瑞萨光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN-8-EP(4x4)

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：UPC1093T-E1-AZ 编号：C3680261

封装：SOT-89

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

应用：标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备、工业机器人。高质量级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备、非专门用于生命支持的医疗设备

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型号：QS3VH257PAG8 编号：C2653259

封装：TSSOP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

QS3VH257 热切换四路 2:1 多路复用器/解多路复用器是一款高带宽总线开关。QS3VH257 的导通电阻非常低，导致通过开关的传播延迟低于250皮秒。选择（S）输入控制数据流。当使能（E）输入为低电平时，多路复用器/解多路复用器被激活。在导通状态下，开关可以传输高达5V的信号。在关断状态下，开关在端子处提供非常高的阻抗。接近零的传播延迟、高关断阻抗和过电压耐受性的结合使得 QS3VH257 非常适合高性能通信应用。QS3VH257 的工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：UPD720210K8-BAF-A 编号：C2982859

封装：QFN-76-EP(9x9)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

支持 USB 3.0 规范，数据传输速率高达 5 Gbps。可配置下游端口数量为 2、3 或 4 个。支持所有 VBUS 控制选项。单 5V 电源供电。

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型号：RJH60F7DPQ-A0#T0 编号：C118764

封装：TO-247A

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.35V 典型值（IC = 50A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。单封装内置快速恢复二极管。沟槽栅和薄晶圆技术。高速开关：tf = 74ns 典型值（IC = 30A，VCE = 400V，VGE = 15V，Rg = 5Ω，Ta = 25℃，感性负载）

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￥27.02
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型号：CA3130MZ 编号：C4368909

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

CA3130A和CA3130是运算放大器，结合了CMOS和双极晶体管的优势。输入电路采用栅极保护P沟道MOSFET（PMOS）晶体管，以提供极高的输入阻抗、极低的输入电流和出色的速度性能。输入级采用PMOS晶体管，使共模输入电压范围可低至0.5V，这在单电源应用中是一项重要特性。

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￥27.62
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型号：X5163S8Z-2.7 编号：C1354440

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些设备将四种常用功能，即上电复位控制、看门狗定时器、电源电压监控和块锁保护串行EEPROM存储器集成在一个封装中。这种组合降低了系统成本，减少了电路板空间需求，并提高了可靠性。给设备通电会激活上电复位电路，该电路会在一段时间内使RESET/RESET保持有效。这允许电源和振荡器在处理器执行代码之前稳定下来

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型号：X9315WSZ 编号：C1520946

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Intersil X9315 是一个数字控制电位器，具有电阻阵列、滑动开关、控制部分和非易失性存储器。滑动位置由3线接口控制。

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型号：RMLV0408EGSA-4S2#AA1 编号：C5862630

封装：TSOPI-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV0408E系列是一组4 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能高级低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，其组织形式为524,288字×8位。RMLV0408E系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具备低功耗待机功耗特性，因此适用于电池备份系统

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￥52.02
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￥45.01
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型号：R9A07G044L23GBG#AC0 编号：C3226569

封装：BGA-456

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥90.63
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型号：CA5420AMZ 编号：C1348393

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

结合了PMOS晶体管和双极晶体管，设计用于使用V+ = 5V、V- = GND的微处理器逻辑系统，也适用于3.3V逻辑系统。输入电路采用栅极保护的PMOS晶体管，具有高输入阻抗和低输入电流。内部自举网络采用独特的保护带技术，可减少温度升高时泄漏电流的增加。可在2V至20V的单电源或双电源下工作，内部相位补偿，在单位增益跟随器配置中实现稳定运行。输入级使用PMOS，具有低至负电源端子以下0.45V的共模输入电压能力，输出级使用反馈OTA型放大器，输出摆幅基本为轨到轨。

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型号：R9A07G074M04GBG#AC0 编号：C19188770

封装：FBGA-196

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MPU是一款高性能ASSP，具有带浮点单元（FPU）和NEON的Arm Cortex-R52处理器，集成了系统配置所需的外设功能。

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￥123.2
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型号：R9A07G075M24GBG#AC0 编号：C7334484

封装：LFBGA-320(17x17)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MPU是具有浮点单元（FPU）和NEON的双Arm Cortex-R52处理器的高性能ASSP，集成了系统配置所需的外围功能。运行频率为200/400/800 MHz，具备2.0 MB片上SRAM、以太网MAC、EtherCAT、USB 2.0高速、CAN/CANFD等各种通信接口、编码器接口和安全功能。

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￥135.27
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￥130.3

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型号：R9A07G054L23GBG#AC0 编号：C3226570

封装：LFBGA-456

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R9A07G054L24GBG#AC0 编号：C3227871

封装：LFBGA-551

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R9A07G054L28GBG#AC0 编号：C19193839

封装：FBGA-551(21x21)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

微处理器 - MPU

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型号：CR1510-06 编号：C424975

封装：SO-7

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高性能AC/DC电源控制设备，使用数字控制技术构建峰值电流模式PWM反激式电源。该设备包括一个内部功率BJT，以准谐振模式运行，可提供高效率，并具备许多关键的内置保护功能，同时最大限度地减少外部元件数量，简化EMI设计，并降低总物料成本。无需次级反馈电路即可实现出色的线路和负载调节。还无需环路补偿组件，可在所有工作条件下保持稳定性。内置功率限制功能可在通用离线应用中实现优化的变压器设计，并允许宽输入电压范围。采用创新专有技术，确保用其构建的电源可实现高平均效率、低待机功耗和宽输出电压范围的快速平稳启动，非常适合LED照明应用。

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型号：R7F0C908B2DFP-C#BA0 编号：C3036281

封装：LQFP-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

应用：标准级应用：计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备、工业机器人等。高质量级应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制（交通信号灯）、大型通信设备、关键金融终端系统、安全控制设备等

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型号：R5F1006AASP#50 编号：C1847966

封装：LSSOP-20-6.1mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

真正的低功耗平台，具有66 μA/MHz的电流消耗，在仅使用RTC和LVD时的电流消耗为0.57 μA，适用于通用应用，工作电压范围为1.6 V至5.5 V，代码闪存容量为16 KB至512 KB，在32 MHz下达到41 DMIPS。

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型号：HIP4082IBZT 编号：C50123

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

80V/1.25A H全桥MOS管驱动器芯片

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型号：DA14531-00000FX2 编号：C509077

封装：FCGQFN-24(2.2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

集成2.4 GHz收发器和Arm Cortex-M0+微控制器，具有48 kB的RAM和32 kB的一次性可编程（OTP）存储器。它可以用作独立的应用处理器或主机系统中的数据泵。无线电收发器、基带处理器和合格的蓝牙低功耗协议栈完全符合蓝牙低功耗5.1标准。具有用于BLE链路层实现的专用硬件和用于增强连接能力的接口控制器

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￥8.23
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型号：R7F0C019L2DFB-C#BA0 编号：C42457291

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

应用：标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备、工业机器人等。高质量级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制（交通信号灯）、大型通信设备、关键金融终端系统、安全控制设备等

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型号：ISL21010CFH315Z-TK 编号：C2157117

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL21010是一款精密、低压差微功耗带隙电压基准源，采用节省空间的SOT - 23封装。它由2.2V至5.5V单电源供电（最小电压取决于电压选项），并提供精度为±0.2%的基准电压。ISL21010可提供高达25mA的输出电流，压差低至±50mV

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型号：R5F102AAASP#10 编号：C5345557

封装：LSSOP-30-6.1mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

真正的低功耗平台，适用于通用应用，支持1.8V至5.5V操作，2KB至16KB代码闪存存储器，在24MHz下达到31 DMIPS。

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￥10.71
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￥9.11
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型号：RNA51957AFP#H0 编号：C7464029

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RNA51957A、B 是用于各类逻辑电路（如 CPU）复位的半导体集成电路，具备通过添加外部电阻来设置检测电压的特性。它们内置了延迟电路，只需添加一个外部电容，就能提供所需的延迟时间。它们有着广泛的应用，包括电池检测电路、电平检测电路和波形整形电路

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￥11.85
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￥10.11
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￥9.02
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型号：R7FA2L1AB2DFM#AA0 编号：C2760240

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

超低功耗 48 MHz Arm CorteX-M23 内核，高达 256 KB 代码闪存，32 KB SRAM，电容感应单元（CTSU2），12 位 A/D 转换器，12 位 D/A 转换器，安全和保护功能。MCU 集成了多个系列的软件和引脚兼容的基于 Arm 的 32 位内核，共享一组瑞萨外设，以方便设计扩展。该系列 MCU 采用节能型 Arm CorteX-M23 32 位内核，特别适用于成本敏感和低功耗应用，具有以下特点：高达 256 KB 代码闪存，32 KB SRAM，12 位 A/D 转换器（ADC12），12 位 D/A 转换器（DAC12）以及安全功能。

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￥14.26
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￥12.21
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￥10.94

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型号：R5F100LGAFB#50 编号：C2057177

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

真正的低功耗平台，运行时每MHz仅消耗66 μA电流，仅RTC和LVD工作时消耗0.57 μA电流，适用于通用应用。工作电压范围为1.6V至5.5V，配备16K字节至512K字节代码闪存，32 MHz时性能达到41 DMIPS。

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￥16.17
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￥13.78
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￥12.29

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型号：ISL22317WFRTZ-TK 编号：C1539824

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL22317 是一款低噪声、低温度系数的精密数字控制电位器，具有128个抽头位置，支持I2C接口。

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￥15.58
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型号：SLG46826G 编号：C3281959

封装：TSSOP-20

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供了一个用于常用混合信号功能的小型低功耗组件。用户通过对多次可编程非易失性存储器 (NVM) 进行编程来创建电路设计，以配置互连逻辑、IO 和宏单元。双电源允许灵活连接两个独立的电压域。这种高度通用的设备允许在一个非常小的低功耗单集成电路中设计各种混合信号功能。

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￥18.64
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￥15.91
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￥14.29
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型号：ICL7660CBAZ-T 编号：C113278

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Intersil公司的ICL7660和ICL7660A是单片CMOS电源电路，与以往的器件相比，具有独特的性能优势。ICL7660可将+1.5V至+10.0V的正输入电压转换为-1.5V至-10.0V的负输出电压，而ICL7660A可将+1.5V至+12.0V的正输入电压转换为-1.5V至-12.0V的负输出电压。电荷泵和电荷存储功能仅需两个非关键的外部电容。ICL7660和ICL7660A还可连接成电压倍增器，在输入为+10V时，可产生高达+18.6V的输出电压。芯片内包含一个串联直流电源稳压器、RC振荡器、电压电平转换器和四个输出功率MOS开关。一个独特的逻辑元件可检测器件中的最低负电压，确保输出N沟道开关的源极 - 衬底结不会正向偏置，从而保证无闩锁操作。在输入电源电压为5.0V且无负载时，振荡器的标称振荡频率为10kHz。可通过在“OSC”端子添加外部电容来降低该频率，也可用外部时钟驱动振荡器。“LV”端子可接地，以绕过内部串联稳压器，改善低电压（LV）工作性能。在中高电压（ICL7660为+3.5V至+10.0V，ICL7660A为+3.5V至+12.0V）下，LV引脚应悬空，以防止器件闩锁。

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