌：VISHAY(威世)

TCLT100系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。

数据手册

5+
￥2.2169
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￥1.7185
150+
￥1.5049
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￥1.213632 ￥1.2384
3000+
￥1.097404 ￥1.1198
6000+
￥1.02753 ￥1.0485

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型号：OR-406AS-TP 编号：C3031116

封装：SMD-4P

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 406A、OR - 425A、OR - 440A 和 OR - 460A 是固态继电器，其发光侧（输入侧）包含铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管，并通过光耦合连接至高压输出检测电路。该检测电路由输出侧的光伏二极管阵列和 MOSFET 组成。单通道配置等同于 1 型 AEMR

1+
￥2.96
10+
￥2.3
30+
￥2.02
100+
￥1.67
500+
￥1.62
1000+
￥1.53

有货

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

1+
￥3.17
10+
￥2.83
30+
￥2.66
100+
￥2.49
500+
￥2.05
1500+
￥2

有货

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型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

数据手册

1+
￥3.33
10+
￥2.68
30+
￥2.41
100+
￥2.06
500+
￥1.45
1000+
￥1.36

有货

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥3.02
30+
￥2.81
100+
￥2.61
500+
￥2.48
1000+
￥2.42

有货

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型号：MOC3052SR2M 编号：C19864

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.58
30+
￥3.24
100+
￥2.9
500+
￥1.88
1000+
￥1.78

有货

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型号：PS2801C-4-F3-A 编号：C74385

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些产品为光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中集成了一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用，具备出色的性价比。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

数据手册

1+
￥4.98
10+
￥4.1
30+
￥3.66
100+
￥3.23
500+
￥2.85
1000+
￥2.72

有货

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型号：ACPL-T350-500E 编号：C37389

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED通过光学方式耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

数据手册

1+
￥5.69
10+
￥4.53
30+
￥3.95
100+
￥3.38
500+
￥3.03
1000+
￥2.85

有货

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型号：TLP627(TP1,F) 编号：C30336

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻，用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道，而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥6.49
10+
￥5.41
30+
￥4.82
100+
￥4.15
500+
￥3.39
1500+
￥3.25

有货

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型号：GAQW214E 编号：C7435148

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥6.58
10+
￥5.36
50+
￥4.6
100+
￥3.99
500+
￥3.63
1000+
￥3.44

有货

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥6.87
10+
￥5.58
30+
￥4.94
100+
￥4.29
500+
￥3.37
1500+
￥3.18

有货

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型号：ACPL-024L-500E 编号：C691920

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M21L（单通道SO-5封装）、ACPL-021L（单通道SO-8封装）、ACPL-024L（双通道SO-8封装）、ACPL-W21L（单通道拉伸SO-6封装）和ACPL-K24L（双通道拉伸SO-8封装）是光耦合逻辑门。探测器IC具有CMOS输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。 ACPL-M21L/021L/024L/W21L/K24L上的内部屏蔽保证了在1000V共模电压下25 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥9.85
10+
￥8.25
30+
￥7.26
100+
￥6.1054 ￥6.23
500+
￥5.6546 ￥5.77
1500+
￥5.4586 ￥5.57

有货

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型号：TLP172A(TP,F) 编号：C99477

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。

数据手册

1+
￥11.52
10+
￥9.28
30+
￥7.87
100+
￥6.44
500+
￥5.79
1000+
￥5.5

有货

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型号：GAQV215G1EH 编号：C19188587

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电压电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥11.57
10+
￥9.76
30+
￥8.63
100+
￥7.29
500+
￥6.77
1000+
￥6.54

有货

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型号：HCPL-0710-500E 编号：C188706

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

数据手册

1+
￥14.23
10+
￥12.2
30+
￥10.93
100+
￥9.62
500+
￥9.03
1500+
￥8.78

有货

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型号：TLP521-4(GB,F) 编号：C2848504

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521-2 在八引脚塑料 DIP 封装中提供两个隔离通道，而 TLP521-4 在十六引脚塑料 DIP 封装中提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥15.88
10+
￥13.53
25+
￥10.97
100+
￥9.46
500+
￥8.78
1000+
￥8.49

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型号：AQY221N5VY 编号：C2982229

封装：SSOP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：微型SSOP封装（与SOP 4引脚型号相比，体积比可降低约53%）。负载电压：20 V。低C×R（C×R3）。输出电容：典型值1.1 pF。导通电阻：典型值2.8Ω。应用：测量和测试设备（IC测试仪、探针卡、电路板测试仪等测试设备）。电信设备

数据手册

1+
￥21.06
10+
￥18.86
30+
￥17.56
100+
￥14.79
500+
￥14.05
1000+
￥13.73

有货

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型号：QCPL-A58JV-500E 编号：C3010671

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款用于汽车应用的高压光电MOSFET，由AIGaAs红外发光二极管（LED）输入级与高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。光电MOSFET在通过输入LED的最小输入电流为7 mA时开启（触点闭合），在输入电压为0.4V或更低时关闭（触点断开）。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，适用于汽车和高温工业应用。采用16引脚SOIC封装。

数据手册