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封装：SOIC-6-300mil

TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个GaAlAs红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比，TLP5701在尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准

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1+
￥2.41
10+
￥2.12
30+
￥1.98
100+
￥1.83
500+
￥1.75
1500+
￥1.71

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型号：TLP785GB-S(UMW) 编号：C364147

封装：SMD-4P

品牌：UMW(友台半导体)

UMW TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管光耦合而成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

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10+
￥0.4603
100+
￥0.3613
300+
￥0.3118
2000+
￥0.269
4000+
￥0.2393
10000+
￥0.2245

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型号：PC817X2NSZW 编号：C5350

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

应用：OA设备、视听设备。家用电器。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。计算机

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10+
￥0.4695
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￥0.3413
300+
￥0.2957
1000+
￥0.25627 ￥0.2615
5000+
￥0.229418 ￥0.2341
10000+
￥0.215992 ￥0.2204

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型号：PC817X2NIPW 编号：C2840443

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。 OA设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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5+
￥0.5166
50+
￥0.4062
150+
￥0.351
500+
￥0.303408 ￥0.3096
2000+
￥0.27097 ￥0.2765
4000+
￥0.254702 ￥0.2599

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型号：LTV-354T 编号：C2841485

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

这些系列的交流输入光耦合器由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚Mini-Flat封装。

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5+
￥0.5774
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￥0.4545
150+
￥0.393
500+
￥0.3469
3000+
￥0.2863
6000+
￥0.2679

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型号：TLP118(TPL,E) 编号：C89721

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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1+
￥3.99
10+
￥3.26
30+
￥2.89
100+
￥2.53
500+
￥1.97
1000+
￥1.86

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型号：ACPL-W341-500E 编号：C194135

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。

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1+
￥4.23
10+
￥3.75
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￥3.51
100+
￥3.2373 ￥3.27
500+
￥2.8512 ￥2.88
1000+
￥2.7819 ￥2.81

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型号：GAQY216EH 编号：C7435133

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥4.68
10+
￥3.81
30+
￥3.38
100+
￥2.95
500+
￥2.7
1000+
￥2.56

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型号：GAQW212GEH 编号：C7435160

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗 EMI 或 RF。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥6.3
10+
￥5.14
30+
￥4.55
100+
￥3.98
500+
￥3.49
1000+
￥3.32

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型号：GAQY215G1S 编号：C22385004

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥6.62
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￥5.4
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￥4.8
100+
￥4.2
500+
￥3.56
1000+
￥3.37

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型号：AQY212EHAX 编号：C29276

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

光耦继电器

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1+
￥10.02
10+
￥8.14
30+
￥7.12
100+
￥5.95
500+
￥5.44
1000+
￥5.2

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型号：AQY212GSX 编号：C415471

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

SPST-NO 1A 60V

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1+
￥10.46
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￥8.5
30+
￥7.43
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￥6.22
500+
￥5.68
1000+
￥5.43

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型号：AQW214EHAX 编号：C425151

封装：SMD-8P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：加强绝缘 5000V，输入输出之间内部绝缘距离超过 0.4mm，符合 EN41003、EN60950（加强绝缘）。适用于 2 Form A 使用，也可作为两个独立的 1 Form A 使用。可控制低电平模拟信号，具有极低的闭路失调电压，能无失真地控制低电平模拟信号。高灵敏度和高速响应，5mA 输入电流可控制最大 0.14A 负载电流，典型操作速度为 0.5ms。低电平关态泄漏电流最大 1μA。应用：调制解调器。电话设备

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1+
￥13.38
10+
￥11.15
30+
￥9.76
100+
￥8.33
500+
￥7.68
1000+
￥7.4

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型号：ACPL-331J-500E 编号：C93224

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 331J是一款先进的、输出电流为1.5 A的易用智能栅极驱动器，它让IGBT VCE故障保护变得紧凑、经济且易于实现。诸如集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、IGBT“软”关断、隔离开路集电极故障反馈和有源米勒钳位等特性，提供了最大的设计灵活性和电路保护。ACPL - 331J包含一个AlGaAs LED

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1+
￥17.42
10+
￥14.63
30+
￥12.89
100+
￥10.9172 ￥11.14
500+
￥10.1332 ￥10.34
850+
￥9.7902 ￥9.99

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型号：ACPL-333J-500E 编号：C691931

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

是先进的2.5A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器，使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈、有源米勒钳位和自动故障复位等功能，提供最大的设计灵活性和电路保护。包含AlGaAs LED，LED与带功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414VPEAK

数据手册

1+
￥17.98
10+
￥15.38
30+
￥13.75
100+
￥10.3596 ￥10.68
500+
￥9.6224 ￥9.92
850+
￥9.312 ￥9.6

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型号：EL357C 编号：C19267783

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOP-4封装的光电耦合器，采用光电晶体管输出方式，专为实现电气隔离和信号传输设计。其拥有1.2V低正向电压，适用于DC输入电压环境，能提供最大50mA的稳定输出电流，同时具备6V的高反向电压防护能力。该器件性能卓越，广泛应用于通信设备及各类电路中的信号隔离场合，确保高效、安全的数据传输。

10+
￥0.3717
100+
￥0.2997
300+
￥0.2637
3000+
￥0.2182
6000+
￥0.1966
9000+
￥0.1858

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型号：TLP184(GB-TPL,SE 编号：C49659

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于尺寸比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如混合集成电路。

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5+
￥0.9778
50+
￥0.7611
150+
￥0.6682
500+
￥0.5523
3000+
￥0.5007
6000+
￥0.4698

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型号：ATM3083-CuH-SE 编号：C20612776

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

ATM3083是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器。

5+
￥1.02144 ￥1.0752
50+
￥0.80598 ￥0.8484
150+
￥0.71364 ￥0.7512
500+
￥0.598405 ￥0.6299
3000+
￥0.53105 ￥0.559
6000+
￥0.500175 ￥0.5265

有货

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型号：MOC3021S-TA1 编号：C115465

封装：SMD-6P

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用：AC电机驱动器。AC电机启动器

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5+
￥1.0773
50+
￥0.8666
150+
￥0.7763
1000+
￥0.6438
2000+
￥0.5936
5000+
￥0.5635

有货

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型号：MOC3063SM 编号：C20612616

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：AOTE(奥特)

MOC3063SM 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器。

5+
￥1.16185 ￥1.223
50+
￥0.92245 ￥0.971
150+
￥0.81985 ￥0.863
1000+
￥0.647045 ￥0.6811
2000+
￥0.590045 ￥0.6211
5000+
￥0.55575 ￥0.585

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型号：GAQY221S 编号：C7435105

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥2.98
10+
￥2.33
30+
￥2.01
100+
￥1.72
500+
￥1.58
1000+
￥1.53

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型号：TLP2309(TPL,E 编号：C85066

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1Mbit高速光耦，支持5V和3.3V供电

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.36
30+
￥2.02
100+
￥1.72
500+
￥1.57
1000+
￥1.52

有货

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型号：TLP293-4(GB-TP,E 编号：C112623

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C，且具有较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥4.22
10+
￥3.39
30+
￥2.97
100+
￥2.56
500+
￥2.26
1000+
￥2.13

有货

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型号：MOC3061M 编号：C8918

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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1+
￥4.27
10+
￥3.59
50+
￥2.85
100+
￥2.51
500+
￥2.31
1000+
￥2.2

有货

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型号：BCY212S 编号：C5348921

封装：SOP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：2mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

数据手册

1+
￥4.6645 ￥4.91
10+
￥3.705 ￥3.9
30+
￥3.23 ￥3.4
100+
￥2.755 ￥2.9
500+
￥2.736 ￥2.88
1000+
￥2.5935 ￥2.73

有货

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型号：TLP5754(TP,E 编号：C331357

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

IGBT驱动光耦

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥2.47
1500+
￥2.32

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型号：CPC1017NTR 编号：C81521

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1017N是一款采用4引脚SOP封装的微型单刀常开（1-Form-A）固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可实现1500Vrms的输入输出隔离。这种超高效MOSFET开关和光伏管芯采用了IXYS集成电路事业部的专利光MOS架构，而光耦合输出则由高效红外LED控制。与竞争对手更大尺寸的4引脚SOP继电器相比，它至少可节省20%的电路板空间

数据手册

1+
￥5.78
10+
￥4.74
30+
￥4.22
100+
￥3.71
500+
￥2.92
1000+
￥2.76

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型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册