奥伦德光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：BCW211GS 编号：C42434368

封装：SOP-8

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：2mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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￥9.272 ￥9.76
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型号：LT218D 编号：C2691608

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT218D是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可提供1500V的输入 - 输出隔离。光耦合输入由一个高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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￥10.41
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型号：ISOM8116DFGRQ1 编号：C43317183

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

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型号：ISOM8116DFHRQ1 编号：C43317184

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

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型号：TLP2770(TP,E 编号：C150160

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款20Mbps的低功耗光耦合器，采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm，保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.4mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：CNY65AGRST 编号：C5345074

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

光晶体管输出型光耦合器由一个光晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，以满足最高安全要求。

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型号：HCPL-0721-500E 编号：C188707

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL-772X 或 HCPL-072X 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO-8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，在实现出色性能的同时，功耗极低。HCPL-772X/072X 仅需两个旁路电容即可完全兼容 CMOS。

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型号：SFH6916 编号：C506471

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：VISHAY(威世)

SFH6916采用了砷化镓（GaAs）红外发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个16引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装中。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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型号：CPC1009NTR 编号：C2152217

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

是微型低压、低导通电阻、低关态泄漏、常开 (1-Form-A) 固态继电器，采用 4 引脚 SOP 封装。MOSFET 开关和光伏管芯采用专利 OptoMOS 架构，提供 1500Vrms 的输入到输出隔离。光耦合输出由高效红外 LED 控制。采用先进的双模垂直结构，生产出世界上最小的 4 引脚继电器之一，比竞争对手更大的 4 引脚 SOP 继电器节省 20% 的电路板空间。

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￥11.78
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型号：HCNW136-500E 编号：C2985492

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO 8和宽体封装配置。6N135、HCPL 0500和HCNW135适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

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型号：LTV-316J-TP1 编号：C2944028

封装：-

品牌：LITEON(光宝)

包含AlGaAs LED，LED与带功率输出级的集成电路光耦合。适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，其提供的电压和电流适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT，对于更高额定值的IGBT，可用于驱动分立功率级来驱动IGBT栅极。绝缘电压为V_IOM = 1414V_peak，光耦合器的工作参数在-40°C至 + 100°C的温度范围内得到保证。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将具有故障保护和反馈功能的完整隔离IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中

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型号：ACPL-H342-500E 编号：C691946

封装：SOP-8-300mil

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。此光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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型号：KAQW212S 编号：C194894

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Cosmo(冠西)

特性：常开，单刀单掷。可控制60V交流或直流电压。可切换400mA负载。 LED控制电流为5mA。低导通电阻。 dv/dt >500V/ms。隔离测试电压为1500VACrms

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型号：CPC1018NTR 编号：C133069

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1018N是一款采用4引脚SOP封装的微型单刀常开（1-Form-A）固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可实现1500Vrms的输入输出隔离。高效的MOSFET开关和光伏管芯采用了IXYS集成电路事业部的专利OptoMOS架构，而光耦合输出则由高效红外LED控制。与竞争对手更大尺寸的4引脚SOP继电器相比，它至少可节省20%的电路板空间

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型号：ACPL-P483-500E 编号：C545688

封装：SO-6-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：ACPL-W349-500E 编号：C691969

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P349/W349包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动功率转换应用中使用的碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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型号：CA-IS3417WT 编号：C41784146

封装：SOIC-12-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS3417WT是一款低EMI、输入光耦兼容的增强型绝缘高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管（e-diode），在保持光耦输入特性的同时还具有更好的一致性、长期稳定性和更高的可靠性，其传输特性不会像传统光MOS继电器一样随着使用时间的增加而出现光衰老化现象。另外相比传统的机械继电器，CA-IS3417WT的开关次数更多，使用寿命更长。 CA-IS3417WT的副边集成了耐压高达1700V背靠背的SiC MOSFET，由于SiC MOSFET具有更好的高温特性和可靠性，使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。

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型号：HCPL-061N-500E 编号：C188701

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCMOS兼容,高CMR,10MBd光电耦合器

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￥12.28
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型号：TLP2766F(D4-TP,F) 编号：C22385525

封装：SDIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。采用SDIP6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：CPC1390G 编号：C5972753

封装：DIP-4

品牌：Littelfuse/IXYS

是单刀常开（1-Form-A）固态继电器，具有5000Vrms的增强输入到输出隔离屏障。继电器输出采用高效MOSFET开关构建，使用了专利的OptoMOS架构。输入为高效红外LED，控制光耦合输出。

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￥17.69
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￥13.47
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型号：QXY258A-CuH-S 编号：C52164492

封装：SMD-5P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD5封装光继电器 5000V隔离电压，负载电压1500V, 负载电流：0.02A

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型号：HCPL-4562-500E 编号：C692049

封装：SOP

品牌：Broadcom(博通)

提供用于模拟信号的宽带隔离。与应用电路结合使用时，非常适合视频隔离。通过AlGaAs LED与高速探测器相结合，实现高线性度和低相移。单通道光耦合器，有8引脚DIP和宽体封装配置。

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型号：HCPL-2231-000E 编号：C188738

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高CMR,4.5V到20V宽Vcc,逻辑门光电耦合器

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￥19.72
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型号：AQV259 编号：C719648

封装：DIP-6

品牌：PANASONIC(松下)

特性：负载电压范围广：40V、60V、100V、200V、250V、400V、600V、1000V和1500V。典型导通电阻低：0.6Ω（AQV251）。具备5000Vrms的增强绝缘型I/O隔离。应用：测量仪器。数据通信设备

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1+
￥20.29
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￥17.99
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￥16.62
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￥15.49
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￥14.72

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型号：ASSR-1411-501E 编号：C6507629

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

该系列由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。探测器由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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型号：AQG22112 编号：C719586

封装：SIP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：垂直尺寸最大厚度为 4.5mm。内置缓冲电路，防止因噪声引起的故障。提供过零和随机两种方法。高介电强度：3000Vrms（输入和输出之间）。安全标准：C-UL（UL508）认证，VDE（EN60950-1）加强绝缘认证。应用：家用电器，如空调和除湿机。医疗保健和医疗设备

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￥23.97
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型号：GAQW612EH 编号：C7435154

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗EMV或RF干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥16.99
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型号：ACPL-K44T-560E 编号：C17472505

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与之等效。产品采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

1+
￥26.65
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型号：AQY221N2S 编号：C425153

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：提供低导通电阻（R型）和低电容（C型）两种类型。高速开关，导通时间典型值为0.03ms，关断时间典型值为0.03ms（AQY221N2S）。微型SOP4引脚小尺寸封装。关态泄漏电流典型值为0.01nA（AQY221N2S）。应用：测量和测试设备：IC测试仪、液晶驱动测试仪、半导体性能测试仪、裸板测试仪、在线测试仪、功能测试仪等。电信和广播设备

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型号：GAQW614EH 编号：C7435153

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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