奥伦德光耦_厂家_价格_品牌_库存

由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545

封装：SOIC-5

东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号

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型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：GAQY210EH 编号：C7435126

封装：SMD-4P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳切换。更高的速度和高频切换。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：HCPL-0600-500E 编号：C6674

封装：SO-8

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在Vcm = 1000V时可保证高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至 + 85°C的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：ACPL-W340-500E 编号：C60056

封装：SO-6-6.8mm

IGBT驱动光耦-1A-SO6(ROHS)

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型号：EL440AS1(TU)-G 编号：C3013780

封装：SMD-4P

品牌：EVERLIGHT(亿光)

单通道, 60至600V输出耐受电压, Viso: 5,000Vrms, 工作温度范围: -40℃至85℃

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型号：AT176-CuH-S 编号：C42371484

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT176 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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型号：GAQY211G2EH 编号：C7435127

封装：SMD-4P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：HCPL0601R2 编号：C411208

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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型号：PC400J00000F 编号：C49118

封装：SOP-5-175mil

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。OA设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258

封装：SOP-8-2.54mm

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：TLP176AM(TPL,E 编号：C5370540

封装：SOIC-4

东芝TLP176AM由一个红外LED和一个光MOSFET组成，封装在4引脚SO6中。该光电继电器的输出电流额定值高于光电晶体管型光耦合器，适用于高电流的开/关控制。它是无卤素的，工作温度范围可达110℃（最大）。该器件通常处于断开状态（1-Form-A），关断状态输出端电压为60 V（最小），触发LED电流为3 mA（最大），导通状态电流为700 mA（最大）。导通状态电阻为2 Ω（最大），隔离电压为3750 Vrms（最小）。TLP176AM通过了UL 1577、cUL、UL 508认证，并且符合VDE批准的EN 60747-5-5标准。它适用于安全系统、工厂自动化、测量仪器、电池管理系统（非汽车）、可编程逻辑控制器（PLC）以及机械继电器替换等应用。

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型号：BCY215S 编号：C5348922

封装：SOP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：APY252G3EH 编号：C44916800

封装：SMD-4P

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。

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型号：ACPL-C87H-500E 编号：C364868

封装：SOP-8-6.8mm

电压传感器是专为电压感应而设计的光隔离放大器。其2V输入范围和1G高输入阻抗，使其非常适合电子电源转换器应用中的隔离电压感应要求，包括电机驱动器和可再生能源系统。在典型的电压感应实现中，使用电阻分压器来缩放直流母线电压，以适应电压传感器的输入范围。在光隔离屏障的另一侧会产生与输入电压成比例的差分输出电压

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型号：ACPL-M21L-500E 编号：C691952

封装：SO-5

是光耦合逻辑门。探测器IC具有CMOS输出级和带有内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。内部屏蔽保证在1000V共模电压下，共模瞬态抗扰度为25kV/μs。工作电源电压范围为2.7V至5.5V，在-40℃至+105℃的扩展温度范围内保证交直流性能。

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型号：TLP172A(TP,F) 编号：C99477

封装：SOP-4-2.54mm

TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。

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型号：GAQV252G2EH 编号：C7435169

封装：SMD-6P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：GAQV278AEH-SIC 编号：C7435173

封装：SMD-5

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：TLP3556A(TP1,F 编号：C2152263

封装：SMD-4P

光MOSFET与红外LED光耦合，采用4引脚DIP封装。低导通电阻和高允许导通电流，适用于电力线控制应用。

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型号：HCPL-2232-500E 编号：C692022

封装：SOP-8-150mil