瑞萨光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ISL83078EIBZA 编号：C152659

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些设备是BiCMOS 3.3V供电的单收发器，符合RS-485和RS-422标准。它们具有非常低的总线电流（+125mA/-100mA），因此对RS-485总线呈现真正的“1/8单位负载”。

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型号：ISL80112IRAJZ 编号：C7290673

封装：DFN-10(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

超低压差LDO在尺寸受限的设计中，为数据通信、计算、存储和医疗应用提供了性能、尺寸和功耗之间的最佳平衡。这些LDO的输出电流为1A、2A和3A，针对低电压转换进行了优化。输入电压范围为0.7V至3.6V，偏置电压为2.9V至5.5V，输出电压可在0.5V至3.3V之间调节。在100kHz时，输入电压纹波抑制比大于40dB，使这些LDO成为对噪声敏感的应用的理想选择

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型号：R5F51136ADFM#3A 编号：C1340212

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：32 位 RX CPU 核心，32 MHz 最大工作频率。工作在 12 MHz 时可达 50 DMIPS。累加器可处理 32 位×32 位操作的 64 位结果（单指令）。乘法和除法单元处理 32 位×32 位操作（乘法指令需一个 CPU 时钟周期）。快速中断。具有五级流水线的 CISC 哈佛架构。可变长度指令格式，超紧凑代码。片上调试电路

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型号：ISL6539IAZ 编号：C1519474

封装：SSOP-28-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6539双PWM控制器通过两个电压调节同步降压DC/DC转换器提供高效率和紧密的电压调节。它特别为DDR DRAM、SDRAM、图形芯片组应用以及高性能应用中的系统调节器设计。电压前馈斜坡调制、电流模式控制和内部反馈补偿提供了对输入电压和输出负载瞬变的快速响应。通过0°、90°或180°（由输入电压和DDR引脚状态决定）的通道间PWM相移，最小化了输入电流纹波。ISL6539可以控制两个独立可调的输出电压，范围从0.9V到5.5V；或者，通过激活DDR引脚，转变为完整的DDR内存电源解决方案。在DDR模式下，CH2输出电压VTT跟踪CH1输出电压VDDQ。CH2输出既能提供也能吸收电流，这是DDR内存供电的一个关键特性。同时也会生成DDR内存所需的参考电压VREF。在双电源应用中，ISL6539监控CH1和CH2的输出电压。软启动序列完成后，如果输出电压在PGOOD窗口内，则每个通道都会发出独立的PGOOD（电源良好）信号。在DDR模式下，仅CH1生成PGOOD信号。内置的过电压保护功能通过保持低端MOSFET导通和高端MOSFET关闭来防止输出超过设定值的115%。当输出电压降至过电压阈值以下时，自动恢复正常操作。一旦软启动序列完成，如果输出低于其设定值的75%，则欠电压保护会锁定故障通道。可调的过电流保护（OCP）监测低端MOSFET的rDS(ON)上的电压降。如果需要更精确的电流检测，可以使用外部电流检测电阻。

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型号：ISL60002DIH310Z-T7A 编号：C1575564

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压基准采用专有浮栅模拟 (FGA) 技术制造，具有超低 350nA 工作电流下的低电源电压操作特性。此外，该系列产品确保初始精度低至 ±1.0mV，温度系数为 20ppm/°C。ISL60002 系列的初始精度和温度稳定性，加上低电源电压和 350nA 功耗，无需为降低功耗而牺牲热稳定性，使其成为高分辨率、低功耗数据转换系统的理想选择。

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型号：9FGV0241AKILFT 编号：C2651401

封装：QFN-24(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

9FGV0241是一款双输出的极低功耗频率发生器，适用于PCIe Gen 1、2、3和4应用，集成输出端接，提供Z₀ = 100Ω的阻抗。该器件有两个输出使能端用于时钟管理，除关闭扩频外，还支持两种不同的扩频级别。

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型号：R7FA2L1A92DNE#AA0 编号：C3226862

封装：HWQFN-48(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MCU集成了多个基于 Arm 的 32 位内核系列，软件和引脚兼容，共享一组瑞萨外设，以促进设计的可扩展性。该系列的 MCU 采用了节能的 Arm Cortex-M23 32 位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用。

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型号：ZSC31010CEG1-T 编号：C1547029

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ZSC31010 是一个传感器信号调节器集成电路，能够通过 EEPROM 精确校准电阻桥式传感器。支持多种输出模式，包括模拟和数字输出。

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型号：NP100P04PDG-E1-AY 编号：C3281533

封装：TO-263

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。

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型号：R5F21276SNFP#V2 编号：C7495009

封装：LQFP-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

应用：标准级应用：计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备、工业机器人。高质量级应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备、非专门用于生命支持的医疗设备

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型号：NP50P04KDG-E1-AY 编号：C3291063

封装：TO-263

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R7FS124773A01CFM#AA1 编号：C3230604

封装：LFQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

超低功耗32MHz Arm CorteX-M0+ 微控制器，128KB代码闪存，16KB SRAM，电容触摸感应单元，14位A/D转换器，12位D/A转换器，安全和保护功能。该微控制器集成了多个系列的软件和引脚兼容的基于Arm的32位MCU，共享一套通用的瑞萨外设，以促进设计可扩展性和高效平台化产品开发。基于节能型Arm CorteX-M0+内核，该MCU特别适用于成本敏感和低功耗应用，具有以下特点：128KB代码闪存，16KB SRAM，电容触摸感应单元（CTSU），14位A/D转换器（ADC14），12位D/A转换器（DAC12）以及安全功能。

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型号：RJK0328DPB-01#J0 编号：C3288604

封装：SC-100(SOT-669)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：ISL85415FRZ 编号：C1356152

封装：DFN-12-EP(3x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL85415是一款500mA同步降压稳压器，输入范围为3V至36V。该器件为各种应用提供了一种易于使用、高效率、低物料清单（BOM）数量的解决方案。ISL85415集成了高端和低端NMOS FET，并具备PFM模式，可提高轻载时的效率

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型号：R5F524TAADFP#11 编号：C1018447

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

80MHz 32位RX MCU，内置FPU，153.6 DMIPS，电源5V，12位ADC（配备3通道同步采样保持电路、双数据寄存器、运算放大器、比较器）3个单元，最多可同时采样5个ADC通道，CAN，80MHz PWM（三相互补输出x2通道+单相互补输出x4通道或三相互补x3通道+单相互补x1通道）。

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型号：RAA214020GNP#HD0 编号：C7037811

封装：DFN-10(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

超低噪声、高PSRR低压差稳压器。LDO的输入电压范围为2.7V至5.5V，最大可提供2A负载。输出可通过外部反馈电阻在0.9V至5.5V-VDROPOUT之间进行调节。具有典型值为6.3μV_RMS的低输出噪声和高PSRR，适用于低噪声应用中的后置稳压。工作静态电流典型值为195μA，在关机时室温下典型值降至几纳安，适用于便携式应用。LDO具有±1.5%的输出电压精度（在电压、负载和温度范围内）、带迟滞的输入欠压锁定、使能控制、内部电流限制、带迟滞的热关断保护、电源良好指示和快速启动功能。LDO使用最小22μF陶瓷输出电容时稳定，采用10引脚3mmx3mm DFN封装，适用于紧凑型系统板。

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型号：ISL98602IRAAZ 编号：C1530656

封装：VQFN-40-EP(6x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL98602是一款高功率集成LCD电源IC，专为大尺寸面板LCD显示器设计。它集成了用于生成AVDD的高功率升压转换器、VON和VOFF电荷泵驱动器、一个同步降压调节器以及一个用于两个逻辑电压的同步降压控制器。还包括VON切片电路和电源良好功能。该升压转换器工作在1.3MHz频率下，具有5.5A的升压FET。反馈取自延迟FET的远端以改善调节效果。OVP电路保护输出侧组件。逻辑同步降压转换器具有两个2.3A FET，在1.3MHz内部时钟下工作。输出电压可以通过IC内部设置或通过反馈电阻设置。软启动电路也与降压转换器集成在一起。第二个逻辑电压由带有MOSFET控制器的同步降压转换器生成。过流保护也与降压转换器集成在一起。VON和VOFF的电荷泵使用全开关频率，并集成了驱动器以提供高电流能力。VON还通过集成的VON切片电路进一步处理，以减少闪烁。ISL98602提供了升压、Buck1、Buck2、VON电荷泵和VOFF电荷泵的替代固定电压。

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型号：ZSSC3240CI3W 编号：C1870393

封装：QFN-24(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

传感器信号调理IC，用于高精度放大、数字化和电阻式传感器信号的特定校正。适用于桥式和半桥式传感器，以及由片上电流源供电的外部电压源元件和单元件传感器（如Pt100和外部温度传感器二极管）。通过一个26位数学核心运行校正算法，利用存储在非易失性、可重编程存储器中的校准系数，实现传感器偏移、灵敏度、温度漂移和非线性的数字补偿。可编程的集成传感器前端允许为广泛的应用优化应用各种传感器

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型号：XLH536100.000000I 编号：C1987286

封装：SMD5032-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：NP50P06SDG-E1-AY 编号：C3290852

封装：TO-252(MP-3ZK)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。

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型号：ISL22326WFV14Z-TK 编号：C5772562

封装：TSSOP-14

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R2A20178NP#W0 编号：C355390

封装：HWQFN-24(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

R2A20178是具有乘法功能和输出缓冲放大器的CMOS 8位8通道D/A转换器。它有一个串行数据输入，并可以通过简单的三线方法（DI，CLK，LD）与微控制器轻松通信，适用于自动调整应用中与MCU结合使用。参考电压端子（VDAref1，VDAref2）是4ch x 2配置，可以进行四象限操作。

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型号：EL1881CSZ 编号：C1523150

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

EL1881视频同步分离器采用Elantec的高性能模拟CMOS工艺制造。该器件可从标准和非标准视频输入中提取同步时序信息。它可提供复合同步、垂直同步、色同步/后肩时序以及奇偶场检测功能

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￥22.0633 ￥51.31
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￥13.9887 ￥42.39

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型号：R7FA6T1AB3CFP#AA0 编号：C3208098

封装：LFQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

领先性能的 120-MHz Arm Cortex -M4 核心，最高 512-KB 代码闪存，64-KB SRAM，安全和防护功能，以及先进的模拟功能。该 MCU 集成了多种软件和引脚兼容的基于 Arm 的 32 位核心，它们共享一组通用的瑞萨外设，以促进设计可扩展性和高效的基于平台的产开发。该系列 MCU 包含一个高性能 Arm Cortex -M4 核心，运行频率高达 120 MHz，具有以下特性：- 最高 512-KB 代码闪存- 64-KB SRAM- 安全和防护功能- 12 位 A/D 转换器 (ADC12)- 12 位 D/A 转换器 (DAC12)- 模拟外设。

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型号：ISL22346UFV20Z 编号：C1539791

封装：TSSOP-20

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

集成四个数字控制电位器和非易失性存储器的单片CMOS集成电路

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型号：EL7232CSZ-T7 编号：C2671328

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

适用于ATE和微处理器应用。低静态功耗使其适合电池供电应用。峰值驱动能力为2A，适合驱动高速电容线。

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￥25.42 ￥31
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￥18.4248 ￥25.59

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型号：ISL84052IAZ 编号：C6968692

封装：QSOP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是精密、双向模拟开关，配置为8通道多路复用器/解复用器、双差分4通道多路复用器/解复用器和三单刀双掷 (SPDT) 开关，设计用于单+2V至+12V电源或±2V至±6V电源供电。所有器件都有一个禁止引脚，可同时断开所有信号路径。导通电阻在±5V电源下为60Ω，在单+5V电源下为125Ω。每个开关都可以处理轨到轨模拟信号。在±5V电源、+85℃时，关断泄漏电流仅为5nA。所有数字输入的逻辑阈值为0.8V至2.4V，使用单+3.3V和+5V电源或双±5V电源时，可确保与TTL/CMOS逻辑兼容。

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型号：ICL7665SAIBAZA-T 编号：C2070533

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ICL7665S超级CMOS微功耗过压/欠压检测器在单个CMOS芯片上集成了两个低功耗、可单独编程的电压检测器。该器件正常工作电流通常为3μA，适用于需要高/低电压警告、可设置触发点或故障监测与校正的电池供电系统和仪器。两个电压检测器的触发点和迟滞可通过外部电阻单独编程。内部带隙基准源可在1.6V至16V的任何电源电压下提供精确的阈值电压。 ICL7665S超级可编程过压/欠压检测器可直接替代行业标准产品。ICL7665B具有更宽的工作电压和温度范围、更高的阈值精度（ICL7665SA）、更低的温度系数以及有保证的最大电源电流。所有改进之处在电气特性部分均有突出显示。所有关键参数在整个商用和工业温度范围内都有保证。

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