奥伦德光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：LTP-1G2 编号：C19186175

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

特性：SOP封装，4引脚微型设计（4.4×4.3×2.0mm / 0.173×0.169×0.083inch）。高速开关。 2500Vrms输入/输出隔离。提供卷带包装版本。应用：MOSFET驱动器。电子电路的电源（Vcc）

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型号：LTV-224 编号：C136634

封装：SO-8-4.4mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比 (CTR)：在IF = ±1mA、VCE = 5V时，最小为20%。高输入输出隔离电压：Viso = 3750Vrms。采用双传输模塑技术。 UL1577、VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5)、CSA CA5A、FIMKO认证。 RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令 (No.2002/95/EC)。 ESD通过HBM 6000V/MM 2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

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型号：6N135M 编号：C194136

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/?s 的卓越共模抑制。

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型号：ILD206T 编号：C144955

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

光电耦合器, 三极管输出, 双通道

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型号：CY216S(TPD2) 编号：C52117784

封装：SOP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

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型号：AT075L-CuH-S 编号：C20612629

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

双通道AT075L由高速LED和CMOS检测芯片组成。最低数据传输速率达15Mbit/s，具有卓越的高速性能和超低功耗。广泛应用于：数字现场总线隔离、多路复用数据传输、电脑外设接口、微处理器系统接口、直流/直流转换器

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型号：TLP2719(D4-TP4,E 编号：C7124355

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6L 封装。该产品可安装在与东芝 SDIP6 封装相同的焊盘图案上。此外，SO6L 封装的最大高度为 2.3mm，比传统 SDIP6 封装薄约 45%。其低矮的封装有助于减小系统尺寸，并且可以放置在对高度有限制的位置，如电路板背面。此外，由于该产品保证了 5kVrms（最小值）的高隔离电压，因此符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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型号：ACPL-227-50BE 编号：C691928

封装：SO-8-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 227是一款直流输入双通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个与两个独立光电晶体管进行光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。ACPL - 247是一款直流输入四通道半间距光电晶体管光耦合器，包含四个与四个独立光电晶体管进行光耦合的发光二极管

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型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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型号：APY212G2HS 编号：C44916796

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

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型号：TLP719F(D4-TP,F) 编号：C2987248

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此，在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽，以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此，该产品适用于嘈杂的环境条件。

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型号：AT223-CuH-D 编号：C22390117

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT223 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：TLP5754HB(4CNT4E 编号：C49325806

封装：SO6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：SFH6286-3T 编号：C144899

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：CNY65(B)-V 编号：C473828

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：FOD2712AR2 编号：C903690

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A光隔离放大器包括流行的AZ431L精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。参考电压容差为1%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2712A时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用紧凑型8引脚小型封装。

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型号：TLP3073(TP1,F 编号：C2693197

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成，采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C396037

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5772由一个镓铝砷（GaAℓAs）红外发光二极管以及一个集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5772的尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP2366(TPL,E 编号：C150130

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：APW214EH 编号：C42444471

封装：SMD-8P

品牌：APSEMI(先进光)

光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有明显优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无跳变开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰或射频干扰、无电弧、无跳变和无噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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型号：TLP105(TPL,F) 编号：C2990748

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出，能够吸电流和拉电流。

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￥3.57

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型号：APW214E 编号：C42444403

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有明显优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无跳变开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰或射频干扰、无电弧、无跳变和无噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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型号：HCPL-0501-500E 编号：C6673

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为19%。

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