瑞萨光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ISL28022FUZ 编号：C1529908

封装：MSOP-10

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL28022是一款带串行接口的双向高端和低端数字式电流检测与电压监测器。该器件可监测电流和电压，并以数字形式输出结果以及计算得出的功率。在整个输入范围内，ISL28022的电压和电流监测精度均优于0.3%

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型号：R7FA4M2AD3CFP#AA0 编号：C2760247

封装：QFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

领先的100 MHz Arm CorteX-M33内核，最高512 KB代码闪存支持后台操作，8 KB数据闪存，以及带有奇偶校验/ECC的128 KB SRAM。高集成度，包括USB 2.0全速、SDHI、Quad SPI和高级模拟。集成安全加密引擎，具有加密加速器、密钥管理支持、防篡改检测和抗电源分析功能，并与ARM TrustZone结合提供集成的安全元件功能。

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型号：R7FA4M2AB3CNE#AA0 编号：C3226797

封装：HWQFN-48(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

领先性能的100 MHz Arm Cortex-M33 核心，最高 512 KB 代码闪存存储器支持后台运行，8 KB 数据闪存存储器，以及 128 KB SRAM 支持奇偶校验/ECC。高度集成的 USB 2.0 全速、SDHI、Quad SPI 和高级模拟功能。集成的安全加密引擎，具有加密加速器、密钥管理支持、防篡改检测和抗功率分析功能，与 Arm TrustZone 协同工作，实现集成的安全元件功能。

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型号：X95820WV14IZ-2.7 编号：C1520958

封装：TSSOP-14

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

集成两个数字控制电位器 (XDCP) 的单片 CMOS 集成电路。每个电位器有 256 个电阻抽头，分辨率为 0.4%。通过 I2C 接口控制滑动端的位置。

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：DA14531MOD-00F0100C 编号：C19141372

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：RAA215300A2GNP#HA0 编号：C27485672

封装：QFN-56

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高性能、低成本的9通道PMIC，适用于32位和64位MCU和MPU应用。支持DDR3、DDR3L、DDR4和LPDDR4内存的电源要求。内部补偿稳压器、内置实时时钟（RTC）、32kHz晶体振荡器和纽扣电池充电器，提供高度集成、小尺寸的电源解决方案，适用于系统级模块（SOM）应用。扩频功能为对噪声敏感的音频或RF应用提供了易用的解决方案

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型号：XUL516200.000000I 编号：C17232748

封装：SMD5032-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

低相位噪声的基于石英的PLL振荡器，支持大范围的频率和输出接口类型。这些设备设计为在三种不同的电源下工作，有多种封装尺寸和温度等级可供选择。拥有专利的一次性编程（OTP）功能，允许无限的内存保存期限，可被编程为生成16kHz至1500MHz的输出频率，分辨率低至1Hz精度。该系列设备的配置能力可确保样品和大批量生产订单的快速交付时间。

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型号：R5F572MDDDFP#10 编号：C5343032

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：32位RXv3 CPU核心:最大工作频率：240 MHz。双精度64位IEEE-754浮点。具备集体寄存器组保存功能。支持内存保护单元（MPL）。JTAG和FINE（单线）调试接口。低功耗设计和架构:单2.7至3.6 V电源供电。RTC可由专用电源供电。四种低功耗模式

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型号：ICL7107CPLZ 编号：C1520744

封装：PDIP-40

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

高精度、低功耗、31/2位A/D转换器，包括七段解码器、显示驱动器、参考源和时钟。

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型号：R5F526TBDGFM#30 编号：C25672329

封装：LFQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：32-bit RXv3 CPU核心: -最大工作频率：120 MHz。120 MHz运行时可达709 CoreMark。具备集体寄存器组保存功能。支持内存保护单元（MPU）。JTAG和FINE（单线）调试接口。低功耗设计和架构: -单2.7-5.5 V电源供电。三种低功耗模式。片上代码闪存: -支持高达512 Kbytes的ROM版本

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型号：R5F52106BDFM#30 编号：C194444

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：32位RX CPU内核。最大工作频率：50 MHz。 50 MHz运行时可达78 DMIPS。累加器可处理32×32位运算的64位结果（单指令）。乘法和除法单元处理32×32位运算（乘法指令需一个CPU时钟周期）。快速中断。应用：69WLBGA（SWBG0069LA-A）：通用消费设备。其他封装：通用工业和消费设备

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型号：R9A07G044L27GBG#AC0 编号：C19193838

封装：FBGA-456(15x15)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

微处理器 - MPU

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型号：F1956NBGI8 编号：C1511898

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该设备采用紧凑的5×5mm 32引脚封装，输入和输出阻抗为50Ω，便于集成到无线电或RF系统中。具有高可靠性，插入损耗低、失真小，衰减水平精确，能提高系统SNR和/或ACLR，并行模式下建立时间快，在整个衰减范围内无干扰。具备最低插入损耗以实现最佳SNR，采用无干扰技术，可在衰减状态转换期间保护PA或ADC，衰减水平极其精确，超低失真，达到MSL1和2000V HBM ESD标准。

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型号：CYRCNEZCUBE03 编号：C22371305

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

EZ-CUBE3（CYRCNEZCUBE03）是具有Flash存储器编程功能的片上调试仿真器，可以用于调试MCU程序或将程序烧写到MCU的内置Flash中。EZ-CUBE3支持RA、RL78和RX产品家族MCU，可以调试RL78、RX和RA MCU，支持Trustzone自动边界设置。配合Renesas Flash Programmer软件（RFP）实现MCU的Flash烧录和DLM配置。提供USB转UART功能。可以为目标板供电，或由目标板供电实现宽电压系统的调试。

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型号：SLG4DVKGSD 编号：C21866507

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品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

可用于对具有多次可编程非易失性存储器(NVM)的产品进行编程,或配置所有具有 I2C 接口的芯片的互连逻辑、IO 和宏单元。与 GreenPAK Designer 6.xx 及以上版本配合使用。支持的操作系统包括 Windows(XP SP3、Vista、7、8、8.1、10)、Linux(支持 CDC 和 HID 类的任何发行版)、Mac OS(从 10.7 开始的所有版本)。属于人机接口设备(HID),无需额外驱动

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型号：RMWV6416AGSD-5S2#AA0 编号：C5884752

封装：TSOPII-52

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMWV6416A系列是一组64 Mbit的静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能高级低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，其存储结构为4,194,304字×16位。RMWV6416A系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具有低功耗待机模式，因此适用于电池备份系统

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型号：72V245L15TFGI 编号：C1522921

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：70V05L20PFGI 编号：C1351187

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT70V05是一款高速8K x 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）。该器件既可以作为独立的64K位双端口SRAM使用，也可以在16位或更高位宽字长的系统中，组合成主/从双端口SRAM使用。在16位或更宽的存储系统应用中采用IDT主/从双端口SRAM方案，无需额外的分立逻辑，即可实现全速、无差错运行

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型号：IW1760B-00 编号：C3093796

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

iW1760B是一款高性能AC/DC电源控制器，采用数字控制技术构建峰值电流模式PWM反激式电源。该器件工作在准谐振模式，可实现高效率，并具备一系列关键的内置保护功能，同时减少外部元件数量，简化EMI设计并降低总体物料成本。iW1760B无需次级反馈电路，即可实现出色的线性和负载调节

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型号：R5F10268ASP#35 编号：C1341774

封装：LSSOP-20-4.4mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：超低功耗技术:VDD = 1.8至5.5V单电源电压,可在低电压下运行。 HALT模式。 STOP模式。 SNOOZE模式。RL78 CPU内核:CISC架构,3级流水线。最小指令执行时间:可从高速(0.04167μs @ 24MHz运行,带高速片上振荡器)到超低速(Δ^↑|μs @ 1MHz运行)变化。地址空间:1MB。通用寄存器:(8位寄存器×8)×4组

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型号：SLG46108V 编号：C3280338

封装：STQFN-8(1x1.2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供了用于常用混合信号功能的小尺寸、低功耗组件。用户通过对一次性非易失性存储器 (NVM) 进行编程来创建电路设计，以配置互连逻辑、I/O 引脚和宏单元。该高通用性设备允许在非常小的低功耗单集成电路内设计各种混合信号功能。

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型号：ISL80505IRAJZ-T 编号：C3749122

封装：DFN-8(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL80505是一款单输出低压差稳压器（LDO），能够提供高达500mA的输出电流。该LDO的输入电压范围为1.8V至6V，输出电压可在0.8V至5.5V之间编程。

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型号：AT25XE021A-MAHN-T 编号：C2061689

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25XE021A 是一款串行接口闪存存储器件，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。AT25XE021A 具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：R5F10Y17DSP#30 编号：C1518625

封装：LSSOP-10-4.4mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：ISL80103IRAJZ-T 编号：C3745510

封装：DFN-10(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是低电压、高电流、单输出的低压差线性稳压器（LDO），分别指定用于 2A 和 3A 输出电流。这些 LDO 工作在 2.2V 至 6V 的输入电压下，能够提供 0.8V 至 5.5V 的输出电压。软启动引脚上的外部电容可对要求浪涌电流小于电流限制的应用进行调整。使能功能允许器件进入低静态电流关断模式。采用亚微米 BiCMOS 工艺，可提供一流的模拟性能和整体价值。这些 CMOS（LDO）在负载方面的静态电流明显低于双极型 LDO，因此效率更高，并且允许采用更小封装尺寸。为实现领先的快速负载瞬态响应，静态电流略有折中，因此这类 LDO 的总交流稳压带宽更低。