冠西光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-5-4.6mm

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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￥3.61
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￥2.94
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型号：4N32M 编号：C110941

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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型号：TAQY212S 编号：C49254537

封装：SOP-4

品牌：拓朴微

由光 MOSFET、光电电压发生器和红外 LED 组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。

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型号：GAQY212E 编号：C19271985

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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型号：LTV-T350S-TA1 编号：C721584

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - T350光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。2.5A的峰值输出电流能够直接驱动额定值高达1200 V/100 A的大多数IGBT

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型号：APY212G2S 编号：C42444465

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是最可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：H11L1SM 编号：C899473

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：PC457L0NIP0F 编号：C37913

封装：SOIC-5-175mil

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与 OPIC 芯片光耦合的 LED。采用 5 引脚迷你扁平封装。输入-输出隔离电压（rms）为 3.75kV。高速响应（典型值 1Mb/s），共模抑制比最小为 15kV/μs。

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型号：OPY252S 编号：C52097784

封装：SOP-4

品牌：ARK(方舟微)

SSR RELAY SPST-NO 2500MA 60V

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型号：ATV252-CuH-D 编号：C22372856

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

ATV252光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET耦合组成。 ATV252实现低导通电阻。广泛应用于：工业机械及设备、放盗、防灾市场、空调控制、娱乐市场.

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型号：TLP240GA(TP1,F 编号：C261930

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用场景

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型号：QX172-CuH-SF 编号：C52164475

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：60V，负载电流：0.5A ,开启时间：0.5ms 关断时间：0.3ms

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型号：ACPL-M43T-500E 编号：C92191

封装：SO-5-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

是单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用五引脚微型封装，专为汽车应用设计。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在PCB上打“通孔”，该封装占用面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。此数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。在扩展温度范围内，VCM = 1500V时，具有至少30kV/μs的高共模瞬态抗扰度。隔离产品为汽车和高温工业应用中的关键部分提供增强绝缘和可靠性。

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型号：HCPL-0314-500E 编号：C545691

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：PC400J00000F 编号：C49118

封装：SOP-5-175mil

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。OA设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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型号：ACPL-W346-500E 编号：C691968

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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型号：LT211 编号：C19186145

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

LT211是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，实现输入与输出之间1500V的隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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型号：APY225G1S 编号：C42444477

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过低电平输入电流（<5 mA）使输入红外LED通电，该LED与光电二极管阵列芯片光耦合。该IC进而产生光电压，为两个通常以源极到源极配置连接的MOSFET供电，允许交流和直流输出负载。光继电器基本上通过移动光子来完成其开关功能，它们不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关。

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型号：HCPL-0453-500E 编号：C692009

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：G3VM-351VY 编号：C5340394

封装：SOP-4

品牌：OMRON(欧姆龙)

应用：半导体测试设备。测试与测量设备。通信设备。各种电池驱动设备。安全设备。工业设备。电源电路。娱乐设备

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型号：TLP352(F) 编号：C73968

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

场效应管驱动光耦

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型号：QX3H44-CuH-S 编号：C51026080

封装：SSOP-16

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SSOP16封装四通道晶体管光耦，3750V隔离电压，50-300%电流传输比

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型号：ACPL-W61L-500E 编号：C691976

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：GAQW215G1S 编号：C50087665

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

2Form A(SPST-NO)负载电压:100V 连续负载电流:1.1A

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￥8.54
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￥7.1
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￥6.31
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型号：GAQW214S 编号：C7435121

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：APW211G2S 编号：C42444444

封装：SOP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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￥9.36
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型号：TLP700(TP,F) 编号：C43687210

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用6引脚SDIP封装。比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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￥9.49
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型号：CPC1117NTR 编号：C150424

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1117N是一款采用4引脚SOP封装的微型常闭单极（1-Form-B）固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可提供1500Vrms的输入/输出隔离。高效的MOSFET开关和光伏管芯采用了IXYS集成电路事业部获得专利的光MOS架构。光耦合输出由输入的高效红外LED控制

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￥8.05
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型号：HCPL-2601-000E 编号：C185846

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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￥5.3675 ￥5.65
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￥4.7595 ￥5.01

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型号：CPC1019NTR 编号：C1854946

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1019N是一款微型、低压、低导通电阻、单刀常开（1-Form-A）固态继电器，采用小型4引脚SOP封装。CPC1019N采用OptoMOS技术，包含一个高效红外LED，该LED与高效MOSFET输出开关进行光耦合，可提供1500Vrms的输入输出隔离。双模垂直结构封装打造出一款非常紧凑的固态继电器，非常适合替代体积更大、可靠性较低的簧片继电器和机电继电器。

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